Микросхемы интегральные 1645РТ3У (далее – микросхемы) представляют собой однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ)


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Спецификация
Микросхема однократно программируемого ПЗУ
емкостью 2
с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК
, 1645РТ3Н4, К1645РТ3Н4
Основные характеристики
микросхемы
Информационная емкость

(128К х 16) бит или (256K x 8) бит
Обозначение
Диапазон
1645РТ3У
минус 60
1㈵
К1645РТ3У
минус 60
1㈵
К1645РТ3УК
ГГ
год
выпуска
© АО
«ПКК Миландр»
ТСКЯ.431212.005
П
Версия
2.0
.0 от
02.09.201
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Структурная блок
схема
микросхемы
Входные
строк
управления
элементов
памяти
программирования
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
D
10
D
11
D
12
D
13
D
14
D
15
GND
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
nCE
nPE
nOE
17
1
2
3
4
5
6
7
Регулятор
напряжения
Рисунок
Структурная блок
схема
микросхемы
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Условное
графическое обозначение
8
A
0
A
7
A
2
A
1
A
3
A
9
A
1
2
A
13
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
4
7
18
9
17
14
13
51
54
55
22
23
24
25
28
29
30
31
A
1
4
56
nPE
6
4
A
4
12
11
10
52
53
A
5
A
6
A
10
A
1
1
Ucc
n
n
,
21
,
27
,
33
39
,
44
16
,
20
,
26
38
,
45
62
CONF
A
15
58
A
1
6
57
1
7
48
0
T
2
T
1
T
3
4
5
6
7
T
4
8
19
T
5
T
6
T
7
61
D
8
D
9
D
10
D
11
D
12
D
13
D
14
D
15
34
35
36
37
40
41
42
43
,
50
,
49
,
32
,
63
8
59
Рисунок
Условно
графическое обозначение
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Описание
выводов
Таблица
Описание выводов
№ вывода
корпуса
№ контактных
площадок
кристалла
H[hagZq_gb_�
\u\h^Z
Назначение вывода
nCE
Вход сигнала разрешения выборки
nOE
Вход сигнала разрешения выхода данных
Технологический вход
VREG
Технологический вход
Reg
Технологический вход
Tun_gl_1
Технологический вход
Tun_gl_0
Технологический вход
Tun_loc_1
Технологический вход
Tun_loc_0
Вход сигнала адреса
Вход сигнала адреса
Вход сигнала адреса
Вход сигнала адреса
Вход сигнала
адреса
Вход сигнала адреса
Ucc
Питание
GND
Общий
Вход сигнала адреса
Вход сигнала адреса
Технологический
вход
TEST1
GND
Общий
Ucc
Питание
Вход/выход данных
Вход/выход
данных
Вход/выход данных
Вход/выход данных
GND
Общий
Ucc
Питание
Вход/выход данных
Вход/выход данных
Вход/выход данных
Вход/выход данных
GND
Общий
Ucc
Питание
Вход/выход данных
Вход/выход данных
Вход/выход данных
Вход/выход данных
GND
Общий
Ucc
Питание
Вход/выход данных
Вход/выход данных
Вход/выход данных
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
№ вывода
корпуса
№ контактных
площадок
кристалла
H[hagZq_gb_�
\u\h^Z
Назначение вывода
Вход/выход
данных
Ucc
Питание
GND
Общий
Технологический
вход
TEST0
Вход сигнала адреса
A17
Вход сигнала адреса
GND
Общий
Ucc
Питание
Вход сигнала адреса
А10
Вход сигнала адреса
А11
Вход
сигнала адреса
А12
Вход сигнала адреса
А13
Вход сигнала адреса
А14
Вход сигнала адреса
А16
Вход сигнала адреса
А15
Вход сигнала адреса
Ucc
Питание
CONF
Вход сигнала выбора конфигурации
Технологический вход
nCHRPM_en
Напряжени
программирования
76, 77
GND
Общий
78
n
PE
Вход сигнала разрешения
программирования
㌬‵
㜬‹,‱〬
ㄴ,′㘀,‵5,‶9,
㜱,‷3,‷5
Не разваривают
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Указания по применению и эксплуатации
Программирование
микросхем
проводят с использованием программатора
ТСКЯ.468998.016
и без программатора.
Программирование микросхем без
программатора проводят с использованием внутреннего или внешнего источника
напряжения программирования.
Подключение техно
логических выводов микросхемы при программировании
выполняется
в соответствии с
Таблицей
Допускается не проводить
электротермотренировку
после программирования
микросхем.
После
программирования
микросхем проводится ФК в диапазоне рабочих
температур.
Таблица
Состояния подключения технологических выводов микросхемы
Режим
работы микросхемы
Технологический
вывод
Программирование с
использованием
программатора
ТСКЯ.468998.016
Включение
Программирование
и контроль

L



L

L

U
NC
Финальный
контроль данных

L


L



L

L

NC
NC
Программирование с
внешним источником
напряжения
программирования
Включение
Программирование
и контроль


L




L


NC
U
Финальный
контроль данных

L

L

L

L


L


NC
U
Программирование с
внутренним источником
напряжения
программирования
Включение
Программирование
и контроль


L




L

L

NC
NC
Финальный
контроль данных

L

L

L

L


L

L

NC
NC
Чтение
запрограммированных
микросхем
Ql_gb_
Примечание
состояние высокого уровня (напряжение высокого уровня
состояние низкого уровня (напряжение низкого уровня
не подключен;
внешний источник напряжения питания со значением согласно алгоритма
программирования;
внешний источник напряжения программирования
Программирование на программаторе
проводят в соответствии с алгоритмом,
привед
нным на
Рисунке
Программирова
ние микросхемы без программатора с использованием
внешнего источника напряжения
программирования
проводят при напряжении
программирования
(7,2 ± 0,2)
В, напряжение питания микросхемы
= (3,0
5,5) В.
Порядок подачи и снятия напряжений питания и
входных сигналов
следующий
подача (включение микросхем)
Общий
Питание
, входные сигналы
подача напряжения низкого уровня,
, на технологические выводы Т2, Т7,
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
подача напряжения высокого уровня,
, на технологические выводы Т0, Т1,
Т3, Т4;
подач
а на вывод Т7 напряжения
питания
высокого уровня,
подача на вывод
напряжения программирования.
Снятие напряжений питания и входных сигналов в обратной
последовательности или одновременно.
Программирование микросхемы без программатора с
использованием
внутреннего источника напряжения
проводят при напряжении питания
= (3,3 ± 0,15)
, при этом технологический вывод
7 не подключён или
на него
пода
тся напряжение низкого уровня,
Алгоритмы программирования микросхем без использования программатора
приведены
на
Рисунках
Не используемые входы микросхем
должны быть подключены к шине
"Питание"
или
шин
«Общий».
Запрещается подведение каких
либо электрических сигналов (в том числе шин
"Питание", "Общий") к выходам микросхем, не используемым со
гласно схем
электрической.
В процессе эксплуатации запрограммированных микросхем
на
технологически
вывод
0, Т5
долж
быть
подано напряжение высокого уровня,
на
технологические выводы Т1
Т4,
Т6,
напряжение низкого уровня,
IL
Запрещается
подведение каких
либо электрических сигналов (в том числе шин
"Питание", "Общий") к технологическ
вывод
Т8 и
выводу
Подключение технологических выводов Т0
Т8 в процессе программирования
согласно
Таблице
Допускается
наличие
на любых выводах импульсных напряжений низкого и
высокого уровня длительностью
мкс амплитудой
0,5
В,
0,5
В, со скважностью
≥ 2.
Максимальное значение длительности фронта и спада входных сигналов
не более 200 нс, динамические параметры при этом не гарантируются.
Для обеспечения максимального быстродействия микросхемы длительность
фронт
и спада
входных сигналов должна быть не более
3 нс.
При ремонте аппаратуры и измерении параметров микросхем замену
микросхем необходимо проводить только при отключенных источниках питания.
Инструмент для пайки (сварки) и монтажа не должен иметь потенциал,
превышающий 0,3 В относительно шины "Общий".
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Отключение внутреннего
источника питания
Подключение внешнего
источника к выводу Т
Командная последовательность
программирования слова
Чтение переключающегося
Происходит
переключение бита
Операция
программирования
Последний
Программирование
Контроль данных
незапрограммированныее
Количество попыток
записи больше
Программирование
Формирование массива
незапрограммированных
Изменение времени
программирования
каждого бита
Контроль данных при
незапрограммированные
Повторная верификация данных
при
незапрограммированные
Отключение внешнего
источника от вывода Т
Включение внутреннего
источника
Финальная верификация
данных при
незапрограммирован
Микросхема
запрограммирована
напряжение на выводах Т0, Т1, Т2, Т3, Т4, Т8 соответственно;
PT
описание см.
Таблице
Рисунок
Алго
ритм программирования микросхем
контролем
записи
олного массива программируемой
информации
используемый в
программаторе
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Командная последовательность
программирования слова
Чтение переключающегося
Происходит
переключение бита
Операция
программирования
Последний
Программирование
Контроль данных
незапрограммированныее
Количество попыток
записи больше
Программирование
Формирование массива
незапрограммированных
Изменение времени
программирования
каждого бита
незапрограммированные
Контроль данных
Запись микросхемы
успешно завершена
напряжение на выводах Т0, Т1, Т2, Т3, Т4, Т8 соответственно;
PT
описание
см. в
Таблице
Рисунок
Алгоритм программирова
ния микросхем
с верификацией процесса
записи полного массива программируемой информации
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Командная последовательность
программирования слова
Чтение переключающегося
Происходит
переключение бита
Операция программирования
Последний
Программирование
Контроль данных
незапрограммированныее
Количество попыток
записи больше
Программирование
Формирование массива адресов
незапрограммированных бит данных
Изменение времени
программирования
каждого бита
Контроль данных
Запись микросхемы
успешно завершена
Контроль записанного слова
незапрограммированныее
Количество попыток
записи больше
незапрограммированныее
напряжение на выводах Т0, Т1, Т2, Т3, Т4, Т8 соответственно;
PT
описание
см.
Таблице
Рисунок
Алгор
итм программирования микросхем
промежуточной
верификацией процесса записи
каждого
программируемо
го
слова
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Описание функционирования
икросхемы
Микросхема однократно электрически программируемого постоянного
запоминающего устройства с произвольной выборкой информационной емкостью
Мбит с перестраиваемой организацией 128К слов по 16 бит или 256К слов по 8 бит
(далее ПЗУ) разработана по КМОП КНИ те
хнологии с минимальными проектными
нормами 0,18
мкм, с одним уровнем поликремния и шестью уровнями металлизации.
В качестве запоминающего элемента микросхемы используется элемент, основанный
на пробое тонкого окисла подзатворного диэлектрика транзистора.
Типовые режимы работы ПЗУ обеспечиваются управляющими сигналами nСЕ,
nOE, nPE, в соответствии с таблицей истинности (
Таблица
) и временными
диаграмма
ми (
Рисунки
Таблица
Таблица истинности
Входы
Выходы
Режим
nOE
nPE
nCE

X

H

Состояние высокого
импеданса
Хранение данных
Выходные данные
Считывание данных
Входные данные
Программирование данных

H

L

Состояние высокого
импеданса
Запрет выхода
данных при
считывании
Примечание
состояние высокого уровня;
состояние низкого уровня;
любое состояние высокого или низкого уровня.
Выводы А0
А17 являются адресными входами, выводы данных D0
D15
являются двунаправленными, их состояние
зависит от логических уровней
управляющих сигналов. Сигнал CONF позволяет выбрать требуемую конфигурацию
микросхемы: CONF
0 соответствует организации 128К
16, CONF
1 соответствует
организации 256К
8. В случае организации 256К
8 в качестве входов
выходо
данных используются выводы D0
D7, на выводах D8
D15 поддерживается
состояние логического нуля.
При напряжении высокого уровня на входе nСЕ микросхема находится в
режиме хранения, и ее состояние не зависит от других управляющих сигналов
(сигналов адре
са и сигналов данных). Выходы микросхемы при этом находятся в
состоянии высокого импеданса. В этом режиме микросхема потребляет минимальную
мощность.
При наличии на входе nОЕ напряжения высокого уровня выводы данных
находятся в состоянии высокого импеданс
а. Сигнал nОЕ управляет выходными
буферами, обеспечивая их переход в третье состояние (напряжением высокого
уровня на входе nОЕ) независимо от состояния других управляющих сигналов.
Режим программирования (записи)
инициируется через внутренний
командный ре
гистр. Командный регистр не занимает
адресное пространство памяти
состоит из триггеров, которые хранят необходимую для выполнения команд
информацию
поступающую с шин адреса и данных. Содержимое регистра
используется внутренним блоком программирования, который формирует
последовательность операций при программировании.
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
При включении питания устанавливается
режим считывания данных
Такое
включение искл
ючает
случайное изменение содержимого памяти при переходных
процессах питания
никаких команд в этом режиме не
требуется.
Чтобы получить
данные на выходе во время цикла считывания адрес выставляется на входы адреса,
данные выдаются на выходы данных. Микрос
хема остается доступной для
считывания, пока содержимое командного регистра не изменится.
Считывание данных происходит при установлении на выводах
CE и
OE
состояния
низкого логического уровня
, на выводе nPE
состояния
высокого
логического уровня.
пись команд или командных посл
едовательностей происходит при состоянии
низкого логического уровня
на входах
nCE
nPE
и состояния высокого логического
уровня
на в
ходе
OE.
Запись командных последовательностей в командный регистр инициирует
режимы ра
боты микросхемы. Доступные командные последовательности
приведены
в Таблице
Запись некорректного адреса и данных или их запись в неправильной
последовательности
может перевести микросхему в неопредел
нный режим. Для
возврата
микросхемы
в режим ч
тения требуется команда сброса
Циклы
Pbdeu�gZ�rbg_�
iZfylb
I_j\uc
lhjhc
Lj_lbc
Q_l\
jluc
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Считывание
(Read
Сброс (
Auto
Select
производителя
2䅁
堀〰
микросхемы
2䅁
堀〱
倀爀潧爀慭
2䅁
唀湬潣欀⁂礀灡猀猀
2䅁
唀湬潣欀⁂礀灡猀猀⁐爀漀最爀愀洀
唀湬潣欀⁂礀灡猀猀⁒敳攀琀
吀甀渀攠倀爀潧爀慭⁔椀洀攀
2䅁
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Примечания
значение
или
адрес читаемой ячейки памяти;
данные считываемые по адресу
во время операции считывания;
адрес программируемой ячейки памяти;
данные программируемые в ячейку памяти
восьмиразрядные данные для 256К х 8 (
CONF
= 1)
шестнадцатиразрядные данные для 128К х 16
CONF
= 0)
подстройка
времени программирования, по умолчанию; 1
Значения приведены в шестнадцатеричном виде.
Во всех командных циклах указаны операции записи, за исключением операции
считывания мас
сива данных.
Значения
адресны
бит
12, а также данны
8 не
важны
для командных
последовательностей
Unlock
» циклов.
Во время операции считывания
Read
» другие
командные
