Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы 2Т630А9, 2Т630Б9 в металлокерамическом корпусе 4601.3-1 2Т630Б9. (режим измерения).


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Кремниевые эпитаксиально-
планарные
n
-
p
-
n
транзисторы
2Т630 9
Кремниевые эпитаксиально-планарные
n
-
p
-
n
транзисторы 2Т630А9, 2Т630Б9 в металлокерамическом
корпусе 4601.3-1, предназначенные для работы в ключевых, линейных и других схемах аппаратуры
специального назначения.
Схема расположения выводов (площадок)

1

2

3
Основные электрические параметры при Токр.=(25±10)ºС
Наименование параметра,
единица измерения,
(режим измерения)
Буквенное
обозначение
Норма
2Т630А9
2Т630Б9
не менее
не более
не менее
не более
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА
(
U
K
Э
= 90В,
R
БЭ
≤ 3 кОм)
I
K
Э
R
1
1
Обратный ток эмиттера, мкА
(
U
ЭБ
= 5 В)
I
ЭБО
0,1
0,1
Статический коэффициент передачи тока
(
U
КЭ
= 10 В,
I
К
= 150 мА)
h
21
Э
40
120
80
240
Граничное напряжение, В
(
I
К
= 30 мА,
t
и
≤ 100 мкс,
Q
≥ 200
U
КЭОгр
90
80
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В
(
I
К
= 150 мА,
I
Б
= 15 мА)
U
КЭнас
0,3
0,3
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(
I
К
= 150 мА,
I
Б
= 15 мА)
U
БЭнас
1,1
1,1
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В
(
R
БЭ
= 3 кОм,
I
K
= 100мкА)
U
K
Э
R

проб
120
120
Пробивное напряжение эмиттер-база, В
(
I
Э
= 100 мкА)
U
ЭБОпроб
7
7
Рассеиваемая мощность на коллектор, Вт
P
K
0,2
Закрытое акционерное общество
«ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»
Схема
расположени
я выводов
Назначение
1
База
2
Коллектор
3
Эмиттер

Приложенные файлы

  • pdf 7005818
    Размер файла: 222 kB Загрузок: 1

Добавить комментарий