Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства электронной техники). Коллективная монография. Перспективы использования 3D слоистых структур на основе материалов с запрещенной фотонной зоной в качестве активных элементов

1. Белянин А.Ф., Самойлович М.И. Пленки алмаза и алмазоподобных материалов: формирование, строение и применение в электронике // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства электронной техники). Монографический сборник. М.: ЦНИТИ "Техномаш". 2003. С.19
·110.
2. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Талис А.Л. Наноструктурированные алмазные и алмазоподобные углеродные пленки в электронике // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Монографический сборник. Калуга: ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.3
·172.

·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·Гурьянов А.В., Самойлович М.И., Цветков М.Ю., Интюшин Е.Б., Чигиринский Ю.И. Особенности фотолюминесценции нанокомпозита опал ( теллуритное стекло ( Er3+ // Журнал прикладной спектроскопии. 2003. Т. 70. № 2. С.285(287.
6. Самойлович М.И., Гребенников Е.П., Цветков М.Ю., Гурьянов А.В., Басиев Т.Т., Орловский Ю.В., Поляченкова М.В. Нанофотонные структуры на основе упорядоченных ансамблей бактериородопсин ( опаловая матрица ( подложка // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы II Межрегионального семинара. 2004. Калуга(Москва: Издательство МГТУ им. Н.Э.Баумана. С.85
·97.
7. Самойлович М.И., Гребенников Е.П., Цветков М.Ю., Клещева С.М., Поляченкова М.В., Орловский Ю.В., Ивлева Л.И., Басиев Т.Т. Люминесценция нанокомпозита бактериородопсин – опаловая матрица на различных подложках // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства электронной техники). Монографический сборник. М.: ЦНИТИ “Техномаш”. 2004. C.60(67.
8. . Samoilovich M.I., Belyanin A.F., Grebennikov E.P., Guriyanov A.V. Bacteriorhodopsin 
· the basis of molecular superfast nanoelectronics // Nanotechnology. 2002. V. 13. P.763
·767.
9. А.Ф.Белянин, П.В.Пащенко, В.Д.Житковский, А.А.Алтухов. Формирование методом магнетронного ВЧ распыления пленок системы Bi
·Sr
·Ca
·Cu
·O, обладающих ВТСП // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1990. Серия: ТПО. Вып. 5. С.50
·54.
10. А.А.Алтухов, В.В.Жирнов, В.Д.Житковский, В.В.Иванов. Твердотельный детектор ионизирующих излучений, изготовленный по технологии МЛЭ // Техника средств связи. М.: ЭКОС. Серия ТПО. Вып. 3. 1990. С.48
·51.
11. А.А.Алтухов, В.В.Жирнов, В.Д.Житковский, В.В.Иванов. Исследование поверхности эпитаксиальных слоев, полученных методами МЛЭ и твердофазной эпитаксии // VП Симпозиум по вторичной электронной, фотоэлектронной эмиссиям и спектроскопии поверхности твердого тела. Материалы симпозиума. Ташкент: АН Узбекистана. 1990. С.155
·156.
12. А.Ф.Белянин, В.В.Бесогонов, А.Ю.Елисеев, В.Д.Житковский, П.В.Пащенко. Применение ВЧ автогенераторов в установках распыления и травления // Тонкие пленки в электронике. Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания. Москва ( Ижевск: НИИ ВЭМ. 1991. С.47
·52.
13. А.А.Алтухов, В.В.Жирнов, В.Д.Житковский. Изменение оптических свойств флюорита при электронном облучении // Тонкие планки в электронике. Материалы П Всесоюзного межотраслевого совещания. Москва ( Ижевск: НИИ ВЭМ. 1991. С.60
·64.
14. В.В.Бесогонов, В.Д.Житковский, П.В.Пащенко, А.Ю.Елисеев. Конструкции магнетронов для распыления металлов // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1992. Серия ТПО. Вып.: 1, 2. С.48
·51.
15. В.Д.Житковский, П.В.Пащенко. Изготовление порошковых мишеней для осаждения пленок высокотемпературных сверхпроводников методом ВЧ-магнетронного распыления // Тонкие пленки в электронике. Материалы III Межрегионального совещания. Йошкар
·Ола: МарПИ. 1992. Ч. 1. С.56
·58.
16. А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, П.В.Пащенко. Планарные магнетронные распылительные системы в технологии ГИС // Тонкие пленки в электронике. Материалы IV Межрегионального совещания. Улан
·Удэ: БИЕН СО РАН. 1993. С.30
·42.
17. A.Altukhov, P.Gladkov, V.Jitkovsky. Development of New Type Solid State Radiation Detector Based on Epitaxial Structure // Measurements and Control in Robotics. Proceed. Third International Symposium. Torino. Italy. 1993. P.83
·84.
18. А.Ф.Белянин, П.В.Пащенко, В.Д.Житковский, А.Ю.Елисеев. Блок питания постоянного тока для магнетронных распылительных систем // Тонкие пленки в электронике. Материалы V Международной научно-технической конференции. Москва ( Йошкар
·Ола: МарПИ. 1994. С.45
·47.
19. А.Ю.Елисеев, В.Д.Житковский, С.М.Найда, П.В.Пащенко. Теплоэлектрический вакууметр для установок тонкопленочной технологии // Тонкие пленки в электронике. Материалы V Международного симпозиума. Москва ( Йошкар
·Ола: МарПИ. 1994. С.48
·49.
20. В.Д.Житковский. Высокие технологии радиоэлектроники – основа создания современных информационных сетей // Информационные технологии, системы, коммуникации и сети. Материалы VI Конгресса. М.: ЦНИТИ "Техномаш". 1995. С.3
·9.
21. В.Д.Житковский, П.В.Пащенко, С.М.Найда, А.Ю.Елисеев. Высоковольтный источник питания постоянного тока с падающей характеристикой на основе магнитного усилителя для магнетронных распылительных систем // Труды Украинского вакуумного общества. Харьков: ННЦ ХФТИ. 1997. Т. 3. С.470
·473.
22. В.Д.Житковский. Функциональные возможности многослойных структур // Научно-технический сборник. М.: ЦНИТИ "Техномаш". 1997. С.15
·17.
23. П.В.Пащенко, С.М.Найда, В.Д.Житковский, Д.А.Комаров, Р.Х.Залавутдинов, А.Ю.Елисеев. Система магнетронного распыления на ВЧ и постоянном токе на базе ВУП–5 // Высокие технологии в промышленности России (техника средств связи). Материалы 2 Российской конференции. М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана. 1997. С.17–24.
24. П.В.Пащенко, В.Д.Житковский, С.М.Найда, А.Ю.Елисеев, Б.Н.Перевозчиков, Н.И.Сушенцов. Двухконтурный автогенератор для магнетронных распылительных систем // Высокие технологии в промышленности России. Материалы 3 Российской конференции. М.: ЦНИТИ "Техномаш". 1997. С.15–21.
25. А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, П.В.Пащенко. Пленки нитрида алюминия: получение, строение и применение в устройствах электронной техники // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 1998. Вып. 1. С.29
·37.
26. А.А.Алтухов, В.Д.Житковский, Г.А.Кобозева, И.А.Мироненко, А.В.Шустров. Полупроводниковые тонкопленочные газовые сенсоры для обнаружения паров NОx // Высокие технологии в промышленности России. Материалы V Международной научно-технической конференции. М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана. 1999. С.361
·363.
27. Е.П.Гребенников, В.Д.Житковский. Бактериородопсин-содержащие полимерные пленки для оптических многослойных структур // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2000. № 2. С.32
·39.
28. Белянин А.Ф, Гребенников Е.П., В.Д.Житковский Строение пленок, содержащих бактериородопсин и полимер // Тонкие пленки в электронике. Труды ХI Международной научно-технической конференции. Йошкар
·Ола: МарГТУ. 2000. С.41
·42.
29. Е.П.Гребенников, В.Д.Житковский. Опосредованное взаимодействие световых потоков в бактериородопсин-содержащих средах // Молекулярная физика неравновесных систем. Материалы II Всероссийской научной конференции. Иваново: ИвГУ. 2000. С.235
·239.
30. В.Д.Житковский, А.В.Шустров, А.А.Алтухов, Г.А.Кобозева, И.А.Мироненко, В.К.Казарьян. Перспективные планарные газочувствительные сенсоры на основе полупроводниковых пленок // Контрольно-измерительные приборы и системы. 2001. С.29
·33.
31. А.А.Алтухов, В.Д.Житковский, А.Ю.Митягин. КМОП ИС на основе эпитаксиальных слоев Si
·CaF2
·Si // Сборник научных трудов. М.: ЦНИТИ "Техномаш". 2001. С.39
·45.
32. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, П.В.Пащенко. Формирование методами магнетронного распыления пленок алмазоподобных материалов и их применение в устройствах электронной техники // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2003. № 2. С.37
·40.
33. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, К.Ю.Петухов. Фотодиоды на основе 3D слоистых структур // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-практической конференции. INTERMATIC
·2003. М.: МГИРЭА(ТУ). 2003. С.197
·199.
34. М.И.Самойлович, С.М.Клещева, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, М.Ю.Цветков. Исследование свойств и перспективы применения трехмерных нанокомпозитов на основе упорядоченных упаковок наносфер кремнезема // Материалы, оборудование и технологии наноэлектроники и микрофотоники. Коллективная монография. Улан
·Удэ: Изд. БНЦ СО РАН. 2003. Глава 5. С.223
·268.
35. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, А.А.Бляблин, А.В.Гурьянов, П.В.Пащенко, В.Д.Житковский, К.Ю.Петухов. Использование многослойных структур на основе опаловых матриц (кубических упаковок наносфер SiO2) в качестве ненакаливаемых эмиттеров // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 1 Межрегионального семинара. Йошкар
·Ола: МарГТУ. 2003. С.28
·33.
36. М.И.Самойлович, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, Д.В.Александров. Формирование и морфологические особенности алмазных и алмазоподобных углеродных пленок // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 1 Межрегионального семинара. Йошкар
·Ола: МарГТУ. 2003. С.91
·97.
37 А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, К.Ю.Петухов. Наноструктурированные пленки алмазоподобных материалов и формирование на их основе слоистых структур // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 1 Межрегионального семинара. Йошкар
·Ола: МарГТУ. 2003. С.103
·110.
38. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов. Перспективы использования 3D слоистых структур на основе материалов с запрещенной фотонной зоной в качестве активных элементов фотодиодов // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 1 Межрегионального семинара. Йошкар
·Ола: МарГТУ. 2003. С.114
·121.
39. М.И.Самойлович, С.М.Клещева, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, М.Ю.Цветков. Исследование свойств и перспективы применения трехмерных нанокомпозитов на основе упорядоченных упаковок наносфер кремнезема. // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства электронной техники). Коллективная монография. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2003. Глава 4. С.196
·234.
40. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, К.Ю.Петухов. Формирование методами магнетронного распыления пленок алмазоподобных материалов и их применение в устройствах электронной техники // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2003. № 1, 2. С.62
·78.
41. А.Л.Каменева, В.Д.Житковский, Д.В.Александров, М.И.Самойлович. Изучение физико-химического взаимодействия на границах раздела фаз в слоистых материалах и покрытиях // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства электронной техники). Материалы IX Международной конференции. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2003. С.158
·167.
42. М.И.Самойлович, С.М.Клещева, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, М.Ю.Цветков. Исследование свойств и перспективы применения трехмерных нанокомпозитов на основе упорядоченных упаковок наносфер кремнезема // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства электронной техники). Коллективная монография. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2003. С.196
·234.
43. А.Л.Каменева, В.Д.Житковский, Д.В.Александров. Функциональные упрочняющие покрытия и проблемы наноструктурирования. // Материалы, оборудование и технологии наноэлектроники и микрофотоники. Коллективная монография. Улан
·Удэ: Изд. БНЦ СО РАН. 2003. С.293
·356.
44. А.Л.Каменева, В.Д.Александров, В.Д.Житковский. Исследование структуры тонкопленочного оксидакарбидного покрытия // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы I Межрегионального семинара. Йошкар
·Ола: МарГТУ. 2003. С.143
·149.
45. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, К.Ю.Петухов. Ненакаливаемые катоды на основе 3D материалов с запрещенной фотонной зоной (опаловые матрицы) // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-практической конференции. INTERMATIC
·2003. М.: МГИРЭА(ТУ). 2003. С.20
·22.
46. В.Д.Житковский, А.Л.Каменева, Д.В.Александров, А.С.Смагин. Методы повышения стойкости технологического инструмента, используемого при производстве радиоаппаратуры // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2003. С.58
·61.
47. М.И.Самойлович, А.Ф.Белянин, А.В.Гурьянов, С.М.Клещева, В.Д.Житковский, М.Ю.Цветков. Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO2 и применение структур на их основе в функциональной электронике // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 2 Межрегионального семинара. Калуга: МГТУ им. Н.Э.Баумана. 2004. С.6
·37.
48. А.Л.Каменева, Д.В.Александров, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, М.И.Самойлович. Структурные и морфологические особенности упрочняющих покрытий, получаемых методами магнетронного распыления и вакуумного испарения // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 2 Межрегионального семинара. Калуга: МГТУ им. Н.Э.Баумана. 2004. С.126
·168.
49. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, А.Л.Каменева. Перспективы использования 3D слоистых структур на основе материалов с запрещенной фотонной зоной в качестве активных элементов фотодиодов // Современные информационные и электронные технологии. Труды 5 Международной научно-практической конференции. Одесса: ОдНПУ. 2004. С.256.
50. М.И.Самойлович, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, А.В.Гурьянов, П.В.Пащенко. Использование многослойных структур на основе опаловых матриц (кубических упаковок наносфер SiO2) в качестве ненакаливаемых эмиттеров // Современные информационные и электронные технологии. Труды 5 Международной научно-практической конференции. Одесса: ОдНПУ. 2004. С.259.
51. М.И.Самойлович, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, А.С.Багдасарян. Наноструктурные углеродные материалы в тонкопленочной технологии // Инженерная физика. 2004. № 1. С.59
·62.
52. С.М.Клещева, В.Д.Житковский, А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, М.Ю.Цветков. Фотонные кристаллы (материалы с запрещенной фотонной зоной) на основе правильных кубических упаковок наносфер SiO2 // Технологии приборостроения. 2004. № 2 (10). С.32
·36.
53. М.И.Самойлович, С.М.Клещева, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, М.Ю.Цветков. Трехмерные нанокомпозиты на основе упорядоченных упаковок наносфер кремнезема. Часть 1 // Микросистемная техника. 2004. № 6. С.3
·7.
54. М.И.Самойлович, С.М.Клещева, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, М.Ю.Цветков. Трехмерные нанокомпозиты на основе упорядоченных упаковок наносфер кремнезема. Часть 2 // Микросистемная техника. 2004. № 7 С.2
·11.
55. М.И.Самойлович, С.М.Клещева, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, М.Ю.Цветков. Трехмерные нанокомпозиты на основе упорядоченных упаковок наносфер кремнезема. Часть 3 // Микросистемная техника. 2004. № 8. С.9
·17.
56. А.Л.Каменева, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, Д.В.Александров, А.Ф.Белянин. Использование компьютерной металлографии при исследовании структуры тонкопленочного покрытия // Высокие технологии в промышленности России и методические особенности преподавания в техническом вузе. Материалы региональной научно-практической конференции. Пермь: ПГТУ. 2004. С.117
·119.
57. А.Л.Каменева, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, Д.В.Александров, А.Ф.Белянин. Изучение физико-химического взаимодействия на границах раздела фаз в тонкопленочном покрытии, осажденным плазменным методом // Высокие технологии в промышленности России и методические особенности преподавания в техническом вузе. Материалы региональной научно-практической конференции. Пермь: ПГТУ. 2004. С.159
·162.
58. А.Л.Каменева, Д.В.Александров, В.Д.Житковский. Влияние состава и технологии формирования на свойства и применение многофункциональных покрытий на основе ZrN, TiZrN, TiBSiN // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). Материалы X Международной конференции. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.272
·291.
59. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, В.В.Жирнов. Применение молекулярно-лучевой эпитаксии для получения слоистых структур Si/CaF2 // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). Материалы X Международной конференции. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.319
·326.
60. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, Д.В.Александров, В.Д.Житковский, А.Л.Каменева. Использование термозащитных покрытий на основе AlN в электронной технике // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). Материалы X Международной конференции. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.292
·298.
61. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, Д.В.Александров, В.Д.Житковский, А.Л.Каменева. Пленки AlN как защитное покрытие измерительных датчиков // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). Материалы X Международной конференции. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.299
·301.
62. М.И.Самойлович, В.Д.Житковский. Глобальная технологическая революция или нанотехнологическая инициатива // Наука Москвы и регионов. Материалы конференции. М.: Наука. 2004. С.53
·61.
63. М.И.Самойлович, A.Ф.Белянин, C.M.Клещева, M.Ю.Цветков, В.Д.Житковский, A.B.Гурьянов. Исследование опаловых матриц и нанокомпозитов на их основе.// Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). Коллективная монография. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.259
·362.
64. Н.Т.Ключник, Г.А.Иванов, И.П.Шилов, М.Я.Яковлев, В.Д.Житковский. Оптические разветвители на основе слоевых световодных структур для систем передачи информации // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). Коллективная монография. М.: ОАО ЦНИТИ "Техномаш". 2004. С.363
·407.
65. M.I.Samoilovich, A.F.Belyanin, S.M.Kleshcheva, M.Yu.Tsvetkov, V.D.Jitkovsky, A.V.Gurianov. Investigation of opal nanocomposites for photonic applications // Nanostructures and photon crystals // High Technology In Russian Industry. Collective monograph after the materials of plenary reports of the 10th International conference. Russia. Moscow. 2004. Р.195–268.
66. А.Л.Каменева, В.Д.Житковский, Д.В.Александров, В.Ф.Маточкин. Повышение технологических и эксплуатационных свойств инструмента из быстрорежущей стали Р6М5 // Технологическое обеспечение качества машин и приборов: Всероссийская научно-практическая конференция. Пенза: ПГУ. 2004. С.33
·36.
67. А.Л.Каменева, В.Д.Житковский, Д.В.Александров, В.Ф.Маточкин. Исследование влияния параметров технологического процесса на структуру и свойства тонкопленочных упрочняющих покрытий // Технологическое обеспечение качества машин и приборов: Всероссийская научно-практическая конференция. Пенза: ПГУ. 2004. С.37
·40.
68. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, Д.В..Александров, В.Д.Житковский, А.Л.Каменева. Пленочные покрытия на основе AlN для оптических датчиков // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-практической конференции. INTERMATIC
·2004. М.: МГИРЭА(ТУ). 2004. Т. 3. С.35
·37.
69. А.А.Алтухов, В.Д.Житковский, А.Ю.Митягин, А.В.Шустров. Полиструктуры полупроводниковых химических сенсоров с чувствительными слоями резистивного типа // Труды Международной научно-технической конференции "Приборинформ-2004". Севастополь: ИРЭ РАН. 2004. С.143
·148.
70. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, Д.В.Александров, В.Д.Житковский, А.Л.Каменева. Многослойные защитные покрытия термопечатающих на основе AlN // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-практической конференции. INTERMATIC
·2004. М.: МГИРЭА(ТУ). 2004. Т. 3. С.31
·34.
71. А.А.Алтухов, В.Д.Житковский, А.М.Клочкова, А.Ю.Митягин, А.В.Шустров. Проблемы конструирования и технологии изготовления полупроводниковых газовых химических сенсоров с чувствительными слоями резистивного типа // Труды Международной научно-технической конференции "Приборинформ-2004". Севастополь: ИРЭ РАН. 2004. С.51
·56.
72. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, В.В.Жирнов. Эпитаксиальные структуры Si/CaF2: строение, применение в электронике // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 2 Межрегионального семинара. Калуга: МГТУ им. Н.Э.Баумана. 2004. С.201
·213.
73. А.Л.Каменева, Д.В.Александров, А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, М.И.Самойлович. Пленки AlN, ZrN, (Ti,Zr)N: технологические особенности формирования // Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Материалы 2 Межрегионального семинара. Калуга: МГТУ им. Н.Э.Баумана. 2004. С.232
·249.
74. В.Д.Житковский. Алмаз, АУП, AlN, ZnO и слоистые структуры на их основе в устройствах акустоэлектроники // Труды Международной научно-технической конференции "Приборинформ-2004". Севастополь: ИРЭ РАН. 2004. С.123
·128.
75. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, А.Л.Талис. Формирование алмазных и алмазоподобных углеродных пленок, пригодных для теплоотводов в микроэлектронике // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2004. № 1
·2. С.38
·47.
76. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, В.В.Жирнов. Слоистая структура Si/CaF2, сформированная методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2004. № 1
·2. С.32
·37.
77. А.А.Алтухов, В.Д.Житковский, А.Ю.Митягин, А.В.Шустров. Полиструктуры полупроводниковых химических сенсоров с чувствительными слоями резистивного типа // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2004. № 1
·2. С.72
·73.
78. А.А.Алтухов, В.Д.Житковский, А.Ю.Митягин, Л.А.Поморцев. Кремниевые нанотранзисторы // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2004. № 1
·2. С.70
·71.
79. А.Ф.Белянин, В.Д.Житковский, Н.Т.Ключник; М.И.Самойлович, М.Я.Яковлев. Оптические волноводные структуры, включающие области из Er содержащих опаловых матриц // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2004. № 1
·2. С.53
·57.
80. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский, Пащенко П.В. Использование многослойных структур на основе опаловых матриц (кубических упаковок наносфер SiO2) в качестве ненакаливаемых эмиттеров // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 2004. № 1
·2. С.48
·52.
81. А.Ф.Белянин, М.И.Самойлович, В.Д.Житковский. 3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Украина. 2005. № 1. С.17
·23.

15

Приложенные файлы

  • doc 4508283
    Размер файла: 78 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий