Рис. 1. Условное графическое обозначение микросхем 1564ИР33 ЭП. Т а б л и ц а 1. Таблица истинности микросхем 1564ИР33 ЭП. EZ ED Di L HL L HH L LX.


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
«ОКБ «Экситон»
142500 г. Павловский Посад Московской обл., ул.И
тернациональная, д.34а
Тел
www.okbexiton.ru
mail:
[email protected]

H

L

L

рансляция данных
䐀椠
Трансляция данных
䐀椠

H

X

Z

Выходы в состоянии
высокого импеданса,
регистр доступен для
записи

L

X

Z

Выходы в состоянии
высокого импеданса,
регистр в режиме
хранения
зкий уровень;
высокий уровень;
безразличное состояние;
высокоимпедансное состояние;
предыдущее
состояние
-


Т а б л и ц а 2. Назначение
выводов микросхем
1564ИР33
Т а б л и ц а 3. Электрические
параметр
микросхем
1564ИР33
приемке и поставке
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Буквенное
обозначе
параметра
Норма параметра
Темпера
тура
среды,
не менее
не более
Максимальное выходное напряже
ние
изкого
уровня, В, при:
В,
0,3
мкА
В,
0,9
мкА
В,
1,2
мкА
В,
0,9
6,0
мА
В,
1,2

мА
浡砀

-


Мин
имальное выходное напряжение
ысокого
уровня, В, при:
В,
0,3
мкА
В,
0,9
мкА
В,
1,2
мкА
В,
0,9
6,0
мА
В,
1,2
= 7,8
мА
min
1,9

-

-

25

-


вывода
Обозна
чение
Назначение
Вход управления
третьим состоянием выходов
Вход данных
нулевого разряда регистра
Вход
данных
первого разряда регистра
Вход
данных
второго разряда регистра
Вход
данных
третьего разряда
регистра
Вход
данных
четвёртого разряда регистра
Вход
данных
пятого разряда регистра
Вход
данных
шестого разряда регистра
Вход
данных
седьмого разряда регистра
Общий
Вход управления
защелками по входам
Выход
нных
седьмого разряда регистра
Выход
данных
шестого разряда регистра
Выход
данных
пятого разряда регистра
Выход
данных
четвёртого разряда регистра
Выход
данных
третьего разряда регистра
Выход
данных
второго разряда регис
тра
Выход
данных
первого разряда регистра
Выход
данных
нулевого разряда регистра
Напряжение питания
Продолжение таблицы 3.
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Буквенное
обозначе
параметра
Норма параметра
Темпера
тура
реды,
не менее
не более
3. Входной ток низкого уровня, мкА, при:
䈬†唀
䈬†唀
4. Входной ток высокого уровня, мкА, при:
䈬†唀
䈬†唀

5. Ток потребления, мкА, при:
6. Выходной ток низкого уровня в состоянии
“Выключено”, мкА, при:
OZL



7. Выхо
дной ток высокого уровня в
состоянии “Выключено”, мкА, при:
B, U
OZH

-
10,0
8. Время задержки распространения от
ходов
до выходов
нс,
при:
пФ
,
=

пФ
PHL
PLH

9. Время
задержки распространения по
входу
при:
пФ
пФ
пФ
PHL
PLH

10. Время задержки распространен
ия
сигнала при
переходе из состояния
низкого уровня в состояние “Выключено”
и из состояния “Выключено” в состояние
низкого уровня, нс, при:
пФ,
кОм
пФ,
кОм
пФ,
кОм
PLZ
PZL
-

-

-

99
122
25

-


-


Продолжение таблицы 3.
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Буквенное
обозн
аче
параметра
Норма параметра
Темпера
тура
среды,
не менее
не более
11. Время задержки распространения сигнала
при
переходе из состояния высокого уро
вня
в сос
тояние
“Выключено” и из состояния
“Выключено” в
состояние высокого
уровня,
нс,
при:
пФ,
кОм
пФ,
кОм
пФ,
кОм
PHZ
PZH
-

-

99
122
25

-


. Входная емкость, пФ
Т а б л и ц а 4. П
редельно допустимы
и предельны
е режимы
эксплуатации
микросхем
1564ИР33
Наименование
параметра режима,
единица измерения
Буквен
ное
обозна
чение
пара
метра
Норма параметра
Время
воздействия
предельного
режима
эксплуатации
предельно допустимый
режим
предельный
режим
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Напряжение
питания, В
минус 0,5
Входное напряжение, В
минус 0,5
⬀‰ⰵ
минус
⬀‱ⰵ
мс
Напряжение подаваемое
на выход, В
минус
⬀‱ⰵ
минус 0,5
⬀‰ⰵ
Ток через один любой
вход, мА



20

Ток через один любой
выход, мА

7

25

Ток постоянный
(средний) через вывод
b��©h[sbc�ª��f:



50

Рассеиваемая мощность,
мВт
瑯琀
Длительность фронта и
спада входного сигнала,
с, при:
= 2,0






Емкость нагрузки, пФ
В диапазоне температур от минус 60 до 100
. В диапазоне температур о
т 100 до 125
норма
снижается с коэффициентом 12
мВт
При измерении динамических параметров.
Динамические параметры не регламентируются.
-


Наработка микросхем до отказа Т
в режимах и условиях эксплуатации, допускаемых ТУ
исполнения, при температуре окружающей среды (температуре эксплуатации) не более (65 + 5)
не менее 100000 ч, а в облегченном режиме: при
= 5 В
5 %
не менее 135000 ч.
Масса микросхем: не более 1,0 г для микросхем в корпуса
х 4157.20

не более 2,0 г для микросхем в корпусах 4153.20
Варианты
конструктивного исполнения для поставок заказчику:
в кор
пусе типа 4153.20
золотым покрытием
1564ИР33Т ЭП
в корпусе типа 4157.20
A с
олотым покрытием
1564ИР33Т1 ЭП
кристаллы без корпуса и без
выводов
в составе пластин
Возможно иное исполнение по требованиям Заказчика.
Обозначение микросхем при заказе (в договоре на поставку)
ИР33
АЕЯР.431200.424
ТУ.
При заказе микро
схем, предназначенных для автоматической сборки (монтажа) аппаратуры, после
обозначения ТУ ставят букву «А»:
ИР33
АЕЯР.431200.424
Обозначение микросхем при заказе в бескорпусном исполнении на общей пластине:
Б1564
ИР33
АЕЯР.43
1200.424
ТУ.
Рис. 2. Корпус 4153.20
Рис. 3. Корпус 4157.20

размеры в миллиметрах


размеры в миллиметрах
Для более полной информации о микросхеме использовать:
АЕЯР.431200.424
29ТУ,
КСНЛ.431233.009
КСНЛ.431233.009
ТБ,
КСНЛ.
ТБ1,
КСНЛ.431233.009
Документ изменен
. Версия
-



Приложенные файлы

  • pdf 6983607
    Размер файла: 378 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий