Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Оглавление
1
ИЗДЕЛИЯ ОБЩЕПРОМЫШЛЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ
................................
................................
..
2
-
8
1.1
Полевые
n
-
канальные транзисторы
................................
................................
................................
......
2
1.2
Диоды Шоттки
................................
................................
................................
................................
...........
3
1.3
Диоды Шоттки
с повышенной энергией лавинного пробоя E
AS
................................
......................
4
1.4
Быстровосстанавливающиеся диоды
................................
................................
................................
...
4
1.5
Силовые модули
................................
................................
................................
................................
........
4
1.6
IGBT
................................
................................
................................
................................
.............................
5
1.7
ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы
................................
................................
....................
6
1.8
Стабилизаторы напряжения
................................
................................
................................
...................
7
1.9
Автомобильная электроника
................................
................................
................................
..................
7
1.10
Изделия в стадии разработки и/или освоения
................................
................................
...................
7
1.10.1
IGBT
................................
................................
................................
................................
...................
7
1.10.2
Полевые
p
-
канальные транзисторы
................................
................................
............................
7
1.10.3
Автомобильная электроника
................................
................................
................................
.........
8
1.10.4
Трехфазный мост в пластмассовом корпусе
................................
................................
..............
8
2
ИЗДЕЛИЯ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
................................
................................
...................
9
-
20
2.1
Полевые
n
-
канальные транзисторы
................................
................................
................................
......
9
2.2
Диоды Шоттки
................................
................................
................................
................................
.........
10
2.3
Быстровосстанавливающиеся диоды
................................
................................
................................
.
11
2.4
Однофазные мосты
................................
................................
................................
................................
.
11
2.5
Бескорпусные изделия
................................
................................
................................
...........................
12
2.6
Биполярные транзисторы
................................
................................
................................
.....................
13
2.7
ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы
................................
................................
..................
13
2.8
Изделия в стадии разработки и/или освоения
................................
................................
...................
14
2.8.1
Полевые
n
-
канальные транзисторы
................................
................................
............................
14
2.8.2
Полевые
n
-
канальные транзисторы с пониженным
R
DS
(
on
)
................................
.....................
14
2.8.3
Полевые
p
-
канальные транзисторы
................................
................................
............................
15
2.8.4
Диоды Шоттки
................................
................................
................................
................................
.
15
2.8.5
Быстровосстанавливающиеся диоды
................................
................................
..........................
15
2.8.6
Бескорпусные полевые
n
-
канальные транзисторы с пониженным
R
DS
(
on
)
...........................
15
2.8.7
Стабилизаторы напряжения
................................
................................
................................
..........
15
2.8.8
Модуль силовых ключей в металлокерамическом корпусе
................................
...................
16
2.8.9
Силовой модуль на диодах в металлостеклянном корпусе
................................
.....................
17
2.9
Интегральные микросхемы
................................
................................
................................
..................
18
2.9.1
ИС серии 106 и ОС106
................................
................................
................................
.....................
18
2.9.2
ИС серии 134 и ОС134
................................
................................
................................
.....................
18
2.9.3
ИС серии 1504 и ОС1504
................................
................................
................................
.................
18
2.9.4
ИС серии 1505 и ОС1505
................................
................................
................................
.................
19
2.9.5
ПЛИС 5576ХС1Т, 5576ХС1Т1
................................
................................
................................
........
19
2.
9.5
ИС серии 5574
................................
................................
................................
................................
...
20
3
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И БЛОКИ ПИТАНИЯ
................................
................................
.........................
20
4
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ
................................
................................
................................
..
21
2
1
ИЗДЕЛИЯ ОБЩЕПРОМЫШЛЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ
1.1
Полевые
n
-
канальные
транзисторы
Тип
Аналог
V
DS
,
В
I
D
@
T
C
=25°
C
,
А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
Корпус
КП707А1
-
400
15
(
1
)
1
50
КТ
-
28
-
2
КП707Б1
600
10
(
1
)
2
КП707В1
800
7
(
1
)
3
КП707В2
650
-
800
6
-
9
(
1
)
2,3
-
3
КП767А
IRF620
200
5,2
0,8
КП
767
А
9
-
200
4
,
5
0
,
8
42
КТ
-
89
КП
767
Б
IRF630
200
9
0
,
4
74
КТ
-
28
-
2
(КТ
-
90)
КП
767
В
(В91)
IRF640
18
0
,
18
125
КП
767
Г
IRF624
250
4,4
1
,
1
50
КТ
-
28
-
2
КП
767
Д
IRF634
8
,
1
0
,
45
74
КП
768
А
IRF720
400
3
,
3
1
,
8
50
КП
768
А
9
-
400
2
,
8
1
,
8
42
КТ
-
89
КП
768
Б
IRF721
350
3
,
3
1
,
8
50
КТ
-
28
-
2
(КТ
-
90)
КП
768
В
IRF722
400
2
,
5
КП
768
Г
IRF723
350
КП
768
Д
IRF730
400
5
,
5
1
74
КП
768
Е
IRF731
350
КП
768
Ж
IRF732
400
1
,
5
КП
768
И
IRF733
350
КП
768
К(К
91)
IRF740
400
10
0
,
55
125
КП
768
Л
IRF741
350
10
0
,
55
125
КТ
-
28
-
2
КП
768M
IRF742
400
0
,
8
КП
768
Н
IRF743
350
КП
769
А
IRF520
100
9
,2
0
,
27
60
КП
769
А
9
-
100
7
0
,
27
42
КТ
-
89
КП
769
Б
IRF530
100
14
0
,
16
88
КТ
-
28
-
2
(КТ
-
90)
КП
769
В
(В91)
IRF540
28
0
,
077
150
КП
770
А
IRF820
500
2
,
5
3
50
КТ
-
28
-
2
КП
770
Б
IRF821
450
КП
770
В
IRF822
500
4
КП
770
Г
IRF823
450
КП
770
Д
IRF830
500
4
,
5
1
,
5
74
КП
770
Е
IRF831
450
КП
770
Ж
IRF832
500
2
,
5
КП
770
И
IRF833
450
КП770
К
-
500
8
0,85
125
КП770
Л
450
КП770
М
500
1
КП770
Н
450
КП782А
50
10
0,2
43
КП782Б
60
КП
782
В
IRFZ20
50
17
0
,
1
60
КП
782
Г
IRFZ24
60
КП
782
Д
IRFZ30
50
30
0
,
05
88
КП
782
Е
IRFZ34
60
КП790А
IRFP150
100
41
0,055
230
КТ
-
43В
КП793А
IRFP250
200
30
0,085
190
КП793Б
-
22
0,12
150
КП794А
IRFP350
400
16
0,3
190
КП795А
-
500
14
0,4
КП809А
(
А2
)
400
25
1
0,3
100 (
50
)
КТ
-
9
(КТ
-
43В)
КП809
Б(
Б2
)
500
20
1
0,6
100
КП813А
(
А2
)
200
22
0,12
125
КП813Б
(
Б2
)
18
0,18
________
1
Импульсный ток стока.
3
1.2
Диоды Шоттки
(
сборки
-
общи
й
катод
)
Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках
-
для сборки)
Тип
Аналог
I
F
(
AV
)
,
А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
А
V
RRM
,
В
I
RM
@ V
RRM
,
мА
Корпус
T
C
=25°C
T
C
=125°C
КД238АС/ЭВ
-
(2x7,5)
0,65
25
1
10
(
1
)
КТ
-
28
-
2
КД238БС/ЭВ
35
КД238ВС/ЭВ
45
КД268А(АС)
3(2x3)
0,65
25
1
10
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
[
КТ
-
90
]
КД268Б(БС)
0,75
50
КД268В(ВС)
0,85
75
КД268Г(ГС)
0,9
100
КД268Д(ДС)
0,95
150
1,5
15
КД268Е(ЕС)
1
200
2
20
КД269А(АС)
,
[
АС91
]
5(2x5)
0,65
25
1
10
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
[
КТ
-
90
]
КД269Б(БС)
,
[
БС91)
0,75
50
КД269В(ВС)
,
[
ВС91)
0,85
75
КД269Г(ГС)
,
[
ГС91)
0,9
100
КД
269
Д
(
ДС
)
,
[
Д
С91
)
(10CTQ150)
0
,
95
150
1
,
5
15
КД269Е(ЕС)
,
[
ЕС91
]
-
1
200
2
20
КД270А(АС)
7,5(2x7,5)
0,65
25
1
10
КД
270
Б
(
БС
)
(MBR1515CT)
0
,
75
50
КД
270
В
(
ВС
)
8TQ080
0
,
85
75
КД
270
Г
(
ГС
)
8TQ100
0
,
9
100
КД270Д(ДС)
-
0,95
150
1,5
15
КД270Е(ЕС)
1
200
2
20
КД271А(АС)
10(2x10)
0,65
25
1
10
КД
271
Б
(
БС
)
(MBR2045CT)
0
,
75
50
КД
271
В
(
ВС
)
(MBR2080CT)
0
,
85
75
КД
271
Г
(
ГС
)
(MBR20100CT)
0
,
9
100
КД
271
Д
(
ДС
)
(20CTQ150)
0
,
95
150
1
,
5
15
КД
271
Е
(
ЕС
)
,
[
ЕС91
]
(MBR20200CT)
1
200
2
20
КД272А(АС)
-
15(2x15)
0,7
25
1
10
КД272Б(БС)
(30CTQ045)
0,8
50
КД272В(ВС)
(30CTQ080)
0,9
75
КД272Г(ГС)
(30CTQ100)
0,95
100
КД272Д(ДС)
-
1,05
150
1,5
15
КД272Е(ЕС)
,
[
ЕС91
]
1,15
200
2
20
КД272
Ж
(
Ж
С)
1,2
250
КД272
И
(
И
С)
300
КД273А(АС)
,
[
АС91
]
20(2x20)
0,7
25
1
10
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
[
КТ
-
90
]
КД
273
Б
(
БС
)
,
[
БС91
]
(40CTQ045)
0
,
8
50
КД
273
В
(
ВС
)
,
[
ВС91
]
-
0
,
9
75
КД
273
Г
(
ГС
)
,
[
ГС91
]
(43CTQ100)
0
,
95
100
КД
273
Д
(
ДС
)
,
[
ДС91
]
(40CTQ150)
1
,
05
150
1
,
5
15
КД273Е(ЕС)
,
[
ЕС91
]
-
1,15
200
2
20
КД289А(АС)
1(2x1)
0,65
25
1
10
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
КД289Б(БС)
0,75
50
КД289В(ВС)
0,85
75
КД289Г(ГС)
0,9
100
КД289Д(ДС)
0,95
150
1,5
15
КД289Е(ЕС)
1
200
2
20
КД290А(АС)
2(2x2)
0,65
25
1
10
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
КД290Б(БС)
0,75
50
КД290В(ВС)
0,85
75
КД290Г(ГС)
0,9
100
КД290Д(ДС)
0,95
150
1,5
15
КД290Е(ЕС)
1
200
2
20
________
1
T
C
= 100°
C
.
4
1.3
Диоды
Шоттки
с повышенной
энергией лавинного пробоя
E
AS
(сборки
-
общи
й
катод)
Значения параметров приведены
для диода или диода сборки (в скобках
-
для сборки)
Тип
Аналог
V
RRM
,
В
I
F
(
AV
)
,
А
I
FSM
,
А
1
E
AS
,
мДж
2
R
thJC
,
º
C
/
Вт
V
FM
@
I
F
(
AV
)
,
В
I
RM
@
V
RRM
,
мА
Корпус
T
С
=25°С
T
С
=125°С
T
С
=25°С
T
С
=125°С
КТ
-
28
-
2
(КТ
-
90)
КД271ГС2
(
ГС
91)
MBR20100CT
100
(
2x1
0)
150
130
3,3
0,83
0,73
0,005
6
КД271ЕС2
(
ЕС
91)
-
200
120
2,5
3,3
0,89
0,79
0,005
5
КД272ЕС2
(
ЕС
91)
200
(
2x15
)
150
2,5
3
0,89
0,79
0,005
5
КД273КС
(
КС
91)
30CTQ045
(30CTQ045S)
45
(
2x3
0)
250
150
2,5
0,77
0,67
0,015
15
КД273ЛС
(
ЛС
91)
63CTQ100
100
220
130
2,5
0,90
0,80
0,015
15
КД272Д
2(
Д
91)
-
150
15
220
80
3
0,85
0,75
0,005
5
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
90)
КД273Л(Л91)
100
30
220
130
2,5
0,90
0,80
0,015
15
КД273МС3
40CPQ045
45
(
2x4
0)
320
150
2,5
0,77
0,67
0,030
30
КТ
-
43В
КД273НС3
-
100
300
130
2
0,89
0,79
0,020
15
КД273ПС3
150
280
80
2
0,95
0,85
0,015
15
КД273РС3
200
250
2,5
2
0,95
0,85
0,015
15
КД273С3
150
60
500
80
1,5
0,95
0,85
0,050
50
________
1
Однополупериодный синусоидальный импульс длительностью 10
мс, T
С
=25°С.
2
T
C
=25 °
C
,
I
AS
=2 А,
L
=10 мГн.
1.4
Быстровосстанавливающиеся
диоды
(сборки
-
общи
й
катод)
Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках
-
для сборки)
Тип
Аналог
I
F
(
AV
)
,
А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
В
V
RRM
,
В
I
RM
@ V
RRM
,
мА
t
rr
,
нс
Корпус
T
C
=25°C
T
C
=125°C
КД640А(АС)
-
8(2x8)
1,7
400
0,5
8
6
0
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
КД640Б(БС)
500
КД640В(ВС)
HFA08TB60
(HFA16TA60C)
600
КД640
Г
(
Г
С)
-
700
КД640
Д
(
Д
С)
800
КД640Е(ЕС)
550
КД640
Ж
(
Ж
С)
3
900
5
КД640И(ИС)
1000
КД640K(KC)
HFA08TB120
1200
КД640ВС
91
-
1,7
600
8
КТ
-
90
КД641А(АС)
15(2x15)
1,7
400
0,5
8
6
0
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
28
-
2)
КД641Б(БС)
500
КД641В(ВС)
HFA15TB60
(HFA30TA60C)
600
КД641
Г
(
Г
С)
-
700
КД641
Д
(
Д
С)
800
КД641Е(ЕС)
550
КД641
Ж
(
Ж
С)
1,3
400
КД641
АС91
(2х15)
1,7
400
КТ
-
90
КД641
БС91
500
КД641
ВС91
600
КД644А(АС)
25(2x25)
1,05
200
0,5
10
5
0
КТ
-
28
-
1
(КТ
-
43В)
КД644Б(БС)
1,2
300
60
КД644В(ВС)
1,
3
400
КД644Г(ГС)
1,7
500
75
КД644Д(ДС)
550
КД644Е(ЕС)
HFA25TB60
600
КД644
Ж
(
Ж
С)
-
700
1.5
Силовые модули
1.5.1
Силовые модули на полевых транзисторах
Тип
Аналог
V
DS
,
В
I
D
,
А
I
DM
,
А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
R
thJC
, ºC/
Вт
Корпус
МТКП1
-
200
-
0,
55
-
55
200
600
0,001
500
0,25
TO
-
24
4
Мод
.
1
МТКП1
-
150
-
0,6
IRFK4H054
60
150
450
0,008
400
0,31
МТКП1
-
200
-
0,6
-
200
600
0,005
500
0,25
МТКП1
-
80
-
2
IRFK4H250
200
80
240
0,0
22
40
0
0,31
МТКП1
-
100
-
2
-
100
300
0,0
17
500
0,25
МТКП1
-
50
-
4
IRFK4H350
400
50
150
0,075
400
0,31
МТКП1
-
70
-
4
-
70
210
0,05
500
0,25
МТКП1
-
36
-
5
IRFK4H450
500
36
108
0,15
40
0
0,31
МТКП1
-
50
-
5
-
50
150
0,1
500
0,25
5
1.5.2
Силовые модули на диодах Шоттки
Значения параметров приведены для диода или элемента модуля (в
скобках
-
для модуля)
Тип
Аналог
V
RRM
,
В
I
F
(
AV
)
,
А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
В
I
RM
@ V
RRM
,
мА
R
thJC
,
ºC/
Вт
Корпус
T
C
=25°C
T
C
=1
00
°C
МД4
-
200
-
0,5
-
50
100(2x100)
0,75
3
40
(0,4)
TO
-
244
Мод.2
Изолированный
МД4
-
200
-
0,75
75
0,8
(0,45)
МД4
-
200
-
1
203CMQ100
100
0,9
(0,4)
МД4
-
200
-
1,5
209CMQ150
150
1
МД4
-
200
-
2
-
200
1,15
(0,25)
МД4
-
240
-
2
120(2
х
120)
1.2
0,15
3
(
0,45
)
МД4
-
360
-
2
180(2x180)
1,1
(0,
35
)
МПД4
-
240
-
0,5
50
120(2x120)
0,75
4
40
(0,25)
TO
-
244
Мод.3
Неизолированный
МПД4
-
240
-
0,75
75
0,8
МПД4
-
240
-
1
203CNQ100
100
0,9
МПД4
-
240
-
1,5
209CNQ150
150
1
МПД4
-
240
-
2
-
200
1,
15
3
40
0,5
МПД4
-
240
-
3
300
1,2
МПД4
-
150
-
3
75(2x75)
1,3
0,7
МПД1
-
120
-
0,5
50
120
0,75
4
40
0,4
D
-
67
МПД1
-
150
-
0,5
150
5
50
МПД1
-
180
-
0,5
180
6
60
0,3
МПД1
-
120
-
0,75
75
120
0,8
4
40
0,4
МПД1
-
150
-
0,75
150
5
50
МПД1
-
180
-
0,75
180
6
60
0,3
МПД1
-
120
-
1
123NQ100
100
120
0,9
4
40
0,4
МПД1
-
150
-
1
-
150
5
50
МПД1
-
180
-
1
183NQ100
180
6
60
0,3
МПД1
-
120
-
1,5
129NQ150
150
120
1
4
40
0,4
МПД1
-
150
-
1,5
189NQ150
150
5
50
МПД1
-
180
-
1,5
-
180
6
60
0,3
МПД1
-
120
-
2
200
120
1,15
3
40
0,4
МПД1
-
150
-
2
150
0,35
МПД1
-
180
-
2
180
6
60
0,3
МПД1
-
240
-
2
240
1,1
0,15
10
0,3
МПД1
-
360
-
2
360
0,25
1.5.3
Силовые модули на