последовательности, включая
Unlock
» не требуются.
Команда «
При подаче командной последовательности программирования «
Program
» в
микросхему программируется
одно слово
Размерность слова определяется
логическим уровнем на входе «
CONF
».
Операция программировани
я инициируется
четырьмя циклами, в последнем цикле передаются адрес и данные, на шине памяти,
запись которых запускает внутренний
алгоритм программирования. Дальнейший
контроль времени программирования производить не требуется, так как это
осуществляется л
огикой микросхемы. Микросхема автоматически обеспечивает
внутреннюю генерацию программных импульсов. В
Таблице
приведены
необходимые циклы для входа в этот режим.
После подачи командной последовательности программирования
слова
возможна проверка наличия статуса операции программирования. Статус операц
ии
программирования
проверяется путем опроса статусного переключающегося бита
6.
Переключающийся бит
6 показывает статус внутреннего алгоритма
программирования. Этот бит может быть прочитан по любому адресу и правомерен
после последнего фронта сигнала
в командной последовательности (перед
операцией программирования).
Во время внутреннего алгоритма программирования, цикл считывания по
любому адресу изменяет значение статусного бита
6 на инверсное (
необходимо
использовать чтение по
nCE
или
nOE
, но не
по адресу). По завершении операции
переключения на
6 останавливаются.
При считывании переключающегося бита статуса необходимо прочитать
данные дважды, чтобы определить
изменяется бит статуса или нет. После второго
считывания необходимо сравнить новое зна
чение статусного бита с первым
прочитанным. Если статусный бит не меняется, операция программирования
завершена. Можно прочитать данные
при
CONF
при
CONF
0)
следующем цикле считывания
Данные с предыдущих двух или более циклов
счи
тывания могут не быть верными и нужны только для опроса
6. Алгоритм опроса
переключающегося бита привед
н на
Рисунке
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Допускается не проводить проверку статуса операции программирования. В
этом случае необходимо после подачи командной последовательности
программирования байта выдержать паузу не менее максим
ального времени
программирования байта
CYP
BYT
при
CONF
0 не менее
CYP
После программирования всех необходимых адресов следует осуществить
проверку результатов записи пут
м считывания данных по этим же адресам и их
сравнение с записываемыми данн
ыми. Можно сначала провести
программирование
информации по
одному адресу и сразу провести считывание по этому адресу
Начало
Чтение
данных
Происход
переключени
бита
Операция
программирования
завершена
. Для проверки
следует провести чтение
Чтение
данных
Нет
Рисунок
Алгоритм опроса переключающегося бита
В зависимости от результатов считывания и сравнения возможны следующие
дальнейшие действия:
Считываемые
данные совпад
ают с записываемой информацией.
Необходимо перейти к записи следующего адреса или закончить процедуру
программирования;
Считываемые
данные
не совпад
ают с записываемой информацией.
В этом случае следует повторить операцию программирования. Так как
«единица» по данным означает ячейку с «пробитым» диэлектриком, а «ноль»
с непробитым, повторную запись можно проводить только для
«непробитых» яч
еек и во входных данных устанавливать «единицы» только
в тех разрядах, которые не запрограммировались в предыдущих попытках.
Рекомендуемое
количество повторов операции записи не более 256
После завершения внутреннего алгоритма программирования, микросхема
возвращается в режим
считывания
массива данных и адрес больше не
защелкивается.
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Любая команда, записанная в устройство в
время
внутреннего алгоритма
программирования, игнорируется
кроме
команды «
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Временные диаграммы
Данные предыдущего адреса
Рисунок
Временная
диаграмма цикла считывания 1,
при U
nOE
nCE
nPE
Высокий импеданс
Адрес постоянный
Рисунок
Временная диаграмма цикла считывания 2.
Управление по
nOE. U
nPE
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
В процессе
Истинные
Программируемая
ячейка
для программ
для программ
для программ
для программ
Рисунок
Временная диаграмма цикла записи 1. Управление
по
nPE
nOE
на протяжении цикла записи
на протяжении цикла записи и верификации
(чтения в процессе программирования
для программ
для программ
для программ
для программ
В процессе
Рисунок
Временная диаграмма цикла записи 2. У
правление по
nCE
nOE
на протяжении цикла записи и
верификации (чтения в процессе программирования
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Предельно
допустимые характеристики
микросхемы
Таблица
Предельно
допустимые режимы эксплуатации и предельные
электрические режимы
микросхем
Наимен
ование параметра, единица
измерения
Буквенное
обозначение
Норма параметра
Предельно
допустимый
режим
Предельный
режим
менее
более
менее
более
Напряжение питания
, В
3,0
5,5
6,0
Входное напряжение высокого уровня, В
2,0
+0,3
Входное напряжение низкого уровня, В
0,8
0,3
Выходной ток высокого уровня, мА
Выходной ток низкого уровня, мА
Напряжение высокого уровня,
прикладываемое к выходу в состоянии
«Выключено», В
OHZ
+0,3
Напряжение низкого уровня,
прикладываемое к выходу в состоянии
«Выключено», В
OLZ
0,3
Время цикла считывания информации,
нс,
CYR
Время цикла записи информации, нс
䌀套
Время удержания сигнала адреса
относительно сигнала
渀偅
при записи
, нс
䠀⡮倀䔀
Время установления входных сигналов
данных относительно окончания сигнала
nPE
ijb�aZibkb
SU(D
nPE)
Время установления сигнала адреса
относительно
начала
сигнала
nPE
при
записи
SU(A
nPE
Время
удержания сигнала входных
данных относительно окончания сигнала
nPE
ijb�aZibkb
��gk
H(nPE
Время установления сигнала
湏䔀
состояние высокого уровня относительно
начала сигнала
записи
nPE
ijb�aZibkb��gk
SU(nOEH
nPE)
Время установления сигнала
渀䍅
относительно начала сигнала записи
nPE
при записи
, нс
匀唀⠀渀䍅
渀偅⤀
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Наимен
ование параметра, единица
измерения
Буквенное
обозначение
Норма параметра
Предельно
допустимый
режим
Предельный
режим
менее
более
менее
более
Время удержания
сигнала адреса
относительно сигнала
nCE
при записи, нс
H(nCE
Время установления сигнала адреса
относительно
начала
сигнала
渀䍅
, нс
匀唀⡁
渀䍅
Время установления сигнала входных
данных относительно окончания сигнала
nCE
ijb�aZibkb
SU(D
nCE)
Время удержания сигнала входных
данных относительно окончания сигнала
nCE
ijb�aZibkb��gk
H(nCE
Время удержания сигнала
渀䍅
относительно сигнала
渀偅
при записи
, нс
䠀⡮倀䔀
湃䔀⤀
Время установления сигнала
渀䍅
относительно напряжения питания
СС,
SU(U
сс
nCE)
Время установления сигнала nОE в
состояние высокого уровня относительно
начала сигнала
nСE
ijb�aZibkb
��gk
SU(nOEH
nCE)
Время установления сигнала
渀偅
относительно начала сигнала
nCE
при
записи
, нс
SU(nPE
nCE)
Время удержания сигнала
渀䍅
относительно сигнала
渀偅
при записи
, нс
䠨渀䍅
湐䔀⤀
Время операции программирования
байта, мс
䌀奐
䈀奔
Длительность сигнала низкого уровня
разрешения записи
при записи
, нс
圀⠀湃䔀䰩
Длительность сигнала высокого уровня
разрешения записи
при записи
, нс
湃䔀
Длительность сигнала низкого уровня
разрешения записи
渀偅
при записи
, нс
圀⠀湐䔀䰩
Длительность сигнала высокого уровня
разрешения записи
渀偅
при записи
, нс
渀偅䠀
Емкость нагрузки, пФ
Примечания
Напряжение питания при программировании
с использованием внутреннего источника
напряжения
3,3 В
±
Не
допускается одновременное задание нескольких предельных режимов
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Электрические параметры
микросхемы
Таблица
Электрические параметры
микросхем
при приемке и поставке
Наименование параметра,
единица измерения,
режим
измерения
Буквенное
обозначение
параметра
Норма
параметра
Температура
среды,

не
менее
не
более
Выходное напряжение высокого уровня, В
2,4
Выходное напряжение низкого уровня, В
0,4
Ток утечки высокого уровня на вход
мкА
湏䔀
渀䍅
渀倀䔀
䥌䠀
䍏一䘀
, Т6, Т7
Ток утечки низкого уровня на входах, мкА
ILL
nOE, A0
A17, CONF
nCE
nPE
, Т0, Т1, Т2, Т3, Т4, Т5
Выходной ток
высокого уровня
в состоянии
«Выключено», мкА
伀娀䠀
Выходной ток низкого уровня в состоянии
«Выключено», мкА
伀娀䰀
Ток потребления в режиме хранения, мА
Динамический ток потребления, мА
OCC
Время выборки
данных по адресу, нс
Время выборки по сигналу
СЕ, нс
A(nCE)
Время выборки по сигналу
ОЕ, нс
nOE
Примечание
Режимы измерения параметров приведены в разделе 3
технических
условий
АЕНВ.431210.090ТУ
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Типовая схема подключения
С1
С4
конденсаторы
мкостью
С2 С3 0,1 мкФ (рекомендуется использовать керамические конденсаторы
группы Н20);
С4 10 мкФ.
Рисунок
Типовая схема подключения питания
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
10
Справочные данные
Среднее значение входной емкости
5,53
пФ при
1 МГц.
Среднее значение емкости входа/выхода
5,75 пФ при
1 МГц
Таблица
Справочные параметры микросхемы
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Буквенное
обозначение
параметра
Норма
параметра
Температура
среды
(корпуса),
g_�
f_g__
не
более
Напряжение программирования при использовании
внешнего источника
программирования, В
7,4
Время сохранения выходных данных после
изменения адреса
, нс,
при
nOE
=0,
=3,0
В,
30пФ
嘀⡁
Время за
держки распространения сигнала
данных
при переходе выхода из состояния низкого
(высокого) уровня в состояние «Выключено» по
сигналу
СЕ, нс
при:
3,0 В, C
30пФ
倀䱚⠀湃䔀
倀䡚⠀渀䍅
Время за
держки распространения сигнала
данных
при переходе выхода из состояния «Выключено» в
состояние низкого (высокого) уровня по сигналу
СЕ, нс,
при:
3,0 В
30 пФ
倀娀䰨湃䔀
倀娀䠨渀䍅
Время за
держки распространения сигнала
данных
при переходе выхода из состояния низкого
(высокого) уровня в состояние «Выключено» по
сигналу
ОЕ, нс,
при:
3,0 В
30 пФ
倀䱚
PHZ
Время задержки распространения сигнала данных
при переходе выхода из состояния «Выключено» в
состояние низкого (высокого) уровня по сигналу
ОЕ, нс,
при:
3,0 В
30 пФ
倀娀䰀⠀渀伀䔀
倀娀䠀⠀渀伀䔀
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
11
Типовые зависимости
Рисунок
Зависимость выходного напряжения высокого уровня, U
от напряжения питания, U
, при: I
минус 4 мА, Т 25
Рисунок
Зависимость выходного напряжения
высокого уровня, U
от тока нагрузки, I
, при: U
3,0 В, Т 25
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
2,40
2,50
2,60
2,70
2,80
2,90
3,00
3,10
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость выходного напряжения высокого уровня, U
от температуры Т, при: U
3,0 В, I
минус 4 мА
Рисунок
Зависимость выходного напряжения низкого уровня, U
от напряжения питания, U
, при: I
4 мA, Т 25
2,57
2,59
2,61
2,63
2,65
2,67
2,69
2,71
2,73
2,75
-60
-40
-20
100
125
0,10
0,11
0,12
0,13
0,14
0,15
0,16
0,17
0,18
0,19
0,20
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
ºС
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость выходного напряжения
низкого уровня, U
от тока нагрузки, I
, при: U
3,0 В, Т 25
Рисунок
Зависимость выходного напряжения низкого уровня, U
от температуры T, при: U
3,0 В, I
4 мА
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,15
0,16
0,17
0,18
0,19
0,20
0,21
0,22
0,23
0,24
0,25
-60
-40
-20
100
125
먀䌀
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость динамического тока потребления, I
ОСС
, от
напряжения питания, U
, при:
В,
= 0
CYR
100 нс, при
T = 25
Рисунок
Зависимость
динамического
тока потребления, Iocc,
от температуры, T, при: U
В,
В,
= 0
CYR
100 нс
10
11
12
13
14
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
12,0
12,2
12,4
12,6
12,8
13,0
13,2
13,4
13,6
13,8
14,0
-60
-40
-20
100
125
먀䌀
ㄳ,㘀
ㄳ,8
ㄴ,0
ㄴ,2
ㄵ,2
ㄴ,㐀
ㄴ,㘀
ㄴ,8
ㄵ,0
ㄵ,2
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость
динамического тока потребления, Iocc, от времени
цикла t
CYR
, при: Ucc
В,
= 5,5
В,
= 0
T = 25
Рисунок
Зависимость
тока потребления в режиме хранения, I
от напряжения питания, U
, при T 25
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
0,095
0,105
0,115
0,125
0,135
0,145
2,9
3,3
3,7
4,1
4,5
4,9
5,3
佃䌀
㐬5
㐬0
㌬5
㌬0
㈬5
㈬0
ㄬ5
ㄬ0
〬5
〬0
䌀奒
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость тока потребления в
режиме хранения, I
от температуры T, при U
5,5 В
Рисунок
Зависимость времени выборки адреса, t
A(A)
от напряжения
питания, U
, при: С
30 пФ, Т 25
0,13
0,14
0,15
0,16
0,17
0,18
0,19
-60
-40
-20
67,0
67,5
68,0
68,5
69,0
69,5
3,5
4,5
5,5
ºC
䄀⡁⤬
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость времени выборки адреса, t
A(A)
, от температуры Т
при:
3,0 В, С
30 пФ
Рисунок
Зависимость времени выборки по сигналу
nCE
nCE
от напряжения питания,
, при Т 25
69
70
71
72
73
74
75
-60
-40
-20
100
125
68,0
69,0
70,0
71,0
72,0
3,5
4,5
5,5
ºC
A(A),
湃䔀

© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Рисунок
Зависимость времени выборки по сигналу
nCE
nCE
от температуры, Т, при
= 3,0
где:
время нарастания сигнала,

время спада выходного сигнала,

Рисунок
Зависимость
фронта нарастания, tr, и
спада tf, выходных
сигналов от емкости нагрузки,
при:
3,0 В, Т 25
70
73
74
77
78
-60
-40
-20
ºC
nCE
),
,⁴

,
пФ
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
12
Габаритный чертеж
микросхемы
0
*
,
56
57
41
40
8
9
64
25
24
1
15
0
15
26
15
1
Ключ
Рисунок
Микросхема
в корпусе
5134.64
Примечание
Ключ расположен на обратной стороне корпуса.
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
1 Размеры контактных площадок (КП) кристалла (101
101 ) мкм.
Материал КП −
Al
(алюминий).
2 Толщина кристалла (0,4
± 0,0
5) мм.
маркировка кристалла
00, показана условно.
Координаты КП − см. таблицу
Размеры для справок,
с учетом дорожки скрайбирования. Толщина
дорожки − 0,11 мм.
Номера КП кристалла, кроме первой присвоены условно.
Расположение КП соответствует топологическому чертежу.
8,㠶洀慸
10ⰹ
洀慸
10
11
12
13
1㐀
15
1㘀
1㜀
18
19
20
21
22
23
2㐀
25
2㘀
2㜀
28
29
30
31
32
33
3㐀
35
3㘀
3㜀
38
39
㐀0
㐀1
㐀2
㐀3
㐀㐀
㐀5
㐀㘀
㐀㜀
㐀8
㐀9
50
51
52
53
5㐀
55
5㘀
5㜀
58
59
㘀0
㘀1
㘀2
㘀3
㘀㐀
㘀5
㘀㘀
㘀㜀
㘀8
㘀9
㜀0
㜀1
㜀2
㜀3
㜀㐀
㜀5
㜀㘀
㜀㜀
Рисунок
Кристалл (бескорпусное исполнение)
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
Таблица
Координаты КП
кристалла
№ КП
H[hagZq_gb_�
DI
Dhhj^bgZlu�DI
‹�DI
Обозначение
КП
Координаты КП
nCE
GND
192,0
4133,0
38,0
188,0
4133,0
1110,0
920,0
4133,0
38,0
1450,0
4133,0
8,0
D10
1980,0
4133,0
8,0
D11
2510,0
4133,0
2350,0
GND
3088,0
4133,0
38,0
3668,0
4133,0
D12
4348,0
4133,0
8,0
D13
5183,0
3590,0
D14
5183,0
3160,0
3712,0
D15
5183,0
2630,0
4092,0
5183,0
2252,0
4282,0
GND
5183,0
1872,0
4506,0
5183,0
1492,0
3438,0
5183,0
1300,0
2958,0
5183,0
1112,0
2478,0
A17
5183,0
732,0
1998,0
GND
5183,0
52,0
1518,0
5183,0
428,0
1008,0
5183,0
1008,0
428,0
A10
5183,0
1518,0
GND
52,0
A11
5183,0
1998,0
732,0
A12
5183,0
2478,0
1112,0
A13
5183,0
2958,0
1300,0
A14
5183,0
3438,0
1492,0
A16
4268,0
4163,0
GND
1872,0
A15
3768,0
4163,0
2252,0
3268,0
4163,0
2684,0
2996,0
4163,0
3212,0
CONF
2768,0
4163,0
2496,0
4163,0
2268,0
4163,0
GND
1868,0
4163,0
1510,0
4163,0
2560,0
4133,0
938,0
4163,0
2030,0
4133,0
GND
662,0
4163,0
1500,0
4133,0
GND
462,0
4163,0
970,0
4133,0
nPE
262,0
4163,0
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
13
Информация для заказа
Обозначение
Маркировка
Тип корпуса
Температурный
диапазон
1645РТ3У
1645РТ3У
5134.64
минус 60
125
К1645РТ3У
К1645РТ3У
5134.64
минус 60
125
К1645РТ3УК
К1645РТ3У
5134.64
Примечание
Микросхемы в бескорпусном исполнении поставляются в виде
отдельных кристаллов, получаемых разделением пластины. Микросхемы
поставляются в таре (кейсах) без потери ориентации. Маркировка микросхем
1645РТ3Н4 или К1645РТ3Н4
наносится на тару.
Микросхе
мы с приемкой «ВП» маркируются ромбом.
Микросхемы с приемкой «ОТК» маркируются буквой «К».
© АО
«ПКК Миландр»
Спецификация
1645РТ3У, К1645РТ3У, К1645РТ3УК, 1645РТ3Н4,
К1645РТ3Н4
14
Лист регистрации изменений
п/п
Дата
Версия
Краткое содержание изменения
№№
изменяемых
листов
13.03.2015
1.0.0
едена впервые
17.05.2016
1.1.0
Приведение в
соответствие с ТУ и КД лит. А
По тексту
02.09.2016
2.0
Добавлены значение входной емкости и
среднее значение емкости входа/выхода
Добавлена таблица
«Координаты КП
кристалла»

© АО
«ПКК Миландр»

Приложенные файлы

  • pdf 6984608
    Размер файла: 524 kB Загрузок: 4

Добавить комментарий