— — 1.9 Автомобильная электроника 1.9.1 Одноканальные контроллеры системы зажигания с функцией октан-корректора. 1.10.3 Автомобильная электроника.


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Оглавление


1

ИЗДЕЛИЯ ОБЩЕПРОМЫШЛЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ

................................
................................
..

2
-
8

1.1

Полевые
n
-
канальные транзисторы

................................
................................
................................
......

2

1.2

Диоды Шоттки

................................
................................
................................
................................
...........

3

1.3

Диоды Шоттки

с повышенной энергией лавинного пробоя E
AS

................................
......................

4

1.4

Быстровосстанавливающиеся диоды

................................
................................
................................
...

4

1.5

Силовые модули

................................
................................
................................
................................
........

4

1.6

IGBT

................................
................................
................................
................................
.............................

5

1.7

ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы

................................
................................
....................

6

1.8

Стабилизаторы напряжения

................................
................................
................................
...................

7

1.9

Автомобильная электроника

................................
................................
................................
..................

7

1.10

Изделия в стадии разработки и/или освоения

................................
................................
...................

7

1.10.1

IGBT

................................
................................
................................
................................
...................

7

1.10.2

Полевые
p
-
канальные транзисторы

................................
................................
............................

7

1.10.3

Автомобильная электроника

................................
................................
................................
.........

8

1.10.4

Трехфазный мост в пластмассовом корпусе

................................
................................
..............

8

2

ИЗДЕЛИЯ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ

................................
................................
...................

9
-
20

2.1

Полевые
n
-
канальные транзисторы

................................
................................
................................
......

9

2.2

Диоды Шоттки

................................
................................
................................
................................
.........

10

2.3

Быстровосстанавливающиеся диоды

................................
................................
................................
.

11

2.4

Однофазные мосты

................................
................................
................................
................................
.

11

2.5

Бескорпусные изделия

................................
................................
................................
...........................

12

2.6

Биполярные транзисторы

................................
................................
................................
.....................

13

2.7

ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы

................................
................................
..................

13

2.8

Изделия в стадии разработки и/или освоения

................................
................................
...................

14

2.8.1

Полевые
n
-
канальные транзисторы

................................
................................
............................

14

2.8.2

Полевые
n
-
канальные транзисторы с пониженным
R
DS
(
on
)

................................
.....................

14

2.8.3

Полевые
p
-
канальные транзисторы

................................
................................
............................

15

2.8.4

Диоды Шоттки

................................
................................
................................
................................
.

15

2.8.5

Быстровосстанавливающиеся диоды

................................
................................
..........................

15

2.8.6

Бескорпусные полевые
n
-
канальные транзисторы с пониженным
R
DS
(
on
)

...........................

15

2.8.7

Стабилизаторы напряжения
................................
................................
................................
..........

15

2.8.8

Модуль силовых ключей в металлокерамическом корпусе

................................
...................

16

2.8.9

Силовой модуль на диодах в металлостеклянном корпусе

................................
.....................

17

2.9

Интегральные микросхемы

................................
................................
................................
..................

18

2.9.1

ИС серии 106 и ОС106

................................
................................
................................
.....................

18

2.9.2

ИС серии 134 и ОС134

................................
................................
................................
.....................

18

2.9.3

ИС серии 1504 и ОС1504

................................
................................
................................
.................

18

2.9.4

ИС серии 1505 и ОС1505

................................
................................
................................
.................

19

2.9.5

ПЛИС 5576ХС1Т, 5576ХС1Т1

................................
................................
................................
........

19

2.
9.5

ИС серии 5574

................................
................................
................................
................................
...

20

3

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И БЛОКИ ПИТАНИЯ

................................
................................
.........................

20

4

ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ

................................
................................
................................
..

21


2


1

ИЗДЕЛИЯ ОБЩЕПРОМЫШЛЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ

1.1

Полевые
n
-
канальные
транзисторы

Тип

Аналог

V
DS
,
В

I
D

@
T
C
=25°
C
,
А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

Корпус

КП707А1

-

400

15
(
1
)

1

50

КТ
-
28
-
2

КП707Б1

600

10
(
1
)

2

КП707В1

800

7
(
1
)

3

КП707В2

650
-
800

6
-
9
(
1
)

2,3
-
3

КП767А

IRF620

200

5,2

0,8

КП
767
А
9

-

200

4
,
5

0
,
8

42

КТ
-
89

КП
767
Б

IRF630

200

9

0
,
4

74

КТ
-
28
-
2

(КТ
-
90)

КП
767
В
(В91)

IRF640

18

0
,
18

125

КП
767
Г

IRF624

250

4,4

1
,
1

50

КТ
-
28
-
2

КП
767
Д

IRF634

8
,
1

0
,
45

74

КП
768
А

IRF720

400

3
,
3

1
,
8

50

КП
768
А
9

-

400

2
,
8

1
,
8

42

КТ
-
89

КП
768
Б

IRF721

350

3
,
3

1
,
8

50

КТ
-
28
-
2

(КТ
-
90)

КП
768
В

IRF722

400

2
,
5

КП
768
Г

IRF723

350

КП
768
Д

IRF730

400

5
,
5

1

74

КП
768
Е

IRF731

350

КП
768
Ж

IRF732

400

1
,
5

КП
768
И

IRF733

350

КП
768
К(К
91)

IRF740

400

10

0
,
55

125

КП
768
Л

IRF741

350

10

0
,
55

125

КТ
-
28
-
2

КП
768M

IRF742

400

0
,
8

КП
768
Н

IRF743

350

КП
769
А

IRF520

100

9
,2

0
,
27

60

КП
769
А
9

-

100

7

0
,
27

42

КТ
-
89

КП
769
Б

IRF530

100

14

0
,
16

88

КТ
-
28
-
2

(КТ
-
90)

КП
769
В
(В91)

IRF540

28

0
,
077

150

КП
770
А

IRF820

500

2
,
5

3

50

КТ
-
28
-
2

КП
770
Б

IRF821

450

КП
770
В

IRF822

500

4

КП
770
Г

IRF823

450

КП
770
Д

IRF830

500

4
,
5

1
,
5

74

КП
770
Е

IRF831

450

КП
770
Ж

IRF832

500

2
,
5

КП
770
И

IRF833

450

КП770
К

-

500

8

0,85

125

КП770
Л

450

КП770
М

500

1

КП770
Н

450

КП782А

50

10

0,2

43

КП782Б

60

КП
782
В

IRFZ20

50

17

0
,
1

60

КП
782
Г

IRFZ24

60

КП
782
Д

IRFZ30

50

30

0
,
05

88

КП
782
Е

IRFZ34

60

КП790А

IRFP150

100

41

0,055

230

КТ
-
43В

КП793А

IRFP250

200

30

0,085

190

КП793Б

-

22

0,12

150

КП794А

IRFP350

400

16

0,3

190

КП795А

-

500

14

0,4

КП809А
(
А2
)

400

25
1

0,3

100 (
50
)

КТ
-
9

(КТ
-
43В)

КП809
Б(
Б2
)

500

20
1

0,6

100

КП813А
(
А2
)

200

22

0,12

125

КП813Б
(
Б2
)

18

0,18

________

1

Импульсный ток стока.


3


1.2

Диоды Шоттки

(
сборки
-

общи
й

катод
)

Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках
-

для сборки)

Тип

Аналог

I
F
(
AV
)
,

А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
А

V
RRM
,

В

I
RM

@ V
RRM
,
мА

Корпус

T
C
=25°C

T
C
=125°C

КД238АС/ЭВ

-

(2x7,5)

0,65

25

1

10
(
1
)

КТ
-
28
-
2

КД238БС/ЭВ

35

КД238ВС/ЭВ

45

КД268А(АС)

3(2x3)

0,65

25

1

10

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

[
КТ
-
90
]

КД268Б(БС)

0,75

50

КД268В(ВС)

0,85

75

КД268Г(ГС)

0,9

100

КД268Д(ДС)

0,95

150

1,5

15

КД268Е(ЕС)

1

200

2

20

КД269А(АС)
,
[
АС91
]

5(2x5)

0,65

25

1

10

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

[
КТ
-
90
]

КД269Б(БС)
,
[
БС91)

0,75

50

КД269В(ВС)
,
[
ВС91)

0,85

75

КД269Г(ГС)
,
[
ГС91)

0,9

100

КД
269
Д
(
ДС
)
,
[
Д
С91
)

(10CTQ150)

0
,
95

150

1
,
5

15

КД269Е(ЕС)
,
[
ЕС91
]

-

1

200

2

20

КД270А(АС)

7,5(2x7,5)

0,65

25

1

10

КД
270
Б
(
БС
)

(MBR1515CT)

0
,
75

50

КД
270
В
(
ВС
)

8TQ080

0
,
85

75

КД
270
Г
(
ГС
)

8TQ100

0
,
9

100

КД270Д(ДС)

-

0,95

150

1,5

15

КД270Е(ЕС)

1

200

2

20

КД271А(АС)

10(2x10)

0,65

25

1

10

КД
271
Б
(
БС
)

(MBR2045CT)

0
,
75

50

КД
271
В
(
ВС
)

(MBR2080CT)

0
,
85

75

КД
271
Г
(
ГС
)

(MBR20100CT)

0
,
9

100

КД
271
Д
(
ДС
)

(20CTQ150)

0
,
95

150

1
,
5

15

КД
271
Е
(
ЕС
)
,
[
ЕС91
]

(MBR20200CT)

1

200

2

20

КД272А(АС)

-

15(2x15)

0,7

25

1

10

КД272Б(БС)

(30CTQ045)

0,8

50

КД272В(ВС)

(30CTQ080)

0,9

75

КД272Г(ГС)

(30CTQ100)

0,95

100

КД272Д(ДС)

-

1,05

150

1,5

15

КД272Е(ЕС)
,
[
ЕС91
]

1,15

200

2

20

КД272
Ж
(
Ж
С)

1,2

250

КД272
И
(
И
С)

300

КД273А(АС)
,
[
АС91
]

20(2x20)

0,7

25

1

10

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

[
КТ
-
90
]

КД
273
Б
(
БС
)
,
[
БС91
]


(40CTQ045)

0
,
8

50

КД
273
В
(
ВС
)
,
[
ВС91
]

-

0
,
9

75

КД
273
Г
(
ГС
)
,
[
ГС91
]

(43CTQ100)

0
,
95

100

КД
273
Д
(
ДС
)
,
[
ДС91
]

(40CTQ150)

1
,
05

150

1
,
5

15

КД273Е(ЕС)
,
[
ЕС91
]

-

1,15

200

2

20

КД289А(АС)

1(2x1)

0,65

25

1

10

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

КД289Б(БС)

0,75

50

КД289В(ВС)

0,85

75

КД289Г(ГС)

0,9

100

КД289Д(ДС)

0,95

150

1,5

15

КД289Е(ЕС)

1

200

2

20

КД290А(АС)

2(2x2)

0,65

25

1

10

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

КД290Б(БС)

0,75

50

КД290В(ВС)

0,85

75

КД290Г(ГС)

0,9

100

КД290Д(ДС)

0,95

150

1,5

15

КД290Е(ЕС)

1

200

2

20

________

1

T
C

= 100°
C
.



4


1.3

Диоды
Шоттки
с повышенной
энергией лавинного пробоя
E
AS

(сборки
-

общи
й

катод)

Значения параметров приведены
для диода или диода сборки (в скобках
-

для сборки)

Тип

Аналог

V
RRM
,
В

I
F
(
AV
)
,
А

I
FSM
,
А
1

E
AS
,
мДж
2

R
thJC
,
º
C
/
Вт

V
FM

@
I
F
(
AV
)
,
В

I
RM

@
V
RRM
,
мА

Корпус

T
С
=25°С

T
С
=125°С

T
С
=25°С

T
С
=125°С

КТ
-
28
-
2

(КТ
-
90)

КД271ГС2
(
ГС
91)

MBR20100CT

100

(
2x1
0)

150

130

3,3

0,83

0,73

0,005

6

КД271ЕС2
(
ЕС
91)

-

200

120

2,5

3,3

0,89

0,79

0,005

5

КД272ЕС2
(
ЕС
91)

200

(
2x15
)

150

2,5

3

0,89

0,79

0,005

5

КД273КС
(
КС
91)

30CTQ045

(30CTQ045S)

45

(
2x3
0)

250

150

2,5

0,77

0,67

0,015

15

КД273ЛС
(
ЛС
91)

63CTQ100

100

220

130

2,5

0,90

0,80

0,015

15

КД272Д
2(
Д
91)

-

150

15

220

80

3

0,85

0,75

0,005

5

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
90)

КД273Л(Л91)

100

30

220

130

2,5

0,90

0,80

0,015

15

КД273МС3

40CPQ045

45

(
2x4
0)

320

150

2,5

0,77

0,67

0,030

30

КТ
-
43В

КД273НС3

-

100

300

130

2

0,89

0,79

0,020

15

КД273ПС3

150

280

80

2

0,95

0,85

0,015

15

КД273РС3

200

250

2,5

2

0,95

0,85

0,015

15

КД273С3

150

60

500

80

1,5

0,95

0,85

0,050

50

________

1

Однополупериодный синусоидальный импульс длительностью 10

мс, T
С
=25°С.

2

T
C

=25 °
C
,
I
AS
=2 А,
L
=10 мГн.


1.4

Быстровосстанавливающиеся

диоды
(сборки

-

общи
й

катод)

Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках
-

для сборки)

Тип

Аналог

I
F
(
AV
)
,

А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
В

V
RRM
,

В

I
RM

@ V
RRM
,
мА

t
rr
,

нс

Корпус

T
C
=25°C

T
C
=125°C

КД640А(АС)

-

8(2x8)

1,7

400

0,5

8

6
0

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

КД640Б(БС)

500

КД640В(ВС)

HFA08TB60

(HFA16TA60C)

600

КД640
Г
(
Г
С)

-

700

КД640
Д
(
Д
С)

800

КД640Е(ЕС)

550

КД640
Ж
(
Ж
С)

3

900

5

КД640И(ИС)

1000

КД640K(KC)

HFA08TB120

1200

КД640ВС
91

-

1,7

600

8

КТ
-
90

КД641А(АС)

15(2x15)

1,7

400

0,5

8

6
0

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
28
-
2)

КД641Б(БС)

500

КД641В(ВС)

HFA15TB60

(HFA30TA60C)

600

КД641
Г
(
Г
С)

-

700

КД641
Д
(
Д
С)

800

КД641Е(ЕС)

550

КД641
Ж
(
Ж
С)

1,3

400

КД641
АС91

(2х15)

1,7

400

КТ
-
90

КД641
БС91

500

КД641
ВС91

600

КД644А(АС)

25(2x25)

1,05

200

0,5

10

5
0

КТ
-
28
-
1

(КТ
-
43В)

КД644Б(БС)

1,2

300

60

КД644В(ВС)

1,
3

400

КД644Г(ГС)

1,7

500

75

КД644Д(ДС)

550

КД644Е(ЕС)

HFA25TB60

600

КД644
Ж
(
Ж
С)

-

700


1.5

Силовые модули

1.5.1

Силовые модули на полевых транзисторах

Тип

Аналог

V
DS
,
В

I
D
,

А

I
DM
,

А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

R
thJC
, ºC/
Вт

Корпус

МТКП1
-
200
-
0,
55

-

55

200

600

0,001

500

0,25

TO
-
24
4

Мод
.
1

МТКП1
-
150
-
0,6

IRFK4H054

60

150

450

0,008

400

0,31

МТКП1
-
200
-
0,6

-

200

600

0,005

500

0,25

МТКП1
-
80
-
2

IRFK4H250

200

80

240

0,0
22

40
0

0,31

МТКП1
-
100
-
2

-

100

300

0,0
17

500

0,25

МТКП1
-
50
-
4

IRFK4H350

400

50

150

0,075

400

0,31

МТКП1
-
70
-
4

-

70

210

0,05

500

0,25

МТКП1
-
36
-
5

IRFK4H450

500

36

108

0,15

40
0

0,31

МТКП1
-
50
-
5

-

50

150

0,1

500

0,25


5


1.5.2

Силовые модули на диодах Шоттки

Значения параметров приведены для диода или элемента модуля (в
скобках
-

для модуля)

Тип

Аналог

V
RRM
,

В

I
F
(
AV
)
,

А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
В

I
RM

@ V
RRM
,
мА

R
thJC
,
ºC/
Вт

Корпус

T
C
=25°C

T
C
=1
00
°C

МД4
-
200
-
0,5

-

50

100(2x100)

0,75

3

40

(0,4)

TO
-
244

Мод.2

Изолированный

МД4
-
200
-
0,75

75

0,8

(0,45)

МД4
-
200
-
1

203CMQ100

100

0,9

(0,4)

МД4
-
200
-
1,5

209CMQ150

150

1

МД4
-
200
-
2

-

200

1,15

(0,25)

МД4
-
240
-
2

120(2
х
120)

1.2

0,15

3

(
0,45
)

МД4
-
360
-
2

180(2x180)

1,1

(0,
35
)

МПД4
-
240
-
0,5

50

120(2x120)

0,75

4

40

(0,25)

TO
-
244

Мод.3

Неизолированный

МПД4
-
240
-
0,75

75

0,8

МПД4
-
240
-
1

203CNQ100

100

0,9

МПД4
-
240
-
1,5

209CNQ150

150

1

МПД4
-
240
-
2

-

200

1,
15

3

40

0,5

МПД4
-
240
-
3

300

1,2

МПД4
-
150
-
3

75(2x75)

1,3

0,7

МПД1
-
120
-
0,5

50

120

0,75

4

40

0,4

D
-
67

МПД1
-
150
-
0,5

150

5

50

МПД1
-
180
-
0,5

180

6

60

0,3

МПД1
-
120
-
0,75

75

120

0,8

4

40

0,4

МПД1
-
150
-
0,75

150

5

50

МПД1
-
180
-
0,75

180

6

60

0,3

МПД1
-
120
-
1

123NQ100

100

120

0,9

4

40

0,4

МПД1
-
150
-
1

-

150

5

50

МПД1
-
180
-
1

183NQ100

180

6

60

0,3

МПД1
-
120
-
1,5

129NQ150

150

120

1

4

40

0,4

МПД1
-
150
-
1,5

189NQ150

150

5

50

МПД1
-
180
-
1,5

-

180

6

60

0,3

МПД1
-
120
-
2

200

120

1,15

3

40

0,4

МПД1
-
150
-
2

150

0,35

МПД1
-
180
-
2

180

6

60

0,3

МПД1
-
240
-
2

240

1,1

0,15

10

0,3

МПД1
-
360
-
2

360

0,25


1.5.3

Силовые модули на
быстровосстанавливающихся
диодах

Значения параметров приведены для диода или элемента модуля (в скобках
-

для модуля)