быстровосстанавливающихся
диодах
Значения параметров приведены для диода или элемента модуля (в скобках
-
для модуля)
Тип
Аналог
V
RRM
,
В
I
F
(
AV
)
,
А
V
FM
@ I
F(AV)
T
J
=25°C,
В
I
RM
@ V
RRM
T
J
=25°C,
мА
t
rr
,
нс
R
thJC
,
ºC/
Вт
Корпус
МДЧ
4
-
120
-
4
-
А
6
HFA120MD40C
400
60(2x60)
1
,
3
0
,
5
100
(0
,
5)
TO
-
244
Мод.2
Изолированный
МДЧ
4
-
160
-
4
-
А
6
HFA160MD40C
80(2x80)
0
,
75
(0
,
45)
МДЧ
4
-
200
-
4
-
А
6
HFA200MD40C
100(2x100)
1
(0
,
4)
МДЧ
4
-
100
-
6
-
А
6
HFA100MD60C
600
50(2x50)
1,5
0
,
5
0
,
9
МДЧ
4
-
140
-
6
-
А
6
HFA140MD60C
70(2x70)
1,4
0
,
75
(0
,
45)
МДЧ
4
-
180
-
6
-
А
6
HFA180MD60C
90(2x90)
1
,
3
0,5
0
,
8
МПДЧ4
-
200
-
4
-
А6
-
400
100(2x100)
1,3
0,5
(0,45)
TO
-
244
Мод.3
Неизолированный
МПДЧ4
-
200
-
6
-
А6
600
1,
5
(0,5)
МПДЧ1
-
75
-
4
-
А6
400
75
1,3
0,5
0,
6
D
-
67
МПДЧ1
-
90
-
4
-
А6
HFA90NH40
90
0,75
0,35
МПДЧ1
-
100
-
4
-
А6
-
100
0,5
0,
5
МПДЧ1
-
75
-
6
-
А6
HFA70NH60
600
75
1,5
0,5
0,
6
МПДЧ1
-
90
-
6
-
А6
90
0,
7
5
0,
3
5
МПДЧ1
-
100
-
6
-
А6
HFA105NH60
100
0,5
0,
5
МПДЧ1
-
90
-
7
-
А6
-
700
90
1,7
0,75
0,35
МПДЧ1
-
60
-
10
-
Р5
1000
60
1,6
1
200
0,6
1.6
IGBT
Тип
Аналог
V
CSE
,
В
I
C
, А
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
Корпус
T
C
=25°C
T
C
=100°C
КЕ705
А
IRGB14C40L
370
18
14
100
КТ
-
28
-
2
КЕ705
Б
-
330
КЕ705
В
HGTP14N40F3VL
370
КЕ705
Г
-
330
6
1.7
ВЧ и СВЧ
м
ощные биполярные транзисторы
1.7.1
Транз
исторы для подвижных средств рад
иосвязи
Тип
Аналог
f,
МГц
P
OUT
,
Вт
V
CC
,
В
G
Pmin
,
дБ
η, %
Корпус
КТ929
А(А1)
-
50÷175
2
8
10
(9)
60
(55)
КТ
-
17
(КТ
-
15)
КТ920
А
12.6
8.5
КТ920
Б
2N6080
5
6
КТ920
В
2N6081, 2N5590
20
5
КТ
958
А
BM40
-
12
40
6
50
КТ
-
32
КТ925
А
-
100÷320
2
8
60
КТ
-
17
КТ925
Б
7
6
КТ
925
В
2N5590
20
5
КТ
960
А
-
100÷400
40
4
КТ
-
32
1.7.2
Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи
Тип
Аналог
f,
МГц
P
OUT
,
Вт
V
CC
,
В
G
Pmin
,
дБ
η, %
Корпус
КТ
922
А
2N5641
50÷175
5
28
10
55
КТ
-
17
КТ
922
Б
2N5642
20
7
,
5
КТ
922
В
2N5643
40
6
КТ
931
А
2N6369
80
5
,
5
50
КТ
-
32
КТ
971
А
-
150
5
55
КТ
-
56
КТ
907
А
2N3733
100÷400
9
3
40
КТ
-
4
КТ
934
А
2N5635, 2N6202
3
8
50
КТ
-
17
КТ
934
Б
2N5636,
2N6203
12
6
КТ
934
В
2N5637
25
5
КТ
930
А
2N6362
40
7
50
КТ
-
32
КТ
930
Б
2N6364
75
5
,
5
КТ970А
-
100
6
КТ
-
56
КТ985АС
220÷400
125
5,5
КТ
-
45
КТ
909
А
2N5177
100÷500
20
3
45
КТ
-
15
КТ909Б
-
40
3
КТ9105АС
100
5
50
КТ
-
45
КТ9104А
350÷700
5
9
40
КТ
-
42
КТ9104Б
20
8,5
50
КТ991АС
55
7,8
KT
-
44
КТ9101АС
100
5,5
КТ911А
400÷1800
0.8
3
25
Аналог
Mt
-
62
КТ911Б
400÷1000
0.8
3
30
КТ
962
А
D10
-
28
10
6
36
КТ
-
17
КТ
962
Б
DM20
-
28
20
5
,
5
40
КТ
962
В
DM40
-
28
40
5
КТ
976
А
-
60
3
45
1.7.3
Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры
Тип
Аналог
f,
МГц
P
OUT(Pulse)
,
Вт
V
CC
,
В
G
Pmin
,
дБ
Импульс
Корпус
τ,
мкс
Q
КТ
984
А
MSC1075M
720÷820
75
50
7
10
100
КТ
-
42
КТ
984
Б
MSC1250M
250
6
КТ
9109
А
MSC1550M
500
5.5
1.7.4
Линейные транзисторы для УКВ ЧМ и телевизионного вещания
Тип
Аналог
f,
МГц
P
OUT(PEP)
,
Вт
G
Pmin
,
дБ
M
3
,
дБ
Импульс
Корпус
V
C
,
В
I
C
,
А
КТ
983
А
BLX
-
96
40÷860
0
,
5
6
-
60
25
0
,
2
КТ
-
17
КТ983
Б
-
1,5
5,5
0,35
КТ983
В
3,5
5
0,8
КТ9116
А
170÷230
5
14
-
58
28
1,2
КТ
-
56
КТ9116
Б
15
10
-
55
2,6
7
1.8
Стабилизаторы напряжения
(
в корпусе КТ
-
28
-
2)
Тип
Аналог
V
OUT
,
В
K
V
, %/В
K
I
, %/А
@ I
OUT
1,0 А
1,5 А
2,0 А
фиксированного напряжения
положительной полярности
КР142ЕН5А
,51А
VC7805
5±0,1
0,05
-
1,33
-
КР142ЕН5Б
,51Б
VC7806
6±0,12
КР142ЕН5В
,51В
VC7805
5±0,18
-
-
1,0
КР142ЕН5Г
,51Г
VC7806
6±0,21
КР142ЕН8А
,81А
VC7809
9±0,27
-
0,67
-
КР142ЕН8Б
,81Б
VC7812
12±0,36
КР142ЕН8В
,81В
VC7815
15±0,45
КР142ЕН8Г
,81Г
VC7809
9±0,36
0,1
1,5
-
КР142ЕН8Д
,81Д
VC7812
12±0,48
КР142ЕН8Е
,81Е
VC7815
15±0,60
КР142ЕН9А
,91А
VC7820
20±0,40
0,05
-
0,67
КР142ЕН9Б
,91Б
VC7824
24±0,48
КР142ЕН9В
,91В
VC7827
27±0,54
КР142ЕН9Г
,91Г
VC7820
20±0,60
0,1
1,5
-
КР142ЕН9Д
,91Д
VC7824
24±0,72
КР142ЕН9Е
,91Е
VC7827
27±0,81
КР142ЕН9К
,91К
1,5
регулируемые положительной полярности
КР142ЕН12А
LM317T
1
,
2÷37
0,01
-
0,2
-
КР142ЕН12Б
0,03
0,2
-
регулируемые отрицательной
полярности
КР142ЕН18А
LM337T
-
1
,
2÷
-
26
,
5
0,03
0,
33
-
-
КР142ЕН18Б
-
0,
33
________
1
T
amb
(
-
45÷70) º
C
для КР142ЕН5А
-
Г, КР142ЕН8А
-
Е, КР142ЕН9А
-
К.
2
T
amb
(
-
45÷125) º
C
для КР142ЕН51А
-
Г, КР142ЕН81А
-
Е, КР142ЕН91А
-
К.
3
T
amb
(
-
10÷70) º
C
для КР142ЕН12А,Б и КР142ЕН18А,Б.
1.9
Автомобильная электроника
1.9.1
Одноканальные контроллеры системы зажигания
с функцией октан
-
корректора
Тип
V
(13
-
1)S
, мВ
I
IL5
, мкА
δ
I
REC
, %
δ
t
D
, %
t
SS
, с
T
amb
, ºC
Корпус
K1055
ХП
1
АР
290≥350
-
420≥
-
250
δ
I
REC1
, %
2
≥
15
0,4
≥
1,8
-
60÷
125
DIP
-
16
K1055
ХП
1
АТ
90≥98
SO
-
16J
1.9.2
Двухканальный контроллер системы зажигания
Тип
V
OL
, В
V
OH
, В
V
K
, В
T
amb
, ºC
Корпус
КР1055
ВЮ
1
Т
0,7
6,0
23,5
≥
31
-
45÷1
40
SO
-
16L
1.9.3
Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (
n
-
p
-
n
)
Параметры при
T = 25ºC
Тип
Аналог
P
Cmax
,
Вт
V
(br)CES
,
В
I
Cmax
,
А
h
21E
V
CEsat
,
В
I
CE
O
,
мА
f
T
,
МГц
Корпус
КТ8232
А
1
BU941
125
350
20
�300
1
,
8 @
(I
C
=8
А
,
I
B
=0
,
1
А
)
0.1
10
КТ
-
43В
КТ8232
Б
1
-
300
КТ8232
А2
350
КТ
-
28
-
2
КТ8232
Б2
300
1.10
Изделия в стадии разработки и/или освоения
1.10.1
I
GBT
Тип
Аналог
V
CSE
,
В
I
C
, А
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
Корпус
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Прорыв1
IXGH16N170
≥1500
30
16
200
КТ
-
43В
Прорыв
IXGH16N170AH1
≥1700
20
10
1.10.2
Полевые
p
-
канальные транзисторы
Тип
Аналог
V
DS
,
В
I
D
@
T
C
=25°
C
, А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
Корпус
КП7229А
IRF5210
-
100
-
40
0
,055
150
КТ
-
28
-
2
КП7229Б
0,060
8
1.10.3
Автомобильная электроника
ИС К1055ХВ9Р
,
К1055ХВ10Р
(
DIP
-
8) и К1055ХВ9Т
,
К1055ХВ10Т
(
SO
-
8)
-
управление реле поворотов
и аварийной
сигнализации
:
-
питание 12
В при использовании резистора
R
ВН
=22
0
и 470
Ом
(ИС К1055ХВ9Р и К1055ХВ9Т)
;
-
питание 24
В
(ИС К1055ХВ10Р и К1055ХВ10Т)
;
-
компаратор обнаружения обрыва лампы;
-
защита от выбросов генер
атора;
-
защита от выбросов с катушки реле;
-
фильтр ЭМИ;
-
дежурный режим;
-
возможность выдерживать напряжение двойной батареи;
-
низкий ток потребления;
-
температур
а окружающей среды от
-
40 до 125
°
C
;
-
совместимость, вывод в вывод, с
VG
2043,
U
6043,
UA
A
1041
B
/
A
,
L
9686, КР1055ГП1,
IL
33193
N
/
D
(ИС К1055ХВ9Р и
К1055ХВ9Т)
.
1.10.4
Трехфазный мост в пластмассовом корпусе
Параметр
Обозначение
Норма
Температура
корпуса,
С
Максимально допустимое постоянное напряжение сток
-
исток
транзистора, В
U
СИ
max
55÷100
25
10
,
125
5
Максимально допустимое постоянное напряжение затвор
-
исток
транзистора, В
U
ЗИ
max
20
-
Максимально допустимый постоянный ток стока транзистора, А
I
С
max
55÷160
25
10
Сопротивление сток
-
исток в открытом состоянии транзистора,
мОм
R
C
И.отк
3,0÷3,3
Тепловое сопротивление кристалл
-
корпус,
С/Вт
R
Т
кр
-
к
1
,0
-
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А
I
пр
max
55
÷
130
25
10
Параметры изделий по заказу потребителей
9
2
ИЗДЕЛИЯ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
2.1
Полевые
n
-
канальные
транзисторы
Тип
Аналог
Параметры
Корпус
(аналог)
ТУ
V
DS
,
В
I
D
@T
C
=25°C
, А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
Транзисторы в металлопластмассовых корпусах
2П767А
IRF
620
200
5
0,8
50
КТ
-
28
-
2
(
TO
-
220AB
)
АЕЯР.432140.220
ТУ
2П767В
IRF
640
16
0,18
100
2П767Е
1
-
2П768А
IRF
720
400
3
1,8
55
2П768К
IRF
740
9
0,55
125
2П769А
IRF
520
100
8,5
0,27
50
2П769Г
1
-
2П769В
IRF
540
25
0,077
100
2П767А9
IRFR
220
200
4,5
0,8
42
КТ
-
89
(
D
-
Pak
)
2П768А9
IRFR
320
400
2,8
1,8
2П769А9
IRFR
120
100
7
0,27
2П767
В
91
IRF640S
200
16
0,18
100
КТ
-
90
(
D
2
-
Pak
)
2П768
К
91
IRF740S
400
9
0,55
125
2П769
В
91
IRF540S
100
25
0,077
100
2П790А
IRFP
150
35
0,055
150
КТ
-
43В
(
TO
-
247
)
2П793А
IRFP
250
200
27
0,085
155
Транзисторы в
металлокерамических корпусах
2П707Б
-
600
3,6
2
100
КТ
-
56
2
2П767В3
200
16
0,18
100
АЕЯР.432140.273
ТУ
2П767В92
IRFN240
16
0,18
КТ
-
94
(SMD
-
1)
2П769В92
IRFN140
100
25
0,077
2П770К
92
IRF440
500
8
0,85
2П790А
92
IRF150
100
35
0,055
150
2П793А
92
IRF250
200
27
0,085
2П794А
92
IRF350
400
15
0,3
2П795А92
IRFN450
500
14
0,4
2П707В2
IRFPE
30
800
4,1
3
125
КТ
-
28А
-
2.01
2П767В2
IRFY240C
200
16
0,18
100
2П769В2
IRFY140C
100
14
0,077
75
2П770К2
IRFY440C
500
8
0,85
100
2П782Ж2
IRFM054
60
16
0,040
2П790А4
IRFM150
100
30
0,055
120
КТ
-
43А
-
1.01
2П793А4
IRFM
250
200
25
0,085
130
2П795А4
IRFM
450
500
14
0,4
150
Транзисторы в металлостеклянных корпусах
2П767В1
IRF240
200
16
0,18
100
КТ
-
9С
(
TO
-
204AA
)
АЕЯР.432140.273ТУ
2П769В1
IRF140
100
25
0,077
2П770К1
IRF440
500
8
0,85
2П782Ж1
IRF044
60
45
0,028
125
2П790А1
IRF150
100
35
0,055
150
2П793А1
IRF250
200
27
0,085
2П793Б1
IRF240
20
0,12
125
2П794А1
IRF350
400
15
0,3
150
2П794Б1
IRF350
10
0,
4
100
2П795А1
IRF450
500
14
0,4
150
2П795Б1
IRF440
10
0,6
125
Транзисторы с датчиком тока в металлокерамических корпусах
2П7146А
IRC530
100
14
0,16
65
КТ
-
56А
АЕЯР.432140.294
ТУ
2П7146Б
IRC
630
200
9
0,4
2П7146В
IRC634
250
8,1
0,45
2П7147А
IRC540
100
25
0,077
100
2П7147Б
IRC640
200
16
0,18
2П7147В
IRC
644
250
14
0,28
________
1
V
GS
(
th
)
= (1,5÷2,7)
В
, для остальных
-
(1,5÷6,0)
В
.
2
АЕЯР
.432140.160
ТУ
.
10
2
.2
Диоды Шоттки
Значения параметров приведены для диода или диода
сборки,
в скобках
-
для сборки
Тип
Аналог
Параметры
Корпус
(аналог)
ТУ
I
F
(
AV
)
, А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
В
V
RRM
, В
I
RM
@
V
RRM
, мА
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Дио
ды Шоттки (сборки
-
общий катод) в металлопластмассовых корпусах
АЕЯР.432120.217ТУ
2Д269АС[АС91]
-
(
2x
5)
0,65
25
0,5
5,5
КТ
-
28
-
2
(TО
-
220A
B
)
[КТ
-
90 (
D
2
-
Pak
)]
2Д269БС[БС91]
0,75
50
7,5
2Д269ВС[ВС91]
0,85
75
10
2Д269ГС[ГС91]
0,9
100
10
2Д269ДС[ДС91]
0,95
150
8,0
2Д269ЕС[ЕС91]
1,0
200
10
2Д273АС[АС91]
(
2x
20)
0,7
25
0,5
8,0
2Д273БС[БС91]
0,8
50
0,1
10
2Д273ВС[ВС91]
0,9
75
0,5
6,5
2Д273ГС[ГС91]
0,95
100
0,1
10
2Д273ДС[ДС91]
1,05
150
0,5
8,0
2Д273ЕС[ЕС91]
1,15
200
0,5
6,0
2Д290АС[АС9]
(
2x
2)
0,65
25
0,5
7,5
КТ
-
28
-
2
(
T
О
-
220
AB
)
[КТ
-
89 (
D
-
Pak
)]
2Д290БС[БС9]
0,75
50
0,1
4,5
2Д290ВС[ВС9]
0,85
75
0,5
6,5
2Д290ГС[ГС9]
0,9
100
4,5
2Д290ДС[ДС9]
0,95
150
5,5
2Д290ЕС[ЕС9]
1,0
200
6,0
Диоды Шоттки (сборки
-
общий катод) в металлокерамических корпусах
2Д273АС2
-
(2х20)
0,7
25
1
10
КТ
-
28А
-
2.01
2Д273БС2
0,8
50
2Д273ВС2
0,9
75
2Д273ГС2
0,95
100
2Д273ДС2
1,05
150
1,5
15
2Д273ЕС2
1,15
200
2,0
20
2Д272Е1
15
1,1
200
1
15
КТ
-
32А
2Д272И1
1,15
300
20
2ДШ2123А94
IN5817
1
0,45
20
1
10
T
C
=1
00
°
C
КТ
-
93
(
SMD
-
0
.
5
)
АЕЯР.432120.297ТУ
2ДШ2123Б94
IN5819
0,6
40
2ДШ2123В94
10BQ015
0,34
15
0,5
12
2ДШ21
23Г94
10BQ040
0,53
40
0,4
4
2ДШ2123Д94
10BQ100
0,78
100
0,5
12,5
2ДШ2124А94
31DQ03
3,3
0,55
30
3
25
2ДШ2124Б94
31DQ04
0,55
40
2ДШ2124В94
31DQ06
0,58
60
1
30
2ДШ2124Г94
31DQ10
0,85
100
10
2ДШ2125А92
50SQ080
5
0,66
80
0,55
7
КТ
-
94
(
SMD
-
1)
2ДШ2125Б92
50SQ100
0,66
100
2ДШ2125В92
8TQ100
8
0,72
100
2ДШ2125ГС92
30
CPQ
060
(
2х15
)
0,6
60
0,8
45
2ДШ2125ДС92
30
CPQ
100
0,86
100
0,55
7
2ДШ2126АС92
30
CPQ
150
1
150
0,1
15
2ДШ2126БС92
MBR
20200
CT
(
2х10
)
0,9
200
1
50
2ДШ2134АС4
63
CPQ
100
(2х30)
0,87
100
0,3
25
КТ
-
43А
-
1.01
11
2.3
Быстровосстанавливающиеся
диоды
Значения параметров приведены для диода или диода сборки
,
в скобках
-
для сборки
Тип
Аналог
Параметры
Корпус
(аналог)
ТУ
I
F
(
AV
)
, А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
В
V
RRM
, В
I
RM
@
V
RRM
, мА
t
rr
, нс
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Быстровосстанавливающиеся
диоды (сборки
-
общий катод) в металлопластмассовых корпусах
АЕЯР.432120.223ТУ
2Д640ВС[ВС91]
HFA16TA6
0
C
(
2x8
)
1,7
600
0,5
8
60
КТ
-
28
-
2
(TО
-
220AВ)
[КТ
-
90
(
D
2
-
Pak
)]
2Д6
41АС[АС91]
HFA30TA
6
0
C
(2x15)
400
2Д641БС[БС91]
-
500
2Д641ВС[ВС91]
600
2Д663АС9
(
2x
1)
1,5
600
0,1
1
КТ
-
89 (
D
-
Pak
)
Быстров
осстанавливающиеся
диоды (сборки
-
общий катод) в металлокерамических корпусах
2Д641В1
-
15
1,7
600
0,1
3
60
КТ
-
32А
2Д640ВС2
(2х8)
1,7
600
0,5
8
60
КТ
-
28А
-
2.01
2Д675А94
10BF40
1
1,4
400
0,01
0,5
(
T
C
=1
00
°
C
)
50
КТ
-
93
(
SMD
-
0.
5
)
АЕЯР.432120.29
6ТУ
2
Д676А94
30BF40
3
2Д677А92
APT15D40K
15
1,
5
0,15
3
50
КТ
-
94
(
SMD
-
1)
2Д677Б9
2
APT15D60K
15
1,
8
600
2Д678АС93
RURG3020
(
2х30
)
1
200
0,25
5
45
КТ
-
95
(
SMD
-
2)
2Д678БС93
30
EPF
06
(
2х30
)
1,41
600
0,15
160
2.4
Однофазные мосты
на основе мощных высоковольтных выпрямительных диодов (АЕЯР.432170.503ТУ)
Тип
Аналог
V
RRM
,
В
I
F
(
AV
)
, А
V
FM
@
I
F
(
AV
)
T
С
=25°С
,
В
I
RM
@
V
RRM
,
мА
R
thJC
, º
C
/Вт
t
rr
, нс
Корпус
T
С
=25°С
T
С
=125°С
2М142А
DB104S
400
1
1,0
0,05
0,1
1
8
120
КТ
-
108
-
1
2М143А
DB105S
600
2М144А
PKR40F
400
10
1,2
0,1
1,5
3
,5
КТ
-
109
-
1
2М145А
PKR60F
600
КТ
-
108
-
1
,
металлокерамический
КТ
-
109
-
1
,
металлокерамический
12
2.5
Бескорпусные изделия
Полевые
n
-
канальные
транзисторы
Диоды
Тип
Параметры
(
T
amb
=25°
C
)
ТУ
Тип
Параметры (
T
amb
=25°
C
)
ТУ
V
DS
, В
R
DS
(
on
)
, Ом
V
FM
@
I
F
=1А,
В
V
RRM
, В
I
RM
@ V
RRM
,
мА
2П767А
-
5
200
0,8
АЕЯР.432140.
220 ТУ
2П767Е
-
5
1
0,18
Диоды Шоттки
2П768А
-
5
400
1,8
2Д269А
-
5
0,5
29
0,09
АЕЯР.432120.217ТУ
2П768К
-
5
0,55
2Д269Б
-
5
0,55
55
2П769А
-
5
100
0,27
2Д269В
-
5
0,6
83
2П769В
-
5
0,077
2Д269Г
-
5
0,62
110
2П769Г
-
5
1
0,27
2Д269Д
-
5
0,68
163
2П790А
-
5
0,055
2Д269Е
-
5
0,71
215
2П793А
-
5
200
0,085
2Д290А
-
5
0,55
29
2П707Б
-
5
600
2,0
АЕЯР.432140.273 ТУ
2Д290Б
-
5
0,64
55
2П707В
-
5
800
3,0
2Д290В
-
5
0,72
83
2П767В
-
5
200
0,18
2Д290Г
-
5
0,78
110
2П770К2
-
5
500
0,85
2Д290Д
-
5
0,81
163
2П782Ж2
-
5
60
0,04
2Д290Е
-
5
0,86
215
2П794А
-
5
400
0,3
2Д272И1
-
5
0,75
325
0,15
2П795А4
-
5
500
0
,4
2
Д273А2
-
5
0,48
29
0,8
2П795Б
-
5
0,6
2
Д273Б2
-
5
0,5
55
2П7146А
-
5
104
0,15
АЕЯР.432140.
294 ТУ
2
Д273В2
-
5
0,52
83
2П7146Б
-
5
208
0,36
2ДШ2123А
-
5
0,42
24
0,35
АЕЯР.432120.297ТУ
2П7146В
-
5
260
0,41
2ДШ2123Б
-
5
0,56
45
2П7147А
-
5
104
0,075
2ДШ2123В
-
5
0,318
19
2П7147Б
-
5
208
0,17
2ДШ2123Г
-
5
0,49
45
0,3
2П7147В
-
5
260
0,25
2ДШ2123Д
-
5
0,74
110
0,07
________
1
V
GS
(
th
)
= (1,5÷2,7)
В
, для остальных
-
(1,5÷6,0)
В
.
2ДШ2124А
-
5
0,45
34
0,3
2ДШ2124Б
-
5
45
2ДШ2124В
-
5
0,47
66
2ДШ2124Г
-
5
0,61
110
0,07
2ДШ2125А
-
5
0,52
89
0,15
2ДШ2125Б
-
5
110
2ДШ2125В
-
5
2ДШ2125Г
-
5
0,44
66
0,3
2ДШ2125Д
-
5
0,52
110
0,15
2ДШ2126А
-
5
0,57
165
0,07
2ДШ2126Б
-
5
0,65
218
2ДШ2134А
-
5
0,7
110
0,1
Быстровосстанавливающиеся диоды
2Д640В
-
5
1,1
645
0,08
АЕЯР.432120.
223ТУ
2Д641А
-
5
1,38
435
2Д641Б
-
5
540
2Д641В1
-
5
0,95
640
2Д663А
-
5
1,38
645
2Д
675А5
-
5
1,26
440
0,005
*
2Д
676А5
-
5
1,11
2Д
678А5
-
5
0,7
220
0,05
2Д
678Б5
-
5
0,8
645
0,02
________
*
АЕЯР.432120.296 ТУ
13
2.6
Биполярные транзисторы
Тип
Аналог
Тип
P
Cmax
,
Вт
V
CER
,
В
I
Cmax
,
А
h
21E
V
CEs
а
t
,
В
I
CBO
,
мА
f
T
,
МГц
Корпус
(аналог)
2Т301Г
-
n
-
p
-
n
0,15
30
0,06
10
÷
32
3 @
(I
C
=10мА
I
B
=1мА)
0,005
60
КТЮ
-
3
-
1
2Т301Д
2N1390
20
÷
60
2Т301E
-
20
0,06
40
÷
120
2Т301Ж
80
÷
300
2Т312А
0,225
30
0,06
12
÷
100
0,5 @
(I
C
=20мА,
I
B
=2мА)
0,0
0
1
80
2Т312Б
25
÷
100
120
2Т312В
50
÷
250
0,35 @
(I
C
=20мА,
I
B
=2мА)
2Т312Д
0,06
12
0,008
20
÷
100
-
0,001
-
П307
-
0,25
80
0,03
20
÷
60
-
0,003
10
КТЮ
-
3
-
6
П307В
50
÷
150
П308
120
30
÷
90
П309
20
÷
60
2Т602А
2,8
120
0,15
20
÷
180
3
@
(I
C
=50мА,
I
B
=5мА)
0,01
100
КТЮ
-
3
-
9
2Т602Б
50
÷
200
2Т903А
2SC517
30
60
3
15÷70
[email protected]
(I
C
=2А
I
B
=0,4А)
2
120
КТЮ
-
3
-
20
2Т903Б
2N2947
40÷180
[email protected]
(I
C
=2А
I
B
=0,4А)
2Т837А
-
p
-
n
-
p
30
80
8
�15
0,9 @
(I
C
=3А,
I
B
=0,37А)
0,15
5
КТ
-
28
-
2
(TО
-
220A
B
)
2Т837Б
60
�30
2Т837В
45
�40
2Т837Г
80
�15
2Т837Д
60
�30
2Т837E
45
�40
1H
Т
251
2N3903
4
n
-
p
-
n
тр
-
ра
0
,
4
45
0
,
4
3
÷
0150
1 @
(I
C
=0
,
4
А
,
I
B
=0
,
0
8
А
)
0
,
0
0
6
200
401.14
-
6
1H
Т
251
А
-
2Т
690
АС
2N4123
0
,
3
50
÷
150
0
,
8 @
(I
C
=0
,
25
А
,
I
B
=0
,
0
5
А
)
0
,
005
300
2Т
С
622
А
2N3905
4
p
-
n
-
p
тр
-
ра
0
,
4
25
÷
150
1
,
3 @
(I
C
=0
,
4
А
,
I
B
=0
,
0
8
А
)
0
,
01
200
2Т
С
622
Б
-
2Т
689
АС
2N3799
0
,
3
50
÷
150
1 @
(I
C
=0
,
25
А
,
I
B
=0
,
0
5
А
)
0
,
0
0
7
300
2.7
ВЧ и СВЧ мощные
биполярные транзисторы
2.7.1
Транз
исторы для подвижных средств рад
иосвязи
Тип
Аналог
f,
МГц
P
OUT
,
В
т
V
CC
,
В
G
Pmin
,
дБ
η, %
Корпус
2Т929А
-
50÷175
2
8
10
60
КТ
-
17
2Т920А
12,6
8,5
2Т
920
Б
2N6080
5
6
2Т
920
В
2N6081
20
5
2Т
958
А
BM40
-
12
40
6
50
КТ
-
32
2Т925А
-
100÷320
2
8
60
КТ
-
17
2Т925Б
7
6
2Т925В
2N5590
20
5
2Т960А
-
100÷400
40
4
КТ
-
32
2.7.2
Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры
Тип
Аналог
f, МГц
P
OUT(Pulse)
, В
т
V
CC
,
В
G
Pmin
,
дБ
Импульс
Корпус
τ,
мкс
Q
2Т984
А
MSC1075M
720÷820
75
50
7
10
100
КТ
-
42
2Т984
Б
MSC1250M
250
6
2Т9109
А
MSC1550M
500
5,5
14
2.7.3
Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи
Тип
Аналог
f,
МГц
P
OUT
,
В
т
V
CC
,
В
G
Pmin
,
дБ
η, %
Корпус
2Т
922
А
2N5641
50÷175
5
28
10
55
КТ
-
17
2Т
922
Б
2N5642
20
7
,
5
2Т
922
В
2N5643
40
6
2Т
931
А
2N6369
80
6
50
КТ
-
32
2Т
971
А
-
150
5
55
КТ
-
56
2Т907А
2N3733
100÷400
8
3
40
КТ
-
4
2Т934А
2N5635, 2N6202
3
8
50
КТ
-
17
2Т934Б
2N5636, 2N6203
12
6
2Т934В
2N5637
25
5
2Т930А
2N6362
40
7,5
50
КТ
-
32
2Т930Б
2N6364
75
6
2Т970А
-
100
6
КТ
-
56
2Т970
Б
7,6
2Т985АС
220÷400
125
5,5
КТ
-
45
2Т909А
2N5177
100÷500
17
3
45
КТ
-
15
2Т909Б
-
35
3
2Т9105АС
100
5
50
КТ
-
45
2Т91
2
5АС
50
6
2Т9104А
350÷700
5
9
40
КТ
-
42
2Т9104Б
20
8,5
50
2Т991АС
55
7,8
KT
-
44
2Т9101АС
100
5,5
2Т911А
400÷1800
0,8
3
25
Аналог
Mt
-
62
2Т911Б
400÷1000
0,8
3
30
2Т
962
А
D10
-
28
10
6
36
КТ
-
17
2Т
962
Б
DM20
-
28
20
5
,
5
40
2Т
962
В
DM40
-
28
40
5
2Т976А
-
60
3
45
2Т91
32
АС
350
÷
700
140
30
5,5
55
KT
-
44
2.8
Изделия в стадии разработки и/или освоения
2.8.1
Полевые
n
-
канальные транзисторы
Тип
Аналог
Параметры
Корпус
(аналог)
V
DS
,
В
I
D
@T
C
=25°C
, А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
2П767В7
IRFY240C
200
16
0,18
100
КТ
-
97В
-
1.08
Изолированный
(
TO
-
254
AA
)
2П769В7
IRFY140C
100
14
0,077
75
2П790А7
IRFM150
30
0,055
120
2П793А7
IRFM250
200
25
0,085
130
2П795А7
IRFM450
500
14
0,4
150
2П768К8
IRFM340
400
9
0,55
125
КТ
-
97В
-
1.09
(
TO
-
254AA
)
2П794А8
IRFM450
15
0,3
150
2.8.2
Полевые
n
-
канальные транзисторы с
пониженным
R
DS
(
on
)
Тип
Параметры
Корпус
(аналог)
V
DS
,
В
I
D
@T
C
=25°C
, А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@ T
C
=25°C,
Вт
2П767Ж
200
16
0,1
2
100
КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB)
2П768
П
400
9
0,
42
125
2П769Д
100
25
0,0
52
100
2П790Б
100
35
0,03
150
КТ
-
43В (
TO
-
2
47
)
2П767Ж91
200
16
0,1
2
100
КТ
-
90 (
D
2
Pak
)
2П768К91
400
9
0,
42
125
2П769Д1
100
25
0,0
52
100
2П767Ж92
200
16
0,1
2
100
КТ
-
94 (
SMD
-
1)
2П769Д92
100
25
0,0
52
2
П770П92
500
8
0,55
2П790Б92
100
35
0,03
150
2П794В92
400
15
0,2
2П795В92
500
14
0,27
2П767Ж2
200
16
0,1
2
100
КТ
-
28А
-
2.01
2П769Д2
100
25
0,0
52
2
П770П2
500
8
0,55
2П790Б4
100
30
0,03
120
КТ
-
43А
-
1.01
2П795В4
500
14
0,27
150
2П767Ж1
200
16
0,1
2
100
КТ
-
9С (
TO
-
204AA
)
2П769Д1
100
25
0,0
52
2
П770П1
500
8
0,55
2П790Б1
100
35
0,03
150
2П794В1
400
15
0,2
2П795В1
500
14
0,27
15
2.8.3
Полевые
p
-
канальные транзисторы
Тип
Аналог
Параметры
Корпус
(аналог)
V
DS
,
В
I
D
@T
C
=25°C
, А
R
DS(on)
,
Ом
P
D
@
T
C
=25°C,
Вт
2П7
229
А
IRF
5210
-
100
-
40
0,055
150
КТ
-
28
-
2
(
TO
-
220AB)
2П7229Б
0,06
2П7
229
А2
IRFM
5210
-
30
0,
0
65
100
КТ
-
28
A
-
2.01
2П7229Б2
0,
0
7
2.8.4
Диоды Шоттки (сборки
-
общий катод)
(Значения параметров приведены для диода или диода
сборки, в скобках
-
для сборки)
Тип
Аналог
Параметры
Корпус
(аналог)
I
F
(
AV
)
, А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
В
V
RRM
, В
I
RM
@
V
RRM
, мА
T
C
=25°C
T
C
=125°C
2
ДШ2123А95
1N5817
1
0
,
4
5
20
1,0
10,0
КТ
-
99
-
1
(
Sot
-
89)
2
ДШ2123
Б95
10BQ040
0,
53
40
0
,4
4,0
2
ДШ2123
Д95
10BQ100
0,
78
100
0,5
12,5
2Д273ДС7
40
CGQ150
(
2х20
)
1,05
150
1,5
15
КТ
-
97В
-
1.08
Изолированный
(
TO
-
254
AA
)
2Д273ЕС7
-
1,15
200
2
20
2.8.5
Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки
-
общий катод)
Тип
Параметры
t
rr
, нс
Корпус
(аналог)
I
F
(
AV
)
, А
V
FM
@ I
F(AV)
T
C
=25°C,
В
V
RRM
, В
I
RM
@
V
RRM
, мА
T
C
=25°C
T
C
=125°C
2Д640МС
(2х8)
1,7
600
0,5
8
40
КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB)
2Д640МС2
КТ
-
28А
-
2.01
2Д640МС91
КТ
-
90 (
D
2
-
Pak
)
2Д641К1
15
2,2
0,1
3
КТ
-
32А
2Д641КС
(2х15)
1,8
0,5
8
КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB)
2Д641ВС7
1,7
КТ
-
97В
-
1.08
Изолированный
(
TO
-
254
AA
)
2Д663БС9
(2х1)
1,5
0,1
1
КТ
-
89 (
D
-
Pak
)
2Д663А95
1
1,5
60
КТ
-
99
-
1
(
Sot
-
89)
2Д663Б95
1
1
,
6
40
2.8.6
Бескорпусные полевые
n
-
канальные транзисторы с
пониженным
R
DS
(
on
)
Тип
Параметры
V
DS
, В
R
DS
(
on
)
, Ом
2П767Ж
-
5
200
0,12
2П768П
-
5
400
0,42
2П769Д
-
5
100
0,052
2
П770П
-
5
500
0,
55
2П790Б
-
5
100
0,03
2П794
В
-
5
400
0,
2
2П795В
-
5
500
0,27
2
0
.8.7
Стабилизаторы напряжения
Тип
Аналог
V
ВЫХ
, В
I
ВЫХ
, А
K
I
,
%
K
U
,
%
V
ПД
MIN
, В
I
ПОТР
,
м
А
V
ОП
, В
Корпус
ТЕСТ
LT
1963
A
1,21
÷
20
1,5
0,
13
0,
14
0,34
1,5÷120
(
1
)
1,21
4116.8
-
3
LT
1963
A
-
1.5
1,5
-
КТ
-
28А
-
2.01
LT
1963
A
-
1.8
1,8
LT
1963
A
-
2.5
2,5
LT
1963
A3.3
3,3
ТЕСТ
-
1
LM79L05
-
5
0,1
0,4
0,
3
1,7
6
(
2
)
-
4601.3
-
1
(
Sot
-
89)
LP2950
2
,5
0,1
0,04
0,38
0,12÷12
(
1
)
2,85
3,0
3,3
5,0
ТЕСТ
-
2
LT1084
1
,25
-
30
5,0
0,1
0,015
1,3
10
(
3
)
1,25
КТ
-
28А
-
2.01
1,8
-
2,5
3,3
5,0
________
1
Диап
азон токов в зависимости от токов нагрузки
I
ВЫХ
.
2
Значение тока потребления при
I
ВЫХ
= 40 мА.
3
Значение тока потребления
при минимальном токе нагрузки
.
16
2.8.8
Модуль силовых ключей в металлокерамическом корпусе
Электрические
параметры модуля на полевых транзисторах (схема 1)
Параметр
Обозначение
Значение
Температура
корпуса,
С
Начальный ток стока транзистора, мА
(U
СИ
= 100 В, U
ЗИ
= 0 В)
I
С.нач
≤0,5
25
10
85
5
20
3
Пороговое напряжение транзистора, В
(
U
СИ
=
U
ЗИ
,
I
С
= 250
мкА)
U
ЗИ.пор
1,5≤6,0
25
10
Сопротивление сток
-
исток в открытом
состоянии транзистора, Ом
(
U
ЗИ
= 15 В,
I
С
= 17 А,
и
1000 мкс)
R
C
И.отк
≤0,08
Постоянное прямое напряжение диода, В
(
I
пр
= 5 А)
U
пр
≤0,9
≤0,9
≤1,0
25
10
85
5
20
3
Постоянный обратный ток
диода, мА
(
U
обр
= 100
В)
I
обр
≤1,0
≤1,0
≤10
25
10
20
3
85
5
Электрические параметры модуля
на полевых транзисторах (схема 2
)
Параметр
Обозначение
Значениеа
Температура
корпуса,
С
Транзистор с
n
-
каналом
Начальный ток стока транзистора, мА
(U
СИ
= 100
В, U
ЗИ
= 0 В)
I
С.нач
≤0,5
25
10
125
5
60
3
Пороговое напряжение транзистора, В
(
U
СИ
=
U
ЗИ
,
I
С
= 250 мкА)
U
ЗИ.пор
1,5≤6,0
25
10
Сопротивление сток
-
исток в открытом состоянии транзистора,
Ом
(
U
ЗИ
= 15 В,
I
С
= 17 А,
и
1000 мкс)
R
C
И.отк
0,08
Транзистор с
p
-
каналом
Начальный ток стока транзистора, мА
(U
СИ
=
–
100 В, U
ЗИ
= 0 В)
(U
СИ
=
–
80 В, U
ЗИ
= 0 В)
(U
СИ
=
–
100 В, U
ЗИ
= 0 В)
I
С.нач
≤0,5
25
10
125
5
60
3
17
Возможны другие варианты
компоновки
в
соответствии
со схемой заказчика.
2.8.9
Силовой модуль на диодах в металлостеклянном корпусе
Параметр
Обозначение
Значение
Максимально допустимое рабочее импульсное обратное напряжение модуля, В
U
обр, и, р макс
50÷300
Максимально допустимый средний прямой ток модуля, А
I
пр,ср,макс
120÷300
Импульсное прямое напряжение модуля (
T
пер
= 25
С, I
пр
=
I
пр макс
), В, не более
U
пр, и
0,75÷1,2
Повторяющийся импульсный обратный ток модуля (
T
пер
=
25
С, U
обр
= U
обр макс
),
мА
I
обр, и, п
≤
3
,0
Схема 1
Схема 2
18
2.9
Интегральные микросхемы
2.9.1
ИС серии 106 и ОС106
Тип
Функция
Корпус
(ОС)106ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А
2х3И
-
НЕ/ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ
401.14
-
3
1
4105
.14
-
16
.01
(ОС)106ЛБ5, ЛБ5А, ЛБ6, ЛБ6А
8И
-
НЕ
/ИЛИ
-
НЕ
с расширением по ИЛИ
(ОС)106ЛР1, ЛР1А, ЛР2, ЛР2А
4И
-
4И/2ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ
(ОС)106ЛД1, ЛД1А, ЛД2, ЛД2А
8
-
входовый
расширитель
(ОС)106ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А
2х
4
-
входовых расширителя
(ОС)106ТР1, Р1А, ТР2, ТР2А
R
-
S
триггер с элементами 3И
-
НЕ
на входе
________
1
ИС серии ОС106 только в корпусе 401.14
-
3.
2.9.2
ИС серии 134 и ОС134
Тип
Функция
Корпус
(ОС)134ЛБ1А
,
ЛБ1Б
4х2И
-
НЕ
401.14
-
3
1
4105
.14
-
16
.01
(ОС)134ЛБ2А
,
ЛБ2Б
2х4И
-
НЕ и инвертор
(ОС)134ЛР1А
,
ЛР1Б
2И
-
2И/2ИЛИ
-
НЕ и 2И
-
4И/2ИЛИ
-
НЕ
(ОС)134ЛР2А
,
ЛР2Б
2И
-
2И
-
3И
-
4И/4ИЛИ
-
НЕ
(ОС)134ТВ1
J
-
K
триггер
(ОС)134ТВ14
2х
J
-
K
триггера
(ОС)134РМ1
2
х
2
-
разрядных
D
-
регистра
(ОС)134ИЕ5
4
-
разрядный асинхронный двоичный счетчик
(ОС)134ИР1
,
ИР1А
4
-
разрядный сдвиговый регистр
(ОС)134ИР2
8
-
разрядный сдвиговый регистр
134ИР8ЭВ
8
-
разрядный последовательный сдвиговый регистр с параллельным выходом
(ОС)134КП8
3хмультиплексора 2
-
1
(ОС)134КП9
2хмультиплексора 4
-
1
(ОС)134КП10
Мультиплексор 8
-
1
(ОС)134ИП2
8
-
разрядная схема контроля четности
(ОС)134ХЛ3
МЭЦС
(ОС)134ИД6
Двоично
-
десятичный дешифратор
402
.16
-
33
1
402
.16
-
33
.01
(ОС)134ИМ4
4
-
разрядный полный сумматор
(ОС)134ИП4
Схема ускоренного переноса
(ОС)134ИПЗ
АЛУ
405.24
-
2
134РУ6, РУ6
Б
Статическое ОЗУ
1024х1
4112.16
-
2
________
1
ИС серии ОС134 только в корпусах 401.14
-
3, 402.16
-
33.
2.9.3
ИС серии 1504 и ОС1504
Тип
Функция
Корпус
(ОС)1504ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А
2х3И
-
НЕ/ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ
401
.14
-
5
1
401.14
-
5.0
8
(ОС)1504ЛБ5, ЛБ5А,
ЛБ6, ЛБ6А
8И
-
НЕ/ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ
(ОС)1504ЛАЗЭВ
,
ЛАЗАЭВ
4х2И
-
НЕ
(ОС)1504ЛА4ЭВ
,
ЛА4АЭВ
3х3И
-
НЕ
(ОС)1504ЛА6ЭВ
,
ЛА6АЭВ
2х4И
-
НЕ с повышенной нагрузочной способностью
(ОС)1504ЛА8ЭВ
,
ЛА8АЭВ
4х2И
-
НЕ с открытым коллектором
(ОС)1504ЛР1, ЛР1А,
ЛР2, ЛР2А
4И
-
4И/2ИЛИ
-
НЕ с расширением по ИЛИ
1504ЛР11АЭВ
,
БЭВ
2х2И
-
2И/2ИЛИ
-
НЕ
(ОС)1504ЛД1
,
ЛД1А
8
-
входовый расширитель
(ОС)1504ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А
2х4
-
входовых расширителя
(ОС)1504ТР1, ТР1А, ТР2, ТР2А
R
-
S
триггер с элементами 3И
-
НЕ
на входе
1504ТВ1
J
-
K
триггер
с элементами 3И на входах
J
и
K
________
1
ИС серии ОС1504 только в корпусе 401.14
-
5.
19
2.9.4
ИС серии 1505 и ОС1505
Тип
Функция
Корпус
(ОС)1505ЛБ1А
,
ЛБ1Б
4х2И
-
НЕ
401.14
-
5
1
401.14
-
5.0
8
(ОС)1505ЛБ2А
,
ЛБ2Б
2х4И
-
НЕ и инвертор
(ОС)1505ЛА2АЭВ
,
ЛА2БЭВ
8И
-
НЕ
(ОС)1505ЛА8АЭВ
,
ЛА8БЭВ
4х2И
-
НЕ с открытым коллектором
(ОС)1505ЛР1А
,
ЛР1Б
2И
-
2И/2ИЛИ
-
НЕ и 2И
-
4И/2ИЛИ
-
НЕ
(ОС)1505ЛР2А
,
ЛР2Б
2И
-
2И
-
3И
-
4И/4ИЛИ
-
НЕ
(ОС)1505ЛР4АЭВ
,
ЛР4БЭВ
4
И
-
4
И
-
2
ИЛИ
-
НЕ
(ОС)1505ТВ1
J
-
K
триггер
(ОС)1505ТВ14
2х
J
-
K
триггера
(ОС)1505РМ1
2
х
2
-
разрядных
D
-
регистра
(ОС)1505ТМ2АЭВ
,
ТМ2БЭВ
2х
D
-
триггера с Установкой и Сбросом
1505ИЕ2
4
-
разрядный двоично
-
десятичный счетчик
(ОС)
1505ИЕ5
4
-
разрядный асинхронный двоичный счетчик
(ОС)1505ИР1
,
ИР1А
4
-
разрядный сдвиговый регистр
(ОС)1505ИР2
8
-
разрядный сдвиговый регистр
(ОС)1505КП8
3хмультиплексора 2
-
1
(ОС)1505КП9
2хмультиплексора 4
-
1
(ОС)1505КП10
Мультиплексор 8
-
1
(ОС)1505ИП2
8
-
разрядная схема контроля четности
(ОС)1505ХЛ3
МЭЦС
(ОС)1505ЛП3ЭВ
Мажоритарный элемент
(ОС)1505ИД6
Двоично
-
десятичный дешифратор
402.16
-
33
1
402.16
-
33
.01
(ОС)1505ИМ4
4
-
разрядный полный сумматор
(ОС)1505ИП4
Схема ускоренного переноса
(ОС)1505ИПЗ
АЛУ
405.24
-
2
________
1
ИС серии ОС1505 только в
корпусах 401.14
-
5, 402.16
-
33.
2.9.5
ПЛИС 5576ХС1Т, 5576ХС1Т1
базовые ТУ
-
АЕЯР.431260.478ТУ;
функционально совместимы с ПЛИС
EPF
10
R
50
RI
240 ф.
Altera
;
питание
-
3,3±0,3 В;
5
-
вольтовая толерантность входов/выходов;
встроенный блок тестирования (
JTAG
) с
использованием схемы периферийного сканирования (
BST
), совместимый с
IEEE
Std
. 1149.1
-
1990;
встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование посредством
внешних конфигурационных устройств или интеллектуальным контролле
ром через специальный загрузочный порт или
JTAG
-
порт;
для конфигурирования могут быть использованы конфигурационные ИС ф.
Altera
,
Atmel
, ОАО
“Ангстрем” и др.;
для проектирования можно использовать САПР ф.
Altera
MAX
+
PLUS
II
или
Quartus
, а также
Synplisity
,
Aldec
и др.;
5576ХС1Т выпускается в 240
-
выводном металлокерамическом планарном корпусе
CQFP
240;
5576ХС1Т1 выпускается в 256
-
выводном металлокерамическом планарном корпусе 4244.256
-
1.
Основные функциональные параметры:
Типовая логическая емкость, вент.
50000
Количество логических элементов
2880
Количество логических блоков
360
Емкость встроенной памяти, бит
20480
Количество триггеров
3184
Количество пользовательских выводов
182
20
2.9.5
ИС серии 5574
-
базовые ТУ
-
АЕЯР.431200.483ТУ
-
напряжение питания (2,3÷3,6) В
-
5
-
вольтовая толерантность входов/выходов
Тип
Аналог
Функция
Корпус
5574АП1Т
74LVCH16276APA
12
-
разрядный двунаправленный синхронный шинный
формирователь с выходом на три состояния
4235.88
-
1
5574АП2Т
-
16
-
разрядный двунаправленный синхронный шинный
формирователь с выходом на три состояния
5574ИР37
74LCX574
8
-
разрядный параллельный регистр с выходом на три
состояния
4153.20
-
5
5574ИН2Т
SN54LVC245
8
-
канальный приемопередатчик
5574АП4Т
SN54LVC541
8
-
разрядный буфер с выходом на три состояния
5574ИР23Т
SN54LVC
374
8
-
разрядный регистр с выходом на три состояния
5574ЛП8Т
SN
7
4LVC
125
Четыре буферных элемента с выходом на три состояния
5574ИН1У
IDT74LVCH16245
16
-
разрядный приемопередатчик с выходом
на три состояния
Н16.48
-
2В
5574ИН3У
IDT74LVCH16
543
Два 8
-
разрядных приемопередатчика с регистрами
-
защелками
на входе и с выходом на три состояния
5574ИН4У
IDT74LVCH16
952
Два 8
-
разрядных приемопередатчика с регистрами на входе и с
выходом на три
состояния
5574АП5У
IDT74LVCH16
244
Четыре 4
-
разрядных буфера с выходом на три состояния
5574ИР1У
IDT74LVCH16
373
Два 8
-
разрядных регистра
-
защелки с выходом на три состояния
5574ИР2У
IDT74LVCH16
374
Два 8
-
разрядных регистра с выходом на три состояния
3
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И БЛОКИ ПИТАНИЯ
DC
-
DC
преобразователь
Наименование параметра
Значение
1.Входное напряжение (номинальное), В
2. Выходное напряжение (номинальное), В
3.Выходная мощность, кВт
4. Максимальная выходная мощность при максимальной рабочей
температуре
окружающей среды +71 ºС в течение 1 часа, кВт
5. Коэффициент полезного действия при номинальных входном напряжении и
выходной мощности и температуре окружающей среды +25 ºС, не менее, %
6. Параметры окружающей среды:
-
рабочая температура, ºС
-
влажность, %
7.Конструктивные параметры:
-
габаритные размеры, мм
-
масса, кг
-
охлаждение
28
270
2,5
2,75
92
-
40 до +71
95
295х256х190
17
Естественное, воздушное
AC
-
DC
блок питания
Наименование параметра
Значение
1.Входное напряжение:
-
номинальное
значение, В.
-
частота, Гц
2. Выходное напряжение, В
3.Выходной ток, А.
4. Пульсация выходного напряжения, мВ
5. Коэффициент полезного действия при температуре окружающей среды +25 ºС, не менее, %
220
50
10
50
200
94
AC
-
DC
блок питания прогрева бетона БППБ
-
1
Наименование параметра
Значение
1.Входное напряжение:
-
номинальное значение, В.
-
частота, Гц
2.Номинальная мощность, кВА
3.
Входной коэффициент мощности,
P
4. Ступени напряжения на холостом ходу на стороне НН, В
5. Ток
на стороне НН при напряжении 75 В, не более, А (токовая защита)
6.
Габаритные размеры, мм
7.
Масса, кг
220
50
4
0,99
0
-
75
60
280×250×140
10
21
4
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ КОРПУСОВ
КТ
-
90 (
D
2
-
Pak)
КТ
-
43В (
TO
-
247)
КТ
-
89 (
D
-
Pak)
Расположение выводов
Вывод
Транзистор
Диодная сборка
1
Затвор
Анод
2,4
Сток
Катод
3
Исток
Анод
КТ
-
28
-
2 (
TO
-
220AB
)
22
КТ
-
28А
-
2.01
,
металлокерамический
КТ
-
43А
-
1.01
,
металлокерамический
Расположение выводов
Вывод
Транзистор
Диодная сборка
1
Затвор
Анод
2,4
Сток
Катод
3
Исток
Анод
КТ
-
32А
,
металлокерамический
КТ
-
56
,
металлокерамический
23
Расположение выводов
Вывод
Транзистор
Диодная
сборка
Диод
1
Сток
Катод
Катод
2
Затвор
Анод
Анод
3
Исток
Анод
Свободный
КТ
-
93
(SMD
-
0.5)
,
металлокерамический
КТ
-
9
4
(SMD
-
1)
,
металлокерамический
КТ
-
95
(SMD
-
2)
,
металлокерамический
24
КТ
-
9С
(
TO
-
204
AA
)
,
металлостеклянный
КТ
-
9
7
В
(TO
-
25
4AA)
,
металлостеклянный
Расположение выводов (КТ
-
9
7
В
-
1.08)
Вывод
Транзистор
Диодная сборка
1
Сток
Анод
2
Исток
Катод
3
Затвор
Анод
4
Изолированный
Расположение выводов (КТ
-
9
7
В
-
1.09)
Вывод
Транзистор
1,4
Сток
2
Исток
3
Затвор
КТ
-
56А
,
металлокерамический
25
D
-
67
КТ
-
99
-
1
(диоды),
4601.3
-
1(микросхемы) (
Sot
-
89)
,
металлокерамический
Расположение выводов
Вывод
Диод
Стабилизатор
LM79L05
LP2950
1
Свободный
Общий
Вход
2
Анод
Выход
Выход
3
Катод
Вход
Общий
26
ТО
-
244 Мод.3 (неизолированный)
ТО
-
244 Мод.2 (изолированный)
ТО
-
244 Мод.1
27
CQFP
240
4244.256
-
1
28
Для заметок
Приложенные файлы