Тип

Аналог

V
RRM
,

В

I
F
(
AV
)
,

А

V
FM
@ I
F(AV)

T
J
=25°C,
В

I
RM

@ V
RRM

T
J
=25°C,
мА

t
rr
,

нс

R
thJC
,
ºC/
Вт

Корпус

МДЧ
4
-
120
-
4
-
А
6

HFA120MD40C

400

60(2x60)

1
,
3

0
,
5

100

(0
,
5)

TO
-
244

Мод.2

Изолированный

МДЧ
4
-
160
-
4
-
А
6

HFA160MD40C

80(2x80)

0
,
75

(0
,
45)

МДЧ
4
-
200
-
4
-
А
6

HFA200MD40C

100(2x100)

1

(0
,
4)

МДЧ
4
-
100
-
6
-
А
6

HFA100MD60C

600

50(2x50)

1,5

0
,
5

0
,
9

МДЧ
4
-
140
-
6
-
А
6

HFA140MD60C

70(2x70)

1,4

0
,
75

(0
,
45)

МДЧ
4
-
180
-
6
-
А
6

HFA180MD60C

90(2x90)

1
,
3

0,5

0
,
8

МПДЧ4
-
200
-
4
-
А6

-

400

100(2x100)

1,3

0,5

(0,45)

TO
-
244

Мод.3

Неизолированный

МПДЧ4
-
200
-
6
-
А6

600

1,
5

(0,5)

МПДЧ1
-
75
-
4
-
А6

400

75

1,3

0,5

0,
6

D
-
67

МПДЧ1
-
90
-
4
-
А6

HFA90NH40

90

0,75

0,35

МПДЧ1
-
100
-
4
-
А6

-

100

0,5

0,
5

МПДЧ1
-
75
-
6
-
А6

HFA70NH60

600

75

1,5

0,5

0,
6

МПДЧ1
-
90
-
6
-
А6


90

0,
7
5

0,
3
5

МПДЧ1
-
100
-
6
-
А6

HFA105NH60

100

0,5

0,
5

МПДЧ1
-
90
-
7
-
А6

-

700

90

1,7

0,75

0,35

МПДЧ1
-
60
-
10
-
Р5

1000

60

1,6

1

200

0,6


1.6

IGBT

Тип

Аналог

V
CSE
,
В

I
C
, А

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

Корпус

T
C
=25°C

T
C
=100°C

КЕ705
А

IRGB14C40L

370

18

14

100

КТ
-
28
-
2

КЕ705
Б

-

330

КЕ705
В

HGTP14N40F3VL

370

КЕ705
Г

-

330

6


1.7

ВЧ и СВЧ
м
ощные биполярные транзисторы

1.7.1

Транз
исторы для подвижных средств рад
иосвязи

Тип

Аналог

f,
МГц

P
OUT
,

Вт

V
CC
,
В

G
Pmin
,
дБ

η, %

Корпус

КТ929
А(А1)

-

50÷175

2

8

10
(9)

60
(55)

КТ
-
17

(КТ
-
15)

КТ920
А

12.6

8.5

КТ920
Б

2N6080

5

6

КТ920
В

2N6081, 2N5590

20

5

КТ
958
А

BM40
-
12

40

6

50

КТ
-
32

КТ925
А

-

100÷320

2

8

60

КТ
-
17

КТ925
Б

7

6

КТ
925
В

2N5590

20

5

КТ
960
А

-

100÷400

40

4

КТ
-
32


1.7.2

Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи

Тип

Аналог

f,
МГц

P
OUT
,
Вт

V
CC
,
В

G
Pmin
,
дБ

η, %

Корпус

КТ
922
А

2N5641

50÷175

5

28

10

55

КТ
-
17

КТ
922
Б

2N5642

20

7
,
5

КТ
922
В

2N5643

40

6

КТ
931
А

2N6369

80

5
,
5

50

КТ
-
32

КТ
971
А

-

150

5

55

КТ
-
56

КТ
907
А

2N3733

100÷400

9

3

40

КТ
-
4

КТ
934
А

2N5635, 2N6202

3

8

50

КТ
-
17

КТ
934
Б

2N5636,
2N6203

12

6

КТ
934
В

2N5637

25

5

КТ
930
А

2N6362

40

7

50

КТ
-
32

КТ
930
Б

2N6364

75

5
,
5

КТ970А

-

100

6

КТ
-
56

КТ985АС

220÷400

125

5,5

КТ
-
45

КТ
909
А

2N5177

100÷500

20

3

45

КТ
-
15

КТ909Б

-

40

3

КТ9105АС

100

5

50

КТ
-
45

КТ9104А

350÷700

5

9

40

КТ
-
42

КТ9104Б

20

8,5

50

КТ991АС

55

7,8

KT
-
44

КТ9101АС

100

5,5

КТ911А

400÷1800

0.8

3

25

Аналог

Mt
-
62

КТ911Б

400÷1000

0.8

3

30

КТ
962
А

D10
-
28

10

6

36

КТ
-
17

КТ
962
Б

DM20
-
28

20

5
,
5

40

КТ
962
В

DM40
-
28

40

5

КТ
976
А

-

60

3

45


1.7.3

Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры

Тип

Аналог

f,
МГц

P
OUT(Pulse)
,
Вт

V
CC
,
В

G
Pmin
,
дБ

Импульс

Корпус

τ,
мкс

Q

КТ
984
А

MSC1075M

720÷820

75

50

7

10

100

КТ
-
42

КТ
984
Б

MSC1250M

250

6

КТ
9109
А

MSC1550M

500

5.5


1.7.4

Линейные транзисторы для УКВ ЧМ и телевизионного вещания

Тип

Аналог

f,
МГц

P
OUT(PEP)
,
Вт

G
Pmin
,
дБ

M
3
,
дБ

Импульс

Корпус

V
C
,
В

I
C
,
А

КТ
983
А

BLX
-
96

40÷860

0
,
5

6

-
60

25

0
,
2

КТ
-
17

КТ983
Б

-

1,5

5,5

0,35

КТ983
В

3,5

5

0,8

КТ9116
А

170÷230

5

14

-
58

28

1,2

КТ
-
56

КТ9116
Б

15

10

-
55

2,6


7


1.8

Стабилизаторы напряжения

(
в корпусе КТ
-
28
-
2)

Тип

Аналог

V
OUT
,
В

K
V
, %/В

K
I
, %/А
@ I
OUT

1,0 А

1,5 А

2,0 А

фиксированного напряжения
положительной полярности

КР142ЕН5А
,51А

VC7805

5±0,1

0,05

-

1,33

-

КР142ЕН5Б
,51Б

VC7806

6±0,12

КР142ЕН5В
,51В

VC7805

5±0,18

-

-

1,0

КР142ЕН5Г
,51Г

VC7806

6±0,21

КР142ЕН8А
,81А

VC7809

9±0,27

-

0,67

-

КР142ЕН8Б
,81Б

VC7812

12±0,36

КР142ЕН8В
,81В

VC7815

15±0,45

КР142ЕН8Г
,81Г

VC7809

9±0,36

0,1

1,5

-

КР142ЕН8Д
,81Д

VC7812

12±0,48

КР142ЕН8Е
,81Е

VC7815

15±0,60

КР142ЕН9А
,91А

VC7820

20±0,40

0,05

-

0,67

КР142ЕН9Б
,91Б

VC7824

24±0,48

КР142ЕН9В
,91В

VC7827

27±0,54

КР142ЕН9Г
,91Г

VC7820

20±0,60

0,1

1,5

-

КР142ЕН9Д
,91Д

VC7824

24±0,72

КР142ЕН9Е
,91Е

VC7827

27±0,81

КР142ЕН9К
,91К


1,5

регулируемые положительной полярности

КР142ЕН12А

LM317T

1
,
2÷37

0,01

-

0,2

-

КР142ЕН12Б

0,03

0,2

-

регулируемые отрицательной
полярности

КР142ЕН18А

LM337T

-
1
,

-
26
,
5

0,03

0,
33

-

-

КР142ЕН18Б

-

0,
33

________

1
T
amb
(
-
45÷70) º
C

для КР142ЕН5А
-
Г, КР142ЕН8А
-
Е, КР142ЕН9А
-
К.

2
T
amb
(
-
45÷125) º
C

для КР142ЕН51А
-
Г, КР142ЕН81А
-
Е, КР142ЕН91А
-
К.

3
T
amb
(
-
10÷70) º
C

для КР142ЕН12А,Б и КР142ЕН18А,Б.


1.9

Автомобильная электроника

1.9.1

Одноканальные контроллеры системы зажигания

с функцией октан
-
корректора

Тип

V
(13
-
1)S
, мВ

I
IL5
, мкА

δ
I
REC
, %

δ
t
D
, %

t
SS
, с

T
amb
, ºC

Корпус

K1055
ХП
1
АР

290≥350

-
420≥
-
250

δ
I
REC1
, %

2

15

0,4

1,8


-
60÷
125

DIP
-
16

K1055
ХП
1
АТ

90≥98

SO
-
16J


1.9.2

Двухканальный контроллер системы зажигания

Тип

V
OL
, В

V
OH
, В

V
K
, В

T
amb
, ºC

Корпус

КР1055
ВЮ
1
Т

0,7

6,0

23,5

31

-
45÷1
40

SO
-
16L


1.9.3

Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (
n
-
p
-
n
)

Параметры при
T = 25ºC

Тип

Аналог

P
Cmax
,
Вт

V
(br)CES
,
В

I
Cmax
,
А

h
21E

V
CEsat
,
В

I
CE
O
,
мА

f
T
,
МГц

Корпус

КТ8232
А
1

BU941

125

350

20

�300

1
,
8 @

(I
C
=8
А
,

I
B
=0
,
1
А
)

0.1

10

КТ
-
43В

КТ8232
Б
1

-

300

КТ8232
А2

350

КТ
-
28
-
2

КТ8232
Б2

300


1.10

Изделия в стадии разработки и/или освоения

1.10.1

I
GBT

Тип

Аналог

V
CSE
,
В

I
C
, А

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

Корпус

T
C
=25°C

T
C
=100°C

Прорыв1

IXGH16N170

≥1500

30

16

200

КТ
-
43В

Прорыв

IXGH16N170AH1

≥1700

20

10


1.10.2

Полевые
p
-
канальные транзисторы

Тип

Аналог

V
DS
,
В

I
D

@
T
C
=25°
C
, А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

Корпус

КП7229А

IRF5210

-
100

-
40

0
,055

150

КТ
-
28
-
2

КП7229Б

0,060


8


1.10.3

Автомобильная электроника

ИС К1055ХВ9Р
,

К1055ХВ10Р
(
DIP
-
8) и К1055ХВ9Т
,

К1055ХВ10Т
(
SO
-
8)
-

управление реле поворотов

и аварийной
сигнализации
:

-

питание 12

В при использовании резистора
R
ВН
=22
0

и 470

Ом

(ИС К1055ХВ9Р и К1055ХВ9Т)
;

-

питание 24

В
(ИС К1055ХВ10Р и К1055ХВ10Т)
;

-

компаратор обнаружения обрыва лампы;

-

защита от выбросов генер
атора;

-

защита от выбросов с катушки реле;

-

фильтр ЭМИ;

-

дежурный режим;

-

возможность выдерживать напряжение двойной батареи;

-

низкий ток потребления;

-

температур
а окружающей среды от
-
40 до 125

°
C
;

-

совместимость, вывод в вывод, с
VG
2043,
U
6043,
UA
A
1041
B
/
A
,
L
9686, КР1055ГП1,
IL
33193
N
/
D

(ИС К1055ХВ9Р и
К1055ХВ9Т)
.


1.10.4

Трехфазный мост в пластмассовом корпусе

Параметр

Обозначение

Норма

Температура
корпуса,

С

Максимально допустимое постоянное напряжение сток
-
исток
транзистора, В

U
СИ
max

55÷100

25

10
,
125

5

Максимально допустимое постоянное напряжение затвор
-
исток
транзистора, В

U
ЗИ
max


20

-

Максимально допустимый постоянный ток стока транзистора, А

I
С
max

55÷160

25

10

Сопротивление сток
-
исток в открытом состоянии транзистора,
мОм

R
C
И.отк

3,0÷3,3

Тепловое сопротивление кристалл
-
корпус,

С/Вт

R
Т

кр
-
к

1
,0

-

Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А

I
пр
max

55
÷
130

25

10

Параметры изделий по заказу потребителей


9


2

ИЗДЕЛИЯ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ

2.1

Полевые
n
-
канальные
транзисторы

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

ТУ

V
DS
,
В

I
D

@T
C
=25°C
, А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт



Транзисторы в металлопластмассовых корпусах

2П767А

IRF
620

200

5

0,8

50

КТ
-
28
-
2

(
TO
-
220AB
)

АЕЯР.432140.220
ТУ

2П767В

IRF
640

16

0,18

100

2П767Е
1

-

2П768А

IRF
720

400

3

1,8

55

2П768К

IRF
740

9

0,55

125

2П769А

IRF
520

100

8,5

0,27

50

2П769Г
1

-

2П769В

IRF
540

25

0,077

100

2П767А9

IRFR
220

200

4,5

0,8

42

КТ
-
89

(
D
-
Pak
)

2П768А9

IRFR
320

400

2,8

1,8

2П769А9

IRFR
120

100

7

0,27

2П767
В
91

IRF640S

200

16

0,18

100

КТ
-
90

(
D
2
-
Pak
)

2П768
К
91

IRF740S

400

9

0,55

125

2П769
В
91

IRF540S

100

25

0,077

100

2П790А

IRFP
150

35

0,055

150

КТ
-
43В

(
TO
-
247
)

2П793А

IRFP
250

200

27

0,085

155

Транзисторы в
металлокерамических корпусах

2П707Б

-

600

3,6

2

100

КТ
-
56

2

2П767В3

200

16

0,18

100

АЕЯР.432140.273

ТУ

2П767В92

IRFN240

16

0,18

КТ
-
94

(SMD
-
1)

2П769В92

IRFN140

100

25

0,077

2П770К
92

IRF440

500

8

0,85

2П790А
92

IRF150

100

35

0,055

150

2П793А
92

IRF250

200

27

0,085

2П794А
92

IRF350

400

15

0,3

2П795А92

IRFN450

500

14

0,4

2П707В2

IRFPE
30

800

4,1

3

125

КТ
-
28А
-
2.01


2П767В2

IRFY240C

200

16

0,18

100

2П769В2

IRFY140C

100

14

0,077

75

2П770К2

IRFY440C

500

8

0,85

100

2П782Ж2

IRFM054

60

16

0,040

2П790А4

IRFM150

100

30

0,055

120

КТ
-
43А
-
1.01

2П793А4

IRFM
250

200

25

0,085

130

2П795А4

IRFM
450

500

14

0,4

150

Транзисторы в металлостеклянных корпусах

2П767В1

IRF240

200

16

0,18

100


КТ
-


(
TO
-
204AA
)

АЕЯР.432140.273ТУ

2П769В1

IRF140

100

25

0,077

2П770К1

IRF440

500

8

0,85

2П782Ж1

IRF044

60

45

0,028

125

2П790А1

IRF150

100

35

0,055

150

2П793А1

IRF250

200

27

0,085

2П793Б1

IRF240

20

0,12

125

2П794А1

IRF350

400

15

0,3

150

2П794Б1

IRF350

10

0,
4

100

2П795А1

IRF450

500

14

0,4

150

2П795Б1

IRF440

10

0,6

125

Транзисторы с датчиком тока в металлокерамических корпусах

2П7146А

IRC530

100

14

0,16

65

КТ
-
56А

АЕЯР.432140.294
ТУ

2П7146Б

IRC
630

200

9

0,4

2П7146В

IRC634

250

8,1

0,45

2П7147А

IRC540

100

25

0,077

100

2П7147Б

IRC640

200

16

0,18

2П7147В

IRC
644

250

14

0,28

________

1

V
GS
(
th
)

= (1,5÷2,7)

В
, для остальных
-

(1,5÷6,0)

В
.

2

АЕЯР
.432140.160

ТУ
.



10


2
.2

Диоды Шоттки

Значения параметров приведены для диода или диода
сборки,
в скобках
-

для сборки

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

ТУ

I
F
(
AV
)
, А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
В

V
RRM
, В

I
RM

@
V
RRM
, мА

T
C
=25°C

T
C
=125°C

Дио
ды Шоттки (сборки
-

общий катод) в металлопластмассовых корпусах

АЕЯР.432120.217ТУ

2Д269АС[АС91]

-

(
2x
5)

0,65

25

0,5

5,5

КТ
-
28
-
2

(TО
-
220A
B
)

[КТ
-
90 (
D
2
-
Pak
)]

2Д269БС[БС91]

0,75

50

7,5

2Д269ВС[ВС91]

0,85

75

10

2Д269ГС[ГС91]

0,9

100

10

2Д269ДС[ДС91]

0,95

150

8,0

2Д269ЕС[ЕС91]

1,0

200

10

2Д273АС[АС91]

(
2x
20)

0,7

25

0,5

8,0

2Д273БС[БС91]

0,8

50

0,1

10

2Д273ВС[ВС91]

0,9

75

0,5

6,5

2Д273ГС[ГС91]

0,95

100

0,1

10

2Д273ДС[ДС91]

1,05

150

0,5

8,0

2Д273ЕС[ЕС91]

1,15

200

0,5

6,0

2Д290АС[АС9]

(
2x
2)

0,65

25

0,5

7,5

КТ
-
28
-
2

(
T
О
-
220
AB
)

[КТ
-
89 (
D
-
Pak
)]

2Д290БС[БС9]

0,75

50

0,1

4,5

2Д290ВС[ВС9]

0,85

75

0,5

6,5

2Д290ГС[ГС9]

0,9

100

4,5

2Д290ДС[ДС9]

0,95

150

5,5

2Д290ЕС[ЕС9]

1,0

200

6,0

Диоды Шоттки (сборки
-

общий катод) в металлокерамических корпусах

2Д273АС2

-

(2х20)

0,7

25

1

10

КТ
-
28А
-
2.01


2Д273БС2

0,8

50

2Д273ВС2

0,9

75

2Д273ГС2

0,95

100

2Д273ДС2

1,05

150

1,5

15

2Д273ЕС2

1,15

200

2,0

20

2Д272Е1

15

1,1

200

1

15

КТ
-
32А

2Д272И1

1,15

300

20

2ДШ2123А94

IN5817

1

0,45

20

1

10

T
C
=1
00
°
C

КТ
-
93

(
SMD
-
0
.
5
)

АЕЯР.432120.297ТУ

2ДШ2123Б94

IN5819

0,6

40

2ДШ2123В94

10BQ015

0,34

15

0,5

12

2ДШ21
23Г94

10BQ040

0,53

40

0,4

4

2ДШ2123Д94

10BQ100

0,78

100

0,5

12,5

2ДШ2124А94

31DQ03

3,3

0,55

30

3

25

2ДШ2124Б94

31DQ04

0,55

40

2ДШ2124В94

31DQ06

0,58

60

1

30

2ДШ2124Г94

31DQ10

0,85

100

10

2ДШ2125А92

50SQ080

5

0,66

80

0,55

7

КТ
-
94

(
SMD
-
1)

2ДШ2125Б92

50SQ100

0,66

100

2ДШ2125В92

8TQ100

8

0,72

100

2ДШ2125ГС92

30
CPQ
060

(
2х15
)

0,6

60

0,8

45

2ДШ2125ДС92

30
CPQ
100

0,86

100

0,55

7

2ДШ2126АС92

30
CPQ
150

1

150

0,1

15

2ДШ2126БС92

MBR
20200
CT

(
2х10
)

0,9

200

1

50

2ДШ2134АС4

63
CPQ
100

(2х30)

0,87

100

0,3

25

КТ
-
43А
-
1.01

11


2.3

Быстровосстанавливающиеся

диоды

Значения параметров приведены для диода или диода сборки
,
в скобках
-

для сборки

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

ТУ

I
F
(
AV
)
, А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
В

V
RRM
, В

I
RM

@
V
RRM
, мА

t
rr
, нс

T
C
=25°C

T
C
=125°C

Быстровосстанавливающиеся

диоды (сборки
-

общий катод) в металлопластмассовых корпусах

АЕЯР.432120.223ТУ

2Д640ВС[ВС91]

HFA16TA6
0
C

(
2x8
)

1,7

600

0,5

8

60

КТ
-
28
-
2

(TО
-
220AВ)

[КТ
-
90

(
D
2
-
Pak
)]

2Д6
41АС[АС91]

HFA30TA
6
0
C

(2x15)

400

2Д641БС[БС91]

-

500

2Д641ВС[ВС91]

600

2Д663АС9

(
2x
1)

1,5

600

0,1

1

КТ
-
89 (
D
-
Pak
)

Быстров
осстанавливающиеся

диоды (сборки
-

общий катод) в металлокерамических корпусах

2Д641В1

-

15

1,7

600

0,1

3

60

КТ
-
32А

2Д640ВС2

(2х8)

1,7

600

0,5

8

60

КТ
-
28А
-
2.01

2Д675А94

10BF40

1

1,4

400

0,01

0,5

(
T
C
=1
00
°
C
)

50

КТ
-
93

(
SMD
-
0.
5
)

АЕЯР.432120.29
6ТУ

2
Д676А94

30BF40

3

2Д677А92

APT15D40K

15

1,
5

0,15

3

50

КТ
-
94

(
SMD
-
1)

2Д677Б9
2

APT15D60K

15

1,
8

600

2Д678АС93

RURG3020

(
2х30
)

1

200

0,25

5

45

КТ
-
95

(
SMD
-
2)

2Д678БС93

30
EPF
06

(
2х30
)

1,41

600

0,15

160


2.4

Однофазные мосты
на основе мощных высоковольтных выпрямительных диодов (АЕЯР.432170.503ТУ)

Тип

Аналог

V
RRM
,
В

I
F
(
AV
)
, А

V
FM

@
I
F
(
AV
)

T
С
=25°С
,
В

I
RM

@
V
RRM
,
мА

R
thJC
, º
C
/Вт

t
rr
, нс

Корпус

T
С
=25°С

T
С
=125°С

2М142А

DB104S

400

1

1,0

0,05

0,1

1
8

120

КТ
-
108
-
1

2М143А

DB105S

600

2М144А

PKR40F

400

10

1,2

0,1

1,5

3
,5

КТ
-
109
-
1

2М145А

PKR60F

600



КТ
-
108
-
1
,
металлокерамический

КТ
-
109
-
1
,
металлокерамический

12


2.5

Бескорпусные изделия

Полевые
n
-
канальные
транзисторы

Диоды

Тип

Параметры

(
T
amb
=25°
C
)

ТУ

Тип

Параметры (
T
amb
=25°
C
)

ТУ

V
DS
, В

R
DS
(
on
)
, Ом

V
FM

@
I
F
=1А,

В

V
RRM
, В

I
RM

@ V
RRM
,
мА

2П767А
-
5

200

0,8

АЕЯР.432140.

220 ТУ

2П767Е
-
5
1

0,18

Диоды Шоттки

2П768А
-
5

400

1,8

2Д269А
-
5

0,5

29

0,09

АЕЯР.432120.217ТУ

2П768К
-
5

0,55

2Д269Б
-
5

0,55

55

2П769А
-
5

100

0,27

2Д269В
-
5

0,6

83

2П769В
-
5

0,077

2Д269Г
-
5

0,62

110

2П769Г
-
5
1

0,27

2Д269Д
-
5

0,68

163

2П790А
-
5

0,055

2Д269Е
-
5

0,71

215

2П793А
-
5

200

0,085

2Д290А
-
5

0,55

29

2П707Б
-
5

600

2,0

АЕЯР.432140.273 ТУ

2Д290Б
-
5

0,64

55

2П707В
-
5

800

3,0

2Д290В
-
5

0,72

83

2П767В
-
5

200

0,18

2Д290Г
-
5

0,78

110

2П770К2
-
5

500

0,85

2Д290Д
-
5

0,81

163

2П782Ж2
-
5

60

0,04

2Д290Е
-
5

0,86

215

2П794А
-
5

400

0,3

2Д272И1
-
5

0,75

325

0,15

2П795А4
-
5

500

0
,4

2
Д273А2
-
5

0,48

29

0,8

2П795Б
-
5

0,6

2
Д273Б2
-
5

0,5

55

2П7146А
-
5

104

0,15

АЕЯР.432140.

294 ТУ

2
Д273В2
-
5

0,52

83

2П7146Б
-
5

208

0,36

2ДШ2123А
-
5

0,42

24

0,35

АЕЯР.432120.297ТУ

2П7146В
-
5

260

0,41

2ДШ2123Б
-
5

0,56

45

2П7147А
-
5

104

0,075

2ДШ2123В
-
5

0,318

19

2П7147Б
-
5

208

0,17

2ДШ2123Г
-
5

0,49

45

0,3

2П7147В
-
5

260

0,25

2ДШ2123Д
-
5

0,74

110

0,07

________

1

V
GS
(
th
)

= (1,5÷2,7)

В
, для остальных
-

(1,5÷6,0)

В
.

2ДШ2124А
-
5

0,45

34

0,3


2ДШ2124Б
-
5

45


2ДШ2124В
-
5

0,47

66


2ДШ2124Г
-
5

0,61

110

0,07

2ДШ2125А
-
5

0,52

89

0,15

2ДШ2125Б
-
5

110

2ДШ2125В
-
5

2ДШ2125Г
-
5

0,44

66

0,3

2ДШ2125Д
-
5

0,52

110

0,15

2ДШ2126А
-
5

0,57

165

0,07

2ДШ2126Б
-
5

0,65

218

2ДШ2134А
-
5

0,7

110

0,1

Быстровосстанавливающиеся диоды

2Д640В
-
5

1,1

645

0,08

АЕЯР.432120.

223ТУ

2Д641А
-
5

1,38

435

2Д641Б
-
5

540

2Д641В1
-
5

0,95

640

2Д663А
-
5

1,38

645


675А5
-
5

1,26

440

0,005

*


676А5
-
5

1,11


678А5
-
5

0,7

220

0,05


678Б5
-
5

0,8

645

0,02

________

*

АЕЯР.432120.296 ТУ



13


2.6

Биполярные транзисторы

Тип

Аналог

Тип

P
Cmax
,
Вт

V
CER
,
В

I
Cmax
,
А

h
21E

V
CEs
а
t
,
В

I
CBO
,
мА

f
T
,
МГц

Корпус

(аналог)

2Т301Г

-

n
-
p
-
n

0,15

30

0,06

10
÷
32

3 @

(I
C
=10мА


I
B
=1мА)

0,005

60

КТЮ
-
3
-
1

2Т301Д

2N1390

20
÷
60

2Т301E

-

20

0,06

40
÷
120

2Т301Ж

80
÷
300

2Т312А

0,225

30

0,06

12
÷
100

0,5 @

(I
C
=20мА,

I
B
=2мА)

0,0
0
1

80

2Т312Б

25
÷
100

120

2Т312В

50
÷
250

0,35 @

(I
C
=20мА,

I
B
=2мА)

2Т312Д

0,06

12

0,008

20
÷
100

-

0,001

-

П307

-

0,25

80

0,03

20
÷
60

-

0,003

10

КТЮ
-
3
-
6

П307В

50
÷
150

П308

120

30
÷
90

П309

20
÷
60

2Т602А

2,8

120

0,15

20
÷
180

3
@

(I
C
=50мА,

I
B
=5мА)

0,01

100

КТЮ
-
3
-
9

2Т602Б

50
÷
200

2Т903А

2SC517

30

60

3

15÷70

[email protected]

(I
C
=2А


I
B
=0,4А)

2

120

КТЮ
-
3
-
20

2Т903Б

2N2947

40÷180

[email protected]

(I
C
=2А


I
B
=0,4А)

2Т837А

-

p
-
n
-
p

30

80

8

�15

0,9 @

(I
C
=3А,

I
B
=0,37А)

0,15

5

КТ
-
28
-
2

(TО
-
220A
B
)

2Т837Б

60

�30

2Т837В

45

�40

2Т837Г

80

�15

2Т837Д

60

�30

2Т837E

45

�40

1H
Т
251

2N3903

4

n
-
p
-
n

тр
-
ра

0
,
4

45

0
,
4

3
÷
0150

1 @

(I
C
=0
,
4
А
,

I
B
=0
,
0
8
А
)

0
,
0
0
6

200

401.14
-
6

1H
Т
251
А

-


690
АС

2N4123

0
,
3

50
÷
150

0
,
8 @

(I
C
=0
,
25
А
,

I
B
=0
,
0
5
А
)

0
,
005

300


С
622
А

2N3905

4

p
-
n
-
p

тр
-
ра

0
,
4

25
÷
150

1
,
3 @

(I
C
=0
,
4
А
,

I
B
=0
,
0
8
А
)

0
,
01

200


С
622
Б

-


689
АС

2N3799

0
,
3

50
÷
150

1 @

(I
C
=0
,
25
А
,

I
B
=0
,
0
5
А
)

0
,
0
0
7

300


2.7

ВЧ и СВЧ мощные
биполярные транзисторы

2.7.1

Транз
исторы для подвижных средств рад
иосвязи

Тип

Аналог

f,
МГц

P
OUT
,
В
т

V
CC
,
В

G
Pmin
,
дБ

η, %

Корпус

2Т929А

-

50÷175

2

8

10

60

КТ
-
17

2Т920А

12,6

8,5


920
Б

2N6080

5

6


920
В

2N6081

20

5


958
А

BM40
-
12

40

6

50

КТ
-
32

2Т925А

-

100÷320

2

8

60

КТ
-
17

2Т925Б

7

6

2Т925В

2N5590

20

5

2Т960А

-

100÷400

40

4

КТ
-
32


2.7.2

Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры

Тип

Аналог

f, МГц

P
OUT(Pulse)
, В
т

V
CC
,
В

G
Pmin
,
дБ

Импульс

Корпус

τ,
мкс

Q

2Т984
А

MSC1075M

720÷820

75

50

7

10

100

КТ
-
42

2Т984
Б

MSC1250M

250

6

2Т9109
А

MSC1550M

500

5,5



14


2.7.3

Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи

Тип

Аналог

f,
МГц

P
OUT
,
В
т

V
CC
,
В

G
Pmin
,
дБ

η, %

Корпус


922
А

2N5641

50÷175

5

28

10

55

КТ
-
17


922
Б

2N5642

20

7
,
5


922
В

2N5643

40

6


931
А

2N6369

80

6

50

КТ
-
32


971
А

-

150

5

55

КТ
-
56

2Т907А

2N3733

100÷400

8

3

40

КТ
-
4

2Т934А

2N5635, 2N6202

3

8

50

КТ
-
17

2Т934Б

2N5636, 2N6203

12

6

2Т934В

2N5637

25

5

2Т930А

2N6362

40

7,5

50

КТ
-
32

2Т930Б

2N6364

75

6

2Т970А

-

100

6

КТ
-
56

2Т970
Б

7,6

2Т985АС

220÷400

125

5,5

КТ
-
45

2Т909А

2N5177

100÷500

17

3

45

КТ
-
15

2Т909Б

-

35

3

2Т9105АС

100

5

50

КТ
-
45

2Т91
2
5АС

50

6

2Т9104А

350÷700

5

9

40

КТ
-
42

2Т9104Б

20

8,5

50

2Т991АС

55

7,8

KT
-
44

2Т9101АС

100

5,5

2Т911А

400÷1800

0,8

3

25

Аналог

Mt
-
62

2Т911Б

400÷1000

0,8

3

30


962
А

D10
-
28

10

6

36

КТ
-
17


962
Б

DM20
-
28

20

5
,
5

40


962
В

DM40
-
28

40

5

2Т976А

-

60

3

45

2Т91
32
АС

350
÷
700

140

30

5,5

55

KT
-
44


2.8

Изделия в стадии разработки и/или освоения

2.8.1

Полевые
n
-
канальные транзисторы

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

V
DS
,
В

I
D

@T
C
=25°C
, А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

2П767В7

IRFY240C

200

16

0,18

100

КТ
-
97В
-
1.08

Изолированный

(
TO
-
254
AA
)

2П769В7

IRFY140C

100

14

0,077

75

2П790А7

IRFM150

30

0,055

120

2П793А7

IRFM250

200

25

0,085

130

2П795А7

IRFM450

500

14

0,4

150

2П768К8

IRFM340

400

9

0,55

125

КТ
-
97В
-
1.09

(
TO
-
254AA
)

2П794А8

IRFM450

15

0,3

150


2.8.2

Полевые
n
-
канальные транзисторы с

пониженным

R
DS
(
on
)

Тип

Параметры

Корпус

(аналог)

V
DS
,
В

I
D

@T
C
=25°C
, А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@ T
C
=25°C,
Вт

2П767Ж

200

16

0,1
2

100

КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB)

2П768
П

400

9

0,
42

125

2П769Д

100

25

0,0
52

100

2П790Б

100

35

0,03

150

КТ
-
43В (
TO
-
2
47
)

2П767Ж91

200

16

0,1
2

100

КТ
-
90 (
D
2
Pak
)

2П768К91

400

9

0,
42

125

2П769Д1

100

25

0,0
52

100

2П767Ж92

200

16

0,1
2

100

КТ
-
94 (
SMD
-
1)

2П769Д92

100

25

0,0
52

2
П770П92

500

8

0,55

2П790Б92

100

35

0,03

150

2П794В92

400

15

0,2

2П795В92

500

14

0,27

2П767Ж2

200

16

0,1
2

100

КТ
-
28А
-
2.01

2П769Д2

100

25

0,0
52

2
П770П2

500

8

0,55

2П790Б4

100

30

0,03

120

КТ
-
43А
-
1.01

2П795В4

500

14

0,27

150

2П767Ж1

200

16

0,1
2

100

КТ
-
9С (
TO
-
204AA
)

2П769Д1

100

25

0,0
52

2
П770П1

500

8

0,55

2П790Б1

100

35

0,03

150

2П794В1

400

15

0,2

2П795В1

500

14

0,27

15


2.8.3

Полевые
p
-
канальные транзисторы

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

V
DS
,
В

I
D

@T
C
=25°C
, А

R
DS(on)
,
Ом

P
D

@
T
C
=25°C,
Вт

2П7
229
А

IRF
5210

-
100

-
40

0,055

150

КТ
-
28
-
2

(
TO
-
220AB)

2П7229Б

0,06

2П7
229
А2

IRFM
5210

-
30

0,
0
65

100

КТ
-
28
A
-
2.01

2П7229Б2

0,
0
7


2.8.4

Диоды Шоттки (сборки
-

общий катод)

(Значения параметров приведены для диода или диода
сборки, в скобках
-

для сборки)

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

I
F
(
AV
)
, А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
В

V
RRM
, В

I
RM

@
V
RRM
, мА

T
C
=25°C

T
C
=125°C

2
ДШ2123А95

1N5817

1

0
,
4
5

20

1,0

10,0

КТ
-
99
-
1

(
Sot
-
89)

2
ДШ2123
Б95

10BQ040

0,
53

40

0
,4

4,0

2
ДШ2123
Д95

10BQ100

0,
78

100

0,5

12,5

2Д273ДС7

40
CGQ150

(
2х20
)

1,05

150

1,5

15

КТ
-
97В
-
1.08

Изолированный

(
TO
-
254
AA
)

2Д273ЕС7

-

1,15

200

2

20


2.8.5

Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки
-

общий катод)

Тип

Параметры

t
rr
, нс

Корпус

(аналог)

I
F
(
AV
)
, А

V
FM
@ I
F(AV)

T
C
=25°C,
В

V
RRM
, В

I
RM

@
V
RRM
, мА

T
C
=25°C

T
C
=125°C

2Д640МС

(2х8)

1,7

600

0,5

8

40

КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB)

2Д640МС2

КТ
-
28А
-
2.01

2Д640МС91

КТ
-
90 (
D
2
-
Pak
)

2Д641К1

15

2,2

0,1

3

КТ
-
32А

2Д641КС

(2х15)

1,8

0,5

8

КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB)

2Д641ВС7

1,7

КТ
-
97В
-
1.08

Изолированный

(
TO
-
254
AA
)

2Д663БС9

(2х1)

1,5

0,1

1

КТ
-
89 (
D
-
Pak
)

2Д663А95

1

1,5

60

КТ
-
99
-
1

(
Sot
-
89)

2Д663Б95

1

1
,
6

40


2.8.6

Бескорпусные полевые
n
-
канальные транзисторы с
пониженным
R
DS
(
on
)

Тип

Параметры

V
DS
, В

R
DS
(
on
)
, Ом

2П767Ж
-
5

200

0,12

2П768П
-
5

400

0,42

2П769Д
-
5

100

0,052

2
П770П
-
5

500

0,
55

2П790Б
-
5

100

0,03

2П794
В
-
5

400

0,
2

2П795В
-
5

500

0,27


2
0
.8.7

Стабилизаторы напряжения

Тип

Аналог

V
ВЫХ
, В

I
ВЫХ
, А

K
I
,
%

K
U
,
%

V
ПД
MIN
, В

I
ПОТР
,
м
А

V
ОП
, В

Корпус

ТЕСТ

LT
1963
A

1,21
÷
20

1,5

0,
13

0,
14

0,34

1,5÷120
(
1
)

1,21

4116.8
-
3

LT
1963
A
-
1.5

1,5

-

КТ
-
28А
-
2.01

LT
1963
A
-
1.8

1,8

LT
1963
A
-
2.5

2,5

LT
1963
A3.3

3,3

ТЕСТ
-
1

LM79L05

-
5

0,1

0,4

0,
3

1,7

6
(
2
)

-

4601.3
-
1

(
Sot
-
89)

LP2950

2
,5

0,1

0,04

0,38

0,12÷12
(
1
)

2,85

3,0

3,3

5,0

ТЕСТ
-
2

LT1084

1
,25
-
30

5,0

0,1

0,015

1,3

10
(
3
)

1,25

КТ
-
28А
-
2.01

1,8

-

2,5

3,3

5,0

________

1

Диап
азон токов в зависимости от токов нагрузки
I
ВЫХ
.

2

Значение тока потребления при
I
ВЫХ

= 40 мА.

3

Значение тока потребления

при минимальном токе нагрузки
.


16


2.8.8

Модуль силовых ключей в металлокерамическом корпусе

Электрические

параметры модуля на полевых транзисторах (схема 1)

Параметр

Обозначение

Значение

Температура
корпуса,

С

Начальный ток стока транзистора, мА

(U
СИ
= 100 В, U
ЗИ
= 0 В)

I
С.нач

≤0,5

25

10

85

5


20

3

Пороговое напряжение транзистора, В

(
U
СИ
=
U
ЗИ
,
I
С
= 250
мкА)

U
ЗИ.пор

1,5≤6,0

25

10

Сопротивление сток
-
исток в открытом
состоянии транзистора, Ом

(
U
ЗИ
= 15 В,
I
С
= 17 А,

и


1000 мкс)

R
C
И.отк

≤0,08

Постоянное прямое напряжение диода, В

(
I
пр

= 5 А)

U
пр

≤0,9

≤0,9

≤1,0

25

10

85

5


20

3

Постоянный обратный ток
диода, мА

(
U
обр

= 100

В)

I
обр

≤1,0

≤1,0

≤10

25

10


20

3

85

5


Электрические параметры модуля
на полевых транзисторах (схема 2
)

Параметр

Обозначение

Значениеа

Температура
корпуса,

С

Транзистор с
n
-
каналом

Начальный ток стока транзистора, мА

(U
СИ
= 100
В, U
ЗИ
= 0 В)

I
С.нач

≤0,5

25

10

125

5


60

3

Пороговое напряжение транзистора, В

(
U
СИ
=
U
ЗИ
,
I
С
= 250 мкА)

U
ЗИ.пор

1,5≤6,0

25

10

Сопротивление сток
-
исток в открытом состоянии транзистора,
Ом

(
U
ЗИ
= 15 В,
I
С
= 17 А,

и


1000 мкс)

R
C
И.отк

0,08

Транзистор с
p
-
каналом

Начальный ток стока транзистора, мА

(U
СИ
=

100 В, U
ЗИ
= 0 В)

(U
СИ
=

80 В, U
ЗИ
= 0 В)

(U
СИ
=

100 В, U
ЗИ
= 0 В)

I
С.нач

≤0,5

25

10

125

5


60

3



17





































Возможны другие варианты
компоновки

в
соответствии

со схемой заказчика.



2.8.9

Силовой модуль на диодах в металлостеклянном корпусе

Параметр

Обозначение

Значение

Максимально допустимое рабочее импульсное обратное напряжение модуля, В

U
обр, и, р макс

50÷300

Максимально допустимый средний прямой ток модуля, А

I
пр,ср,макс

120÷300

Импульсное прямое напряжение модуля (
T
пер
= 25

С, I
пр

=

I
пр макс
), В, не более

U
пр, и

0,75÷1,2

Повторяющийся импульсный обратный ток модуля (
T
пер

=

25


С, U
обр

= U
обр макс
),

мА

I
обр, и, п


3
,0



Схема 1

Схема 2

18


2.9

Интегральные микросхемы

2.9.1

ИС серии 106 и ОС106

Тип

Функция

Корпус

(ОС)106ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А

2х3И
-
НЕ/ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ

401.14
-
3
1

4105
.14
-
16
.01

(ОС)106ЛБ5, ЛБ5А, ЛБ6, ЛБ6А


-
НЕ
/ИЛИ
-
НЕ

с расширением по ИЛИ

(ОС)106ЛР1, ЛР1А, ЛР2, ЛР2А


-
4И/2ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ

(ОС)106ЛД1, ЛД1А, ЛД2, ЛД2А

8
-
входовый

расширитель

(ОС)106ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А


4
-
входовых расширителя

(ОС)106ТР1, Р1А, ТР2, ТР2А

R
-
S

триггер с элементами 3И
-
НЕ

на входе

________

1
ИС серии ОС106 только в корпусе 401.14
-
3.


2.9.2

ИС серии 134 и ОС134

Тип

Функция

Корпус

(ОС)134ЛБ1А
,

ЛБ1Б

4х2И
-
НЕ

401.14
-
3
1

4105
.14
-
16
.01

(ОС)134ЛБ2А
,

ЛБ2Б

2х4И
-
НЕ и инвертор

(ОС)134ЛР1А
,

ЛР1Б


-
2И/2ИЛИ
-
НЕ и 2И
-
4И/2ИЛИ
-
НЕ

(ОС)134ЛР2А
,

ЛР2Б


-

-

-
4И/4ИЛИ
-
НЕ

(ОС)134ТВ1

J
-
K
триггер

(ОС)134ТВ14


J
-
K
триггера

(ОС)134РМ1

2
х
2
-
разрядных

D
-
регистра

(ОС)134ИЕ5

4
-
разрядный асинхронный двоичный счетчик

(ОС)134ИР1
,

ИР1А

4
-
разрядный сдвиговый регистр

(ОС)134ИР2

8
-
разрядный сдвиговый регистр

134ИР8ЭВ

8
-
разрядный последовательный сдвиговый регистр с параллельным выходом

(ОС)134КП8

3хмультиплексора 2
-
1

(ОС)134КП9

2хмультиплексора 4
-
1

(ОС)134КП10

Мультиплексор 8
-
1

(ОС)134ИП2

8
-
разрядная схема контроля четности

(ОС)134ХЛ3

МЭЦС

(ОС)134ИД6

Двоично
-
десятичный дешифратор

402
.16
-
33
1

402
.16
-
33
.01

(ОС)134ИМ4

4
-
разрядный полный сумматор

(ОС)134ИП4

Схема ускоренного переноса

(ОС)134ИПЗ

АЛУ

405.24
-
2

134РУ6, РУ6
Б

Статическое ОЗУ
1024х1

4112.16
-
2

________

1
ИС серии ОС134 только в корпусах 401.14
-
3, 402.16
-
33.


2.9.3

ИС серии 1504 и ОС1504

Тип

Функция

Корпус

(ОС)1504ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А

2х3И
-
НЕ/ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ

401
.14
-
5
1

401.14
-
5.0
8

(ОС)1504ЛБ5, ЛБ5А,

ЛБ6, ЛБ6А


-
НЕ/ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ

(ОС)1504ЛАЗЭВ
,

ЛАЗАЭВ

4х2И
-
НЕ

(ОС)1504ЛА4ЭВ
,

ЛА4АЭВ

3х3И
-
НЕ

(ОС)1504ЛА6ЭВ
,

ЛА6АЭВ

2х4И
-
НЕ с повышенной нагрузочной способностью

(ОС)1504ЛА8ЭВ
,

ЛА8АЭВ

4х2И
-
НЕ с открытым коллектором

(ОС)1504ЛР1, ЛР1А,
ЛР2, ЛР2А


-
4И/2ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ

1504ЛР11АЭВ
,

БЭВ

2х2И
-
2И/2ИЛИ
-
НЕ

(ОС)1504ЛД1
,

ЛД1А

8
-
входовый расширитель

(ОС)1504ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А

2х4
-
входовых расширителя

(ОС)1504ТР1, ТР1А, ТР2, ТР2А

R
-
S

триггер с элементами 3И
-
НЕ

на входе

1504ТВ1

J
-
K

триггер

с элементами 3И на входах
J

и
K

________

1

ИС серии ОС1504 только в корпусе 401.14
-
5.



19


2.9.4

ИС серии 1505 и ОС1505

Тип

Функция

Корпус

(ОС)1505ЛБ1А
,
ЛБ1Б

4х2И
-
НЕ

401.14
-
5
1

401.14
-
5.0
8

(ОС)1505ЛБ2А
,

ЛБ2Б

2х4И
-
НЕ и инвертор

(ОС)1505ЛА2АЭВ
,

ЛА2БЭВ


-
НЕ

(ОС)1505ЛА8АЭВ
,

ЛА8БЭВ

4х2И
-
НЕ с открытым коллектором

(ОС)1505ЛР1А
,

ЛР1Б


-
2И/2ИЛИ
-
НЕ и 2И
-
4И/2ИЛИ
-
НЕ

(ОС)1505ЛР2А
,

ЛР2Б


-

-

-
4И/4ИЛИ
-
НЕ

(ОС)1505ЛР4АЭВ
,

ЛР4БЭВ

4
И
-
4
И
-
2
ИЛИ
-
НЕ

(ОС)1505ТВ1

J
-
K

триггер

(ОС)1505ТВ14


J
-
K
триггера

(ОС)1505РМ1

2
х
2
-
разрядных

D
-
регистра

(ОС)1505ТМ2АЭВ
,

ТМ2БЭВ


D
-
триггера с Установкой и Сбросом

1505ИЕ2

4
-
разрядный двоично
-
десятичный счетчик

(ОС)
1505ИЕ5

4
-
разрядный асинхронный двоичный счетчик

(ОС)1505ИР1
,

ИР1А

4
-
разрядный сдвиговый регистр

(ОС)1505ИР2

8
-
разрядный сдвиговый регистр

(ОС)1505КП8

3хмультиплексора 2
-
1

(ОС)1505КП9

2хмультиплексора 4
-
1

(ОС)1505КП10

Мультиплексор 8
-
1

(ОС)1505ИП2

8
-
разрядная схема контроля четности

(ОС)1505ХЛ3

МЭЦС

(ОС)1505ЛП3ЭВ

Мажоритарный элемент

(ОС)1505ИД6

Двоично
-
десятичный дешифратор

402.16
-
33
1

402.16
-
33
.01

(ОС)1505ИМ4

4
-
разрядный полный сумматор

(ОС)1505ИП4

Схема ускоренного переноса

(ОС)1505ИПЗ

АЛУ

405.24
-
2

________

1

ИС серии ОС1505 только в
корпусах 401.14
-
5, 402.16
-
33.



2.9.5

ПЛИС 5576ХС1Т, 5576ХС1Т1




базовые ТУ
-

АЕЯР.431260.478ТУ;



функционально совместимы с ПЛИС
EPF
10
R
50
RI
240 ф.
Altera
;



питание
-

3,3±0,3 В;



5
-
вольтовая толерантность входов/выходов;



встроенный блок тестирования (
JTAG
) с
использованием схемы периферийного сканирования (
BST
), совместимый с
IEEE

Std
. 1149.1
-
1990;



встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование посредством
внешних конфигурационных устройств или интеллектуальным контролле
ром через специальный загрузочный порт или
JTAG
-
порт;



для конфигурирования могут быть использованы конфигурационные ИС ф.

Altera
,
Atmel
, ОАО

“Ангстрем” и др.;



для проектирования можно использовать САПР ф.

Altera

MAX
+
PLUS

II

или
Quartus
, а также
Synplisity
,

Aldec

и др.;



5576ХС1Т выпускается в 240
-
выводном металлокерамическом планарном корпусе
CQFP

240;



5576ХС1Т1 выпускается в 256
-
выводном металлокерамическом планарном корпусе 4244.256
-
1.


Основные функциональные параметры:

Типовая логическая емкость, вент.

50000

Количество логических элементов

2880

Количество логических блоков

360

Емкость встроенной памяти, бит

20480

Количество триггеров

3184

Количество пользовательских выводов

182


20


2.9.5

ИС серии 5574

-

базовые ТУ

-

АЕЯР.431200.483ТУ

-

напряжение питания (2,3÷3,6) В

-

5
-
вольтовая толерантность входов/выходов

Тип

Аналог

Функция

Корпус

5574АП1Т

74LVCH16276APA

12
-
разрядный двунаправленный синхронный шинный
формирователь с выходом на три состояния

4235.88
-
1

5574АП2Т

-

16
-
разрядный двунаправленный синхронный шинный
формирователь с выходом на три состояния

5574ИР37

74LCX574

8
-
разрядный параллельный регистр с выходом на три
состояния

4153.20
-
5

5574ИН2Т

SN54LVC245

8
-
канальный приемопередатчик

5574АП4Т

SN54LVC541

8
-
разрядный буфер с выходом на три состояния

5574ИР23Т

SN54LVC
374

8
-
разрядный регистр с выходом на три состояния

5574ЛП8Т

SN
7
4LVC
125

Четыре буферных элемента с выходом на три состояния

5574ИН1У

IDT74LVCH16245

16
-
разрядный приемопередатчик с выходом
на три состояния

Н16.48
-


5574ИН3У

IDT74LVCH16
543

Два 8
-
разрядных приемопередатчика с регистрами
-
защелками
на входе и с выходом на три состояния

5574ИН4У

IDT74LVCH16
952

Два 8
-
разрядных приемопередатчика с регистрами на входе и с
выходом на три
состояния

5574АП5У

IDT74LVCH16
244

Четыре 4
-
разрядных буфера с выходом на три состояния

5574ИР1У

IDT74LVCH16
373

Два 8
-
разрядных регистра
-
защелки с выходом на три состояния

5574ИР2У

IDT74LVCH16
374

Два 8
-
разрядных регистра с выходом на три состояния




3

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И БЛОКИ ПИТАНИЯ

DC
-
DC

преобразователь

Наименование параметра

Значение

1.Входное напряжение (номинальное), В

2. Выходное напряжение (номинальное), В

3.Выходная мощность, кВт

4. Максимальная выходная мощность при максимальной рабочей
температуре
окружающей среды +71 ºС в течение 1 часа, кВт

5. Коэффициент полезного действия при номинальных входном напряжении и
выходной мощности и температуре окружающей среды +25 ºС, не менее, %

6. Параметры окружающей среды:

-

рабочая температура, ºС

-

влажность, %

7.Конструктивные параметры:

-

габаритные размеры, мм

-

масса, кг

-

охлаждение

28

270

2,5


2,75


92


-
40 до +71

95


295х256х190

17

Естественное, воздушное


AC
-
DC

блок питания

Наименование параметра

Значение

1.Входное напряжение:

-
номинальное

значение, В.

-
частота, Гц

2. Выходное напряжение, В

3.Выходной ток, А.

4. Пульсация выходного напряжения, мВ

5. Коэффициент полезного действия при температуре окружающей среды +25 ºС, не менее, %


220

50

10

50

200

94


AC
-
DC

блок питания прогрева бетона БППБ
-
1

Наименование параметра

Значение

1.Входное напряжение:

-
номинальное значение, В.

-
частота, Гц

2.Номинальная мощность, кВА

3.

Входной коэффициент мощности,
P

4. Ступени напряжения на холостом ходу на стороне НН, В

5. Ток

на стороне НН при напряжении 75 В, не более, А (токовая защита)

6.

Габаритные размеры, мм

7.

Масса, кг


220

50

4

0,99

0
-
75

60

280×250×140

10


21


4

ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ

КТ
-
90 (
D
2
-
Pak)

КТ
-
43В (
TO
-
247)

КТ
-
89 (
D
-
Pak)

Расположение выводов

Вывод

Транзистор

Диодная сборка

1

Затвор

Анод

2,4

Сток

Катод

3

Исток

Анод


КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB
)

22



КТ
-
28А
-
2.01
,
металлокерамический

КТ
-
43А
-
1.01
,
металлокерамический

Расположение выводов

Вывод

Транзистор

Диодная сборка

1

Затвор

Анод

2,4

Сток

Катод

3

Исток

Анод


КТ
-
32А
,
металлокерамический

КТ
-
56
,
металлокерамический

23


Расположение выводов

Вывод

Транзистор

Диодная
сборка

Диод

1

Сток

Катод

Катод

2

Затвор

Анод

Анод

3

Исток

Анод

Свободный


КТ
-
93
(SMD
-
0.5)
,
металлокерамический

КТ
-
9
4

(SMD
-
1)
,
металлокерамический

КТ
-
95
(SMD
-
2)
,
металлокерамический

24


КТ
-

(
TO
-
204
AA
)
,
металлостеклянный

КТ
-
9
7
В
(TO
-
25
4AA)
,
металлостеклянный

Расположение выводов (КТ
-
9
7
В
-
1.08)

Вывод

Транзистор

Диодная сборка

1

Сток

Анод

2

Исток

Катод

3

Затвор

Анод

4

Изолированный


Расположение выводов (КТ
-
9
7
В
-
1.09)

Вывод

Транзистор

1,4

Сток

2

Исток

3

Затвор


КТ
-
56А
,
металлокерамический

25


D
-
67

КТ
-
99
-
1
(диоды),
4601.3
-
1(микросхемы) (
Sot
-
89)
,

металлокерамический

Расположение выводов

Вывод

Диод

Стабилизатор

LM79L05

LP2950

1

Свободный

Общий

Вход

2

Анод

Выход

Выход

3

Катод

Вход

Общий



26



ТО
-
244 Мод.3 (неизолированный)

ТО
-
244 Мод.2 (изолированный)

ТО
-
244 Мод.1

27



CQFP

240

4244.256
-
1

28


Для заметок


Приложенные файлы

  • pdf 4466487
    Размер файла: 3 MB Загрузок: 1

Добавить комментарий